• О Физтехе
  

  МФТИ является одним из ведущих технических вузов России. Институт по праву занимает лидирующее место по качественному приему абитуриентов и квалифицированной подготовке выпускников. Студенты и выпускники МФТИ являются представителями узкого круга лиц, которые, благодаря окружающим их возможностям междисциплинарного научного образования, могут в полной мере реализовать свой потенциал.

  • Общая информация
  • Руководство
  • Физтех-школы
  • Подразделения
  • Публикации в СМИ
  • МФТИ в рейтингах
  • История Физтеха
  • Сведения об образовательной организации
  • Партнеры
  • Абитуриенту
• Образование
  

  Уникальная ­­«Система обучения Физтеха» является одним из лучших подходов к образованию, что доказывает ее существование почти в неизменном виде уже более 60 лет. Получение фундаментального образования в области математики и физики, предварительное знакомство с избранной специализацией наряду с приобретением навыков самостоятельной работы уже на 4м курсе обеспечивают каждого студента объемом знаний и опыта полноценного ученого. Таким образом, к окончанию обучения студенты уже имеют значительные достижения в избранном ими направлении деятельности.

  • Институтские кафедры и департаменты
  • Преподаватели
  • Базовые и факультетские кафедры
  • Абитуриентам и школьникам
  • Иностранным гражданам
  • Повышение квалификации
  • Диссертационные советы
  • Совместные программы
  • Сведения об образовательной организации
  • Аспирантура
• Наука и инновации
  

  Исследования в МФТИ охватывают широкий круг областей теоретической и экспериментальной физики, энергетики и биомедицины, химии и прикладной математики. Поддержка ряда государственных и частных научных и инвестиционных фондов позволяет нашим ученым каждый день вести разработки на переднем крае науки, чтобы сделать мир более совершенным, удобным и безопасным.

  • Лаборатории и научные центры
  • Центр коллективного пользования
  • Отдел приоритетных исследований и разработок
  • Визит-профессора МФТИ
  • Проект 5—100
  • Гранты и конкурсы
  • Программы развития
  • Отдел по интеллектуальной собственности
  • Научно-технический совет
  • Конференции
  • Научные журналы МФТИ
  • База научных статей
  • Результаты интеллектуальной деятельности
  • Всероссийский конкурс научно-популярной журналистики «Импульс»
• Новости науки

Евгений Цымбал (Evgeny Tsymbal)

Профессор, кандидат наук  Визит-профессор МФТИ (со-руководитель Зенкевич А.В.,  лаборатория функциональных материалов и устройств для наноэлектроники) Заслуженный профессор Университета Джорджа Холмса, Университет Небраски-Линкольна

Образование

·         Физический факультет, Московский Государственный Университет им. Ломоносова, 1981;

·         Кандидат наук, Институт химической физики Российской академии наук, Москва, 1988.

Научные интересы

Теоретическое моделирование новых электронных, магнитных, сегнетоэлектрических и транспортных свойств материалов и структур.

Недавние исследования включают в себя: оксидные гетероструктуры и интерфейсы, двумерные электронные газы; магнитные туннельные переходы, сегнетоэлектричество ультратонких пленок, сегнетоэлектрические туннельные переходы, магнитные тонкие пленки и мультислои, магниторезистивные явления, баллистическую проводимость наноконтактов и нанопроводов, резонансные эффекты в квантовой передаче, спиновую инжекцию в полупроводниках, барьеры Шоттки, магнитоэлектрические явления, магнитную анизотропия с контролируемым напряжением, многосекторные материалы, фотовольтаические материалы.

Профессиональный опыт

·      Доцент УНЛ, 2002;

·      Степень профессора, 2005;

·      профессор Чарльза Бесси, 2009;

·      заслуженный профессор Университета Джорджа Холмса, 2013;

До своего назначения в УНЛ был старшим научным сотрудником в Университете Оксфорда, Великобритания; научным сотрудником Фонда Александра Гумбольдта в Исследовательском центре Юлиха, Германия; научным сотрудником Российской академии наук и Курчатовского научного центра, Москва, Россия.

·      Директор Научно-инженерного центра исследований и разработок NSF (MRSEC), с 2007;

·      директор Центра нано-ферротехнических устройств (CNFD), с 2013.

Основные публикации

·         Tsymbal, E.Y., Kohlstedt, H., “Tunneling across a ferroelectric”, Science 313 (2006), pp. 181-183;

·         Tsymbal, E.Y., Mryasov, O.N., LeClair, P.R., “Spin-dependent tunnelling in magnetic tunnel junctions”, Journal of Physics Condensed Matter 15 (4) (2003), pp. R109-R142;

·         Duan, C.-G., Jaswal, S.S., Tsymbal, E.Y., “Predicted magnetoelectric effect in Fe/BaTiO3 multilayers: Ferroelectric control of magnetism”, Physical Review Letters, 97 (2006), 047201;

·         Zhuravlev, M.Ye., Sabirianov, R.F., Jaswal, S.S., Tsymbal, E.Y., “Giant electroresistance in ferroelectric tunnel junctions”, Physical Review Letters 94 (2005), 246802;

·         Duan, C.-G., Velev, J.P., Sabirianov, R.F., Zhu, Z., Chu, J., Jaswal, S.S., Tsymbal, E.Y., “Surface magnetoelectric effect in ferromagnetic metal films”, Physical Review Letters 101 (2008), 137201;

·         Gruverman, A., Wu, D., Lu, H., Wang, Y., Jang, H.W., Folkman, C.M., Zhuravlev, M.Ye., Felker, D., Rzchowski, M., Eom, C.-B., Tsymbal, E.Y., “Tunneling electroresistance effect in ferroelectric tunnel junctions at the nanoscale”, Nano Letters, 9 (2009), pp. 3539-3543;

·         Sahoo, S., Polisetty, S., Duan, C.-G., Jaswal, S.S., Tsymbal, E.Y., Binek, C., “Ferroelectric control of magnetism in BaTiO3/Fe heterostructures via interface strain coupling”, Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 76 (2008), 092108;

·         Velev, J.P., Duan, C.-G., Burton, J.D., Smogunov, A., Niranjan, M.K., Tosatti, E., Jaswal, S.S., Tsymbal, E.Y., “Magnetic tunnel junctions with ferroelectric barriers: Prediction of four resistance states from first principles”, Nano Letters 9 (2009), pp. 427-432;

·         Tsymbal, E.Y., Pettifor, D.G., “Perspectives of giant magnetoresistance”, Solid State Physics - Advances in Research and Applications, 56 (C) 2001, pp. 113-237;

·         Singamaneni, S., Bliznyuk, V.N., Binek, C., Tsymbal, E.Y., “Magnetic nanoparticles: Recent advances in synthesis, self-assembly and applications”, Journal of Materials Chemistry 21 (2001), pp. 16819-16845.