Абитуриентам
Одним из главных принципов уникальной «системы Физтеха», заложенной в основу образования в МФТИ, является тщательный отбор одаренных и склонных к творческой работе представителей молодежи. Абитуриентами Физтеха становятся самые талантливые и высокообразованные выпускники школ всей России и десятков стран мира.
Студентам
Выпускникам

Карта сайта

Личный кабинет

Сервисы IT

Тел. справочник

Поддержать МФТИ

О Физтехе
МФТИ является одним из ведущих технических вузов России. Институт по праву занимает лидирующее место по качественному приему абитуриентов и квалифицированной подготовке выпускников. Студенты и выпускники МФТИ являются представителями узкого круга лиц, которые, благодаря окружающим их возможностям междисциплинарного научного образования, могут в полной мере реализовать свой потенциал.
Образование
Уникальная «Система обучения Физтеха» является одним из лучших подходов к образованию, что доказывает ее существование почти в неизменном виде уже более 60 лет. Получение фундаментального образования в области математики и физики, предварительное знакомство с избранной специализацией наряду с приобретением навыков самостоятельной работы уже на 4м курсе обеспечивают каждого студента объемом знаний и опыта полноценного ученого. Таким образом, к окончанию обучения студенты уже имеют значительные достижения в избранном ими направлении деятельности.
Наука и инновации
Исследования в МФТИ охватывают широкий круг областей теоретической и экспериментальной физики, энергетики и биомедицины, химии и прикладной математики. Поддержка ряда государственных и частных научных и инвестиционных фондов позволяет нашим ученым каждый день вести разработки на переднем крае науки, чтобы сделать мир более совершенным, удобным и безопасным.
Новости науки

Чхоль Сон Хван (Сheol Seong Hwang)

Печать DOC PDF

Профессор, PhD

Визит-профессор МФТИ (со-руководитель Маркеев А.М., Центр коллективного пользования)

Кафедра материаловедения и техники, Сеульский национальный университет

Образование

· Магистерская степень, Сеульский национальный университет, 1989

· Докторская степень, Сеульский национальный университет, 1993

Научные интересы

Тонкоплёночные материалы для полупроводниковых приборов.

Профессиональный опыт

· Полноправный член Корейской Академии Наук и Технологий, с 2015 ;

· Передовые электронные материалы (Wiley), член Международного консультативного совета, с 2015;

· Участник Королевского химического общества (Великобритания), с 2014;

· Журнал химии материалов C (Королевское химическое общество), член Международного консультативного совета, с 2014;

· Межвузовский исследовательский центр полупроводников (Сеульский национальный университет), руководитель исследовательского центра, 2014-2016;

· Научные доклады в Nature Publishing Group, помощник редактора, с 2012;

· Инженерный колледж (Сеульский национальный университет), профессор, с 2008.

Основные публикации

· Resistive switching mechanism of TiO₂ thin films grown by atomic-layer deposition, Journal of Applied Physics (98) 033715, (2005);

· Al-doped TiO₂ films with ultralow leakage currents for next generation DRAM capacitors, Advanced Materials (20) 1429-1435, (2008);

· Atomic structure of conducting nanofilaments in TiO₂ resistive switching memory, Nature Nanotechnology (5) 148-153, 2010;

· Highly improved uniformity in the resistive switching parameters of TiO₂ thin films by inserting Ru nanodots, Advanced Materials (25), 1987-1992, (2013);

· Ferroelectricity and antiferroelectricity of doped thin HfO₂-based films, Advanced Materials (27) 1811-1831, (2015);

· Giant Negative Electrocaloric Effects of Hf_0.5Zr_0.5O₂ Thin Films, Advanced Materials, 28, 7956-7961 (2016);

· Toward a multifunctional monolithic device based on pyroelectricity and the electrocaloric effect of thin antiferroelectric Hf_xZr_1−xO₂ films, Nano Energy, 12, 131-140 (2015);

· Influences of metal, non-metal precursors, and substrates on atomic layer deposition processes for the growth of selected functional electronic materials, Coordination Chemistry Review, 23-24, 257, 3154-3176 (2013);

· Emergence of Negative Capacitance in Multidomain Ferroelectric–Paraelectric Nanocapacitors at Finite Bias, Advanced Materials, 2, 28, 335-340 (2015);

· Time-Dependent Negative Capacitance Effects in Al₂O₃/BaTiO₃ Bilayers, Nano Letters, 16, 4375-4381 (2016).