Одним из главных принципов уникальной «системы Физтеха», заложенной в основу образования в МФТИ, является тщательный отбор одаренных и склонных к творческой работе представителей молодежи. Абитуриентами Физтеха становятся самые талантливые и высокообразованные выпускники школ всей России и десятков стран мира.

Студенческая жизнь в МФТИ насыщенна и разнообразна. Студенты активно совмещают учебную деятельность с занятиями спортом, участием в культурно-массовых мероприятиях, а также их организации. Администрация института всячески поддерживает инициативу и заботится о благополучии студентов. Так, ведется непрерывная работа по расширению студенческого городка и улучшению быта студентов.

Адрес e-mail:

Анализ особенностей в туннельных спектрах структур Al/(-GaAs при резонансном поляронном взаимодействии

Ф.В. Штром, И.Н. Котельников

Московский физико-технический институт

Институт радиотехники и электроники РАН

International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures, Wroclav, Poland

      При гелиевых температурах исследованы туннельные спектры (ТС) двумерного электронного газа в переходах Al/\delta -­GaAs в параллельном \delta-слою магнитном поле B. Измерялись изготовленные методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) в ИРЭ РАН туннельные структуры Al/\delta -GaAs. \delta-легированный слой (Si) располагался на глубине 20 нм от границы Al/GaAs. Пленка Al напылялась непосредственно в камере МЛЭ. Из-за размерного квантования электронного спектра в квантовой яме d-слоя форма ТС переходов Al/\delta -­GaAs имеет более сложный вид, чем для структур с однородным легированием (см. Рис.1). Как видно из этого рисунка, многочастичные особенности: аномалия при нулевом смещении (АНС) и фононные линии (ФЛ) [1] - выражены даже более ярко, чем в случае n-GaAs. При этом, эти особенности необходимо выделить из фона, который определяется наличием двумерных подзон в полупроводниковом электроде (E_i на рис.1). Для этого использовалась расчетная кривая F, полученная из квазиклассического выражения для туннельного тока с двумерной плотностью состояний и треугольным барьером в GaAs. Используя подгоночные параметры, удалось получить хорошую аппроксимацию измеренного ТС без АНС и ФЛ, что позволило выделить зависимость формы этих линий от магнитного поля. Как показано в [2], при диамагнитном сдвиге 2D-уровней вблизи поля B_c \approx 11 Tл наблюдаются пиннинг и рассталкивание термов, характерные для резонансного 2D-полярона. Обнаружено, что с ростом магнитного поля АНС и ФЛ изменяются. Причем наиболее заметные изменения наблюдаются в форме фононой линии для 2D-электронов, тунелирующих из d-слоя в метал, при достижении критического поля B_c (Рис.2). Показано, что форма туннельных особенностей существенно зависит от квазичастичного спектра, который меняется при резонансном поляронном взаимодействии. Работа поддержена РФФИ (грант №00-02-17059).

Рис.1  

Рис.2

     Литература

J.W. Conley, G.D. Mahan, Phys.Rev. 161, 681 (1967). Котельников И.Н, Кокин В.А. и др. Письма в ЖЭТФ 71, №9, с. 564-569, 2000.
Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2016 Московский физико-технический институт
(государственный университет)

Техподдержка сайта

МФТИ в социальных сетях

soc-vk soc-fb soc-tw soc-li soc-li
Яндекс.Метрика