Одним из главных принципов уникальной «системы Физтеха», заложенной в основу образования в МФТИ, является тщательный отбор одаренных и склонных к творческой работе представителей молодежи. Абитуриентами Физтеха становятся самые талантливые и высокообразованные выпускники школ всей России и десятков стран мира.

Студенческая жизнь в МФТИ насыщенна и разнообразна. Студенты активно совмещают учебную деятельность с занятиями спортом, участием в культурно-массовых мероприятиях, а также их организации. Администрация института всячески поддерживает инициативу и заботится о благополучии студентов. Так, ведется непрерывная работа по расширению студенческого городка и улучшению быта студентов.

Адрес e-mail:

(15.05) Создан транзистор на основе нитрида галлия

Китайский ученый Вэйсяо Хуан (Weixiao Huang) создал первый в мире транзистор на основе нитрида галлия GaN, сообщает Политехнический институт Ренсселера в своем пресс-релизе. По своим характеристикам транзистор значительно превосходит используемые сегодня кремниевые аналоги и может работать в самых экстремальных условиях.

Разработанная Хуаном технология позволяет интегрировать на один чип несколько важных функций, что невозможно осуществить, используя кремний. Поэтому переход с кремниевых транзисторов на GaN-транзисторы позволит значительно упростить электронные схемы.

Также Хуан подчеркнул, что замена кремниевых транзисторов на аналогичные, но выполненные на основе нитрида галлия, позволит существенно уменьшить энергопотребление электроники. Это приведет к сокращению расходов топлива, а также к снижению уровня загрязнения окружающей среды.

Ученым давно было известно, что нитрид галлия, а также другие элементы на основе галлия, обладают лучшей электропроводностью, нежели кремний. Однако Вэйсяо Хуан оказался первым, кому удалось создать транзистор на основе нитрида галлия.

Ранее свою альтернативу кремниевому транзистору представили компании Intel и Qinetiq. Они разработали транзистор на основе антимонида индия. Однако для нормальной работы антимонид-индиевых транзисторов необходимы температуры не выше точки кипения жидкого азота, равной -196 градусам Цельсия.

Также в качестве потенциальной замены кремния в транзисторах рассматривается графен. Электроны в этом материале перемещаются гораздо быстрее, чем в кремнии.

Источник: http://lenta.ru

Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2016 Московский физико-технический институт
(государственный университет)

Техподдержка сайта

МФТИ в социальных сетях

soc-vk soc-fb soc-tw soc-li soc-li
Яндекс.Метрика