Одним из главных принципов уникальной «системы Физтеха», заложенной в основу образования в МФТИ, является тщательный отбор одаренных и склонных к творческой работе представителей молодежи. Абитуриентами Физтеха становятся самые талантливые и высокообразованные выпускники школ всей России и десятков стран мира.

Студенческая жизнь в МФТИ насыщенна и разнообразна. Студенты активно совмещают учебную деятельность с занятиями спортом, участием в культурно-массовых мероприятиях, а также их организации. Администрация института всячески поддерживает инициативу и заботится о благополучии студентов. Так, ведется непрерывная работа по расширению студенческого городка и улучшению быта студентов.

Адрес e-mail:

Роль протяженных дефектов (дислокаций) в формировании глубоких электронных состояний в кристаллах CdTe и ZnTe стехиометрического состава

В. С. Багаев, В. В. Зайцев, Ю. В., В. С. Кривобок

Московский физико-технический институт

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН

 Несмотря на многолетние исследования соединений II-VI, до настоящего времени они не получили достойного применения. Одним из типов взаимодействия, следствие которого нестабильность свойств этих соединений, является, возможно, взаимодействие между примесями и протяженными дефектами. В данной работе исследовались спектры низкотемпературной фотолюминесценции, фотопроводимости, а также температурная зависимость проводимости поликристаллических образцов CdTe и ZnTe с предельно низким содержанием собственных точечных дефектов и фоновых примесей (~ 10^{14} ), с целью выяснить влияние протяженных дефектов на перенос заряда, а так же их вклад в формирование электронных состояний.

 Образование в запрещенной зоне CdTe и ZnTe стехиометрического состава глубоких электронных состояний, ответственных за люминесценцию Y- и Z- полос, происходит с участием протяженных дефектов (дислокаций разного типа и внутренних границ зерен). Остается не ясным вопрос, участвуют ли в образовании этих электронных состояний, наряду с протяженными дефектами, атомы химических примесей. Анализ спектров НФТЛ при зона-зонном и подзонном резонансном лазерном возбуждении, а также спектров возбуждения люминесценции поликристаллов p-CdTe позволил выявить особенности в спектре электронных состояний в диапазоне энергий 1.3 –1.6 эВ и проследить за их эволюцией при отжиге образцов в парах Cd. Наблюдаемый перенос возбуждения между экситонно-примесными комплексами фоновых примесей и уровнями протяженных дефектов указывает на сегрегацию примесей в области протяженных дефектов. Последнее утверждение, по-видимому, справедливо также для поликристаллов ZnTe, хотя проявления этого взаимодействия в спектрах НТФЛ имеют свою специфику в сравнении с CdTe.

Литература:

А. В. Квит, С. А. Медведев, Ю. В. Клевков, В. В. Зайцев и др., Физика твердого тела, том 40, № 6, 1998. Gukasyan, A. Kvit, Y. Klevkov, S. Kazarian. I. Herbert F. Matare, Solid-State Electronics, Vol. 7, pp. 589-592.
Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2016 Московский физико-технический институт
(государственный университет)

Техподдержка сайта

МФТИ в социальных сетях

soc-vk soc-fb soc-tw soc-li soc-li
Яндекс.Метрика