Чхоль Сон Хван (Сheol Seong Hwang)

|
Профессор, PhD
Визит-профессор МФТИ (со-руководитель Маркеев
А.М., Центр коллективного пользования)
Кафедра материаловедения
и техники, Сеульский национальный университет
|
Образование
· Магистерская
степень, Сеульский национальный университет, 1989
· Докторская степень, Сеульский
национальный университет, 1993
Научные интересы
Тонкоплёночные материалы для полупроводниковых приборов.
Профессиональный опыт
·
Полноправный член Корейской Академии Наук и Технологий, с 2015 ;
·
Передовые электронные материалы (Wiley), член Международного консультативного совета, с 2015;
·
Участник Королевского химического общества (Великобритания), с 2014;
·
Журнал химии материалов C (Королевское химическое
общество), член Международного консультативного совета, с 2014;
·
Межвузовский исследовательский центр полупроводников (Сеульский
национальный университет), руководитель исследовательского
центра, 2014-2016;
·
Научные доклады в Nature Publishing Group, помощник редактора, с 2012;
·
Инженерный колледж (Сеульский национальный университет), профессор, с 2008.
Основные публикации
·
Resistive
switching mechanism of TiO2 thin films grown by atomic-layer deposition,
Journal of Applied Physics (98) 033715, (2005);
·
Al-doped
TiO2 films with ultralow leakage currents for next generation DRAM capacitors,
Advanced Materials (20) 1429-1435, (2008);
·
Atomic
structure of conducting nanofilaments in TiO2 resistive switching memory,
Nature Nanotechnology (5) 148-153, 2010;
·
Highly
improved uniformity in the resistive switching parameters of TiO2 thin films by
inserting Ru nanodots, Advanced Materials (25), 1987-1992, (2013);
·
Ferroelectricity
and antiferroelectricity of doped thin HfO2-based films, Advanced Materials
(27) 1811-1831, (2015);
·
Giant
Negative Electrocaloric Effects of Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films, Advanced Materials,
28, 7956-7961 (2016);
·
Toward
a multifunctional monolithic device based on pyroelectricity and the
electrocaloric effect of thin antiferroelectric HfxZr1−xO2 films, Nano Energy,
12, 131-140 (2015);
·
Influences
of metal, non-metal precursors, and substrates on atomic layer deposition
processes for the growth of selected functional electronic materials,
Coordination Chemistry Review, 23-24, 257, 3154-3176 (2013);
·
Emergence
of Negative Capacitance in Multidomain Ferroelectric–Paraelectric
Nanocapacitors at Finite Bias, Advanced Materials, 2, 28, 335-340 (2015);
·
Time-Dependent
Negative Capacitance Effects in Al2O3/BaTiO3 Bilayers, Nano Letters, 16,
4375-4381 (2016).