• О Физтехе
  

  МФТИ является одним из ведущих технических вузов России. Институт по праву занимает лидирующее место по качественному приему абитуриентов и квалифицированной подготовке выпускников. Студенты и выпускники МФТИ являются представителями узкого круга лиц, которые, благодаря окружающим их возможностям междисциплинарного научного образования, могут в полной мере реализовать свой потенциал.

  • Общая информация
  • Руководство
  • Физтех-школы
  • Подразделения
  • Публикации в СМИ
  • МФТИ в рейтингах
  • История Физтеха
  • Сведения об образовательной организации
  • Партнеры
  • Абитуриенту
  • Профилактика коронавируса
  • Цели устойчивого развития
  • Физтех.Оплата
• Образование
  

  Уникальная ­­«Система обучения Физтеха» является одним из лучших подходов к образованию, что доказывает ее существование почти в неизменном виде уже более 60 лет. Получение фундаментального образования в области математики и физики, предварительное знакомство с избранной специализацией наряду с приобретением навыков самостоятельной работы уже на 4м курсе обеспечивают каждого студента объемом знаний и опыта полноценного ученого. Таким образом, к окончанию обучения студенты уже имеют значительные достижения в избранном ими направлении деятельности.

  • Дистанционное обучение
  • Открытые онлайн-курсы МФТИ
  • Институтские кафедры и департаменты
  • Преподаватели
  • Базовые и факультетские кафедры
  • Абитуриентам и школьникам
  • Иностранным гражданам
  • Повышение квалификации
  • Повышение квалификации ФПМИ
  • Диссертационные советы
  • Совместные программы
  • Аспирантура
• Наука и инновации
  

  Исследования в МФТИ охватывают широкий круг областей теоретической и экспериментальной физики, энергетики и биомедицины, химии и прикладной математики. Поддержка ряда государственных и частных научных и инвестиционных фондов позволяет нашим ученым каждый день вести разработки на переднем крае науки, чтобы сделать мир более совершенным, удобным и безопасным.

  • Лаборатории и научные центры
  • Центр коллективного пользования
  • Сопровождение научной деятельности
  • Визит-профессора МФТИ
  • Проект 5—100
  • Гранты и конкурсы
  • Программы развития
  • ФИП
  • Отдел по интеллектуальной собственности
  • Научно-технический совет
  • Конференции
  • Научные журналы МФТИ
  • База научных статей
  • Результаты интеллектуальной деятельности
  • Всероссийский конкурс научно-популярной журналистики «Импульс»
  • Экспертно-консультационная поддержка по вопросам внедрения программ развития
  • Публикационная активность
• Новости науки

Чхоль Сон Хван (Сheol Seong Hwang)

Профессор, PhD  Визит-профессор МФТИ (со-руководитель Маркеев А.М., Центр коллективного пользования) Кафедра  материаловедения и техники, Сеульский национальный университет

Образование

Научные интересы

Тонкоплёночные материалы для полупроводниковых приборов.

Профессиональный опыт

·         Полноправный член Корейской Академии Наук и Технологий, с 2015 ;

·         Передовые электронные материалы (Wiley), член Международного консультативного совета, с 2015;

·         Участник Королевского химического общества (Великобритания), с 2014;

·         Журнал химии материалов C (Королевское химическое общество), член Международного консультативного совета, с 2014;

·         Межвузовский исследовательский центр полупроводников (Сеульский национальный университет), руководитель исследовательского центра, 2014-2016;

·         Научные доклады в Nature Publishing Group, помощник редактора, с 2012;

·         Инженерный колледж (Сеульский национальный университет), профессор, с 2008.

Основные публикации

·         Resistive switching mechanism of TiO₂ thin films grown by atomic-layer deposition, Journal of Applied Physics (98) 033715, (2005);

·         Al-doped TiO₂ films with ultralow leakage currents for next generation DRAM capacitors, Advanced Materials (20) 1429-1435, (2008);

·         Atomic structure of conducting nanofilaments in TiO₂ resistive switching memory, Nature Nanotechnology (5) 148-153, 2010;

·         Highly improved uniformity in the resistive switching parameters of TiO₂ thin films by inserting Ru nanodots, Advanced Materials (25), 1987-1992, (2013);

·         Ferroelectricity and antiferroelectricity of doped thin HfO₂-based films, Advanced Materials (27) 1811-1831, (2015);

·         Giant Negative Electrocaloric Effects of Hf_0.5Zr_0.5O₂ Thin Films, Advanced Materials, 28, 7956-7961 (2016);

·         Influences of metal, non-metal precursors, and substrates on atomic layer deposition processes for the growth of selected functional electronic materials, Coordination Chemistry Review, 23-24, 257, 3154-3176 (2013);

·         Emergence of Negative Capacitance in Multidomain Ferroelectric–Paraelectric Nanocapacitors at Finite Bias, Advanced Materials, 2, 28, 335-340 (2015);

·         Time-Dependent Negative Capacitance Effects in Al₂O₃/BaTiO₃ Bilayers, Nano Letters, 16, 4375-4381 (2016).