Одним из главных принципов уникальной «системы Физтеха», заложенной в основу образования в МФТИ, является тщательный отбор одаренных и склонных к творческой работе представителей молодежи. Абитуриентами Физтеха становятся самые талантливые и высокообразованные выпускники школ всей России и десятков стран мира.

Студенческая жизнь в МФТИ насыщенна и разнообразна. Студенты активно совмещают учебную деятельность с занятиями спортом, участием в культурно-массовых мероприятиях, а также их организации. Администрация института всячески поддерживает инициативу и заботится о благополучии студентов. Так, ведется непрерывная работа по расширению студенческого городка и улучшению быта студентов.

Адрес e-mail:

2013-10-16

 

В среду 16 октября 2013 г. в 18:35 в аудитории 202НК состоится заседание межпредметного семинара:

"Научная методология и проверка квалификации специалистов"

Арсеньев Андрей Романович (кафедра общей физики МФТИ)

к.ф.-м.н. Иванов Михаил Геннадьевич (кафедра теоретической физики МФТИ)

объявление-pdf

Прошлое заседание закончилось обсуждением примера, когда простой механический эффект объясняющийся свободной прецессией гироскопа был объявлен шарлатанами чем-то необъяснимым, угрожающим человеческой цивилизации и требующим срочного выделения средств для шарлатанских исследований. Мы решили посвятить обсуждению подобных случаев отдельный семинар.

Чем наука отличается от ненауки, псевдонауки и лженауки? Чем специалист отличается от шарлатана? Как по статье вгазета или журнале определить заслуживает ли информация доверия? Эти и другие вопросы будут обсуждаться на семинаре с конкретными примерами.

 

В среду 23 октября 2013 г. в 18:35 в аудитории 202НК состоится заседание межпредметного семинара:

"Перспективные виды энергонезависимой памяти — на пути к нейроморфным вычислениям"

к.ф.-м.н. Заблоцкий Алексей Васильевич (зам. Декана ФФКЭ)

объявление-pdf

Лавинообразное распространение мобильной электроники и встраиваемых систем накладывает все более жесткие требования на ограничения энергопотребления интегральных схем. Согласно Международной дорожной карте развития полупроводниковой индустрии (ITRS) в настоящее время активно развивается множество альтернатив традиционным флэшкам и даже оперативной DRAM-памяти. Эти альтернативы основаны на интереснейших физических эффектах: фазовых переходах, гигантском магнитосопротивлении, поляризации сегнетоэлектриков, резистивном переключении в тонких плёнках нестехиометрических оксидов и т.д. Кроме того, активно развивается компонентная база для аппаратной реализации нейронных сетей и широкому внедрению нейроморфных вычислений.
    В докладе будет представлен краткий обзор современного состояния в предметной области и рассказано о работах и результатах НОЦ "Нанотехнологии" МФТИ в данном направлении.

Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2016 Московский физико-технический институт
(государственный университет)

Техподдержка сайта

МФТИ в социальных сетях

soc-vk soc-fb soc-tw soc-li soc-li
Яндекс.Метрика