Личный кабинет
Адрес e-mail:
Регистрация Забыли пароль?

Чхоль Сон Хван (Сheol Seong Hwang)

Печать DOC PDF
     



Профессор, PhD 

Визит-профессор МФТИ (со-руководитель Маркеев А.М., Центр коллективного пользования)


Кафедра  материаловедения и техники, Сеульский национальный университет

Образование

·       Магистерская степень, Сеульский национальный университет, 1989

·       Докторская степень, Сеульский национальный университет, 1993

Научные интересы

Тонкоплёночные материалы для полупроводниковых приборов.


Профессиональный опыт

·         Полноправный член Корейской Академии Наук и Технологий, с 2015 ;

·         Передовые электронные материалы (Wiley), член Международного консультативного совета, с 2015;

·         Участник Королевского химического общества (Великобритания), с 2014;

·         Журнал химии материалов C (Королевское химическое общество), член Международного консультативного совета, с 2014;

·         Межвузовский исследовательский центр полупроводников (Сеульский национальный университет), руководитель исследовательского центра, 2014-2016;

·         Научные доклады в Nature Publishing Group, помощник редактора, с 2012;

·         Инженерный колледж (Сеульский национальный университет), профессор, с 2008.


Основные публикации

·         Resistive switching mechanism of TiO2 thin films grown by atomic-layer deposition, Journal of Applied Physics (98) 033715, (2005);

·         Al-doped TiO2 films with ultralow leakage currents for next generation DRAM capacitors, Advanced Materials (20) 1429-1435, (2008);

·         Atomic structure of conducting nanofilaments in TiO2 resistive switching memory, Nature Nanotechnology (5) 148-153, 2010;

·         Highly improved uniformity in the resistive switching parameters of TiO2 thin films by inserting Ru nanodots, Advanced Materials (25), 1987-1992, (2013);

·         Ferroelectricity and antiferroelectricity of doped thin HfO2-based films, Advanced Materials (27) 1811-1831, (2015);

·         Giant Negative Electrocaloric Effects of Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films, Advanced Materials, 28, 7956-7961 (2016);

·         Toward a multifunctional monolithic device based on pyroelectricity and the electrocaloric effect of thin antiferroelectric HfxZr1−xO2 films, Nano Energy, 12, 131-140 (2015);

·         Influences of metal, non-metal precursors, and substrates on atomic layer deposition processes for the growth of selected functional electronic materials, Coordination Chemistry Review, 23-24, 257, 3154-3176 (2013);

·         Emergence of Negative Capacitance in Multidomain Ferroelectric–Paraelectric Nanocapacitors at Finite Bias, Advanced Materials, 2, 28, 335-340 (2015);

·         Time-Dependent Negative Capacitance Effects in Al2O3/BaTiO3 Bilayers, Nano Letters, 16, 4375-4381 (2016).


Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

МФТИ в социальных сетях