Одним из главных принципов уникальной «системы Физтеха», заложенной в основу образования в МФТИ, является тщательный отбор одаренных и склонных к творческой работе представителей молодежи. Абитуриентами Физтеха становятся самые талантливые и высокообразованные выпускники школ всей России и десятков стран мира.

Студенческая жизнь в МФТИ насыщенна и разнообразна. Студенты активно совмещают учебную деятельность с занятиями спортом, участием в культурно-массовых мероприятиях, а также их организации. Администрация института всячески поддерживает инициативу и заботится о благополучии студентов. Так, ведется непрерывная работа по расширению студенческого городка и улучшению быта студентов.

Адрес e-mail:

Зависимость диаграммы направленности излучения квантоворазмерного гетеролазера, работающего на вытекающей моде , от тока накачки.

А.П.Богатов, А.Е.Дракин, А.А,Лях, А.А.Стратонников

Московский физико-технический институт,

Физический институт имени П.Н.Лебедева РАН

Диаграмма направленности излучения является одной из основных характеристик любого полупроводникового лазера. Характерной особенностью диаграммы направленности лазера, работающего на вытекающей моде, является наличие пиков (рис.1), соответствующих нулевой (\varphi \approx 32^ \circ) и первой (\varphi \approx 47^ \circ) поперечной модам [1].

Исследование изменения положения и ширины этих пиков показало выраженное их движение при изменении плотности тока накачки. Характерная зависимость положения пика нулевой моды от плотности тока накачки показано на рис.2.

В допороговом режиме лазера наблюдается увеличение отклонения пучка по отношению к нормали грани диода с увеличением тока накачки, а в запороговом - уменьшение. Аналогичное поведение наблюдается для положения пика, соответствующего первой моде.

Показано, что такое поведение обусловлено изменением эффективного показателя преломления волноводных мод, вызванное действием инжектированных носителей в допороговом режиме и изменением температуры волноводных слоёв в запороговом режиме.

Полученное значение коэффициента, характеризующего изменение показателя преломления активного слоя от плотности тока накачки -0.9*10^{-3} см^2/А близко к аналогичной величине -1.0*10^{-3} см^2/А, которое получается из результатов экспериментов, выполненных по независимой методике для похожих типов лазеров [2].

Литература:

Богатов А.П., Дракин А.Е., Стратонников А.А., Коняев В.П., Квантовая электроника, 30, 401 (2000) Богатов А.П., Болтасёва А.Е., Дракин А.Е., Белкин М.А., Коняев В.П., Квантовая электроника, 30, 4, 315 (2000)
Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2016 Московский физико-технический институт
(государственный университет)

Техподдержка сайта

МФТИ в социальных сетях

soc-vk soc-fb soc-tw soc-li soc-li
Яндекс.Метрика