Одним из главных принципов уникальной «системы Физтеха», заложенной в основу образования в МФТИ, является тщательный отбор одаренных и склонных к творческой работе представителей молодежи. Абитуриентами Физтеха становятся самые талантливые и высокообразованные выпускники школ всей России и десятков стран мира.

Студенческая жизнь в МФТИ насыщенна и разнообразна. Студенты активно совмещают учебную деятельность с занятиями спортом, участием в культурно-массовых мероприятиях, а также их организации. Администрация института всячески поддерживает инициативу и заботится о благополучии студентов. Так, ведется непрерывная работа по расширению студенческого городка и улучшению быта студентов.

Адрес e-mail:

Углеродные транзисторы догнали своих кремниевых предшественников

Изготовление полупроводниковых приборов при комнатной температуре могло бы обеспечить создание панелей очень большого размера и снизить стоимость такой продукции, как одноразовые метки RFID. Но большинство транзисторов, создаваемых в таких условиях, имеет ничтожную подвижность электронов.

Как утверждается, исследователями из Технологического института Джорджии удалось достичь успеха в разработке метода изготовления при комнатной температуре транзисторов, которые в 100 раз быстрее, чем ранее созданные образцы. Проще говоря, новые транзисторы догнали своих собратьев, изготавливаемых из аморфного кремния.

Секретом разработки стало использование в каналах транзисторов тонких пленок из материала carbon-60 (C60), также известного под названием фуллерен.

Ученые не претендуют на роль первых исследователей, применивших C60 в транзисторах, изготавливаемых при комнатной температуре, но они первыми смогли продемонстрировать высокую подвижность электронов в таких приборах и предложить технологию изготовления транзисторов с высокой повторяемостью результатов.

Демонстрационный прибор был для удобства изготовлен на кремниевой подложке, но все его элементы выполнены из органических материалов и C60 при комнатной температуре. Металлический электрод был добавлен с применением того же самого процесса, который используется в производстве органических светодиодов и пластиковых солнечных батарей.

В будущем, исследователи намерены перейти к пластиковым подложкам и продемонстрировать возможность изготовления транзисторов с каналами n- и p-типа, что позволит создавать электронные цепи, подобные тем, что сейчас изготавливаются по технологии CMOS.

В бочке меда не обошлось без ложки дегтя — новые транзисторы чрезвычайно чувствительны к кислороду. Впрочем, решение этой проблемы может лежать в применении герметичных корпусов.

Источник: ixbt.com

Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2016 Московский физико-технический институт
(государственный университет)

Техподдержка сайта

МФТИ в социальных сетях

soc-vk soc-fb soc-tw soc-li soc-li
Яндекс.Метрика