Одним из главных принципов уникальной «системы Физтеха», заложенной в основу образования в МФТИ, является тщательный отбор одаренных и склонных к творческой работе представителей молодежи. Абитуриентами Физтеха становятся самые талантливые и высокообразованные выпускники школ всей России и десятков стран мира.

Студенческая жизнь в МФТИ насыщенна и разнообразна. Студенты активно совмещают учебную деятельность с занятиями спортом, участием в культурно-массовых мероприятиях, а также их организации. Администрация института всячески поддерживает инициативу и заботится о благополучии студентов. Так, ведется непрерывная работа по расширению студенческого городка и улучшению быта студентов.

Адрес e-mail:

Моделирование кремниевых полевых нанотранзисторов

А. А. Сидоров, В. В. Вьюрков, А. А. Орликовский

Московский физико-технический институт

Физико-технологический институт РАН

 

Создана программа моделирования [1] кремниевого полевого транзистора типа fin-FET [2]. Каналом в таком транзисторе служит узкий брусок (fin), изготовленный с помощью электронно-лучевой литографии из верхнего слоя кремния в SOI структуре (кремний на изоляторе). Расстояние между контактами истока и стока, выполненными из поликристаллического SiGe, составляет 0.2мкм. Особыми приемами формируется SiGe затвор, огибающий канал транзистора. Предполагалось, что короткий затвор в таком транзисторе (10-20нм) обеспечит существенное повышение его быстродействия. Моделирование позволило выяснить физические процессы, протекающие при работе транзистора и оптимизировать его конструкцию.

Важным вопросом является легирование канала транзистора. С одной стороны, легирование канала необходимо делать как можно меньше, чтобы уменьшить рассеяние на ионизированных примесях. С другой стороны, необходимо обеспечить высокую концентрацию носителей в канале для его хорошей проводимости. Расчеты показывают, что канал транзистора заполняется носителями до концентрации порядка 1018см-3, в то время как легирование канала составляет всего 1016см-3. Действительно, рассчитанный ток через канал в этом случае совпадает с экспериментальным значением.

Другой проблемой является эффективная длина канала транзистора, поскольку реальная длина канала может не совпадать с длиной затвора. Расчеты показывают, что эффективная длина приблизительно соответствует расстоянию между контактами истока и стока и составляет примерно 0.1мкм, что на порядок превосходит длину затвора. Если это так, то высокочастотные характеристики fin-FET’а вряд ли могут быть улучшены по сравнению с субмикронным транзистором, имеющим длину затвора 0.1мкм.

Для уменьшения эффективной длины канала нами предложено производить легирование канала до концентраций не ниже 1018см-3, за исключением области под затвором. В этом случае эффективная длина канала транзистора действительно будет совпадать с длиной затвора.

Литература

 А.А.Сидоров, В.В.Вьюрков, А.А.Орликовский. Российская конференция «Микро- и наноэлектроника’2001», Звенигород. Тезисы докладов, с. О3-24. X.Huang et al., Proc. IEDM-1999.
Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2016 Московский физико-технический институт
(государственный университет)

Техподдержка сайта

МФТИ в социальных сетях

soc-vk soc-fb soc-tw soc-li soc-li
Яндекс.Метрика