Адрес e-mail:

Алексей Груверман (Alexei Gruverman)



Профессор, доктор наук 

Визит-профессор МФТИ (со-руководитель Зенкевич А.В.,  лаборатория функциональных материалов и устройств для наноэлектроники)

Профессор, Университет Небраски-Линкольна, США

Доктор наук, Уральский государственный университет, Екатеринбург, Россия


Образование

·        Кандидат физико-математических наук, Физика твёрдого тела, Уральский государственный университет, Екатеринбург, 1990


Научные интересы

·   Сканирующая зондовая микроскопия (SPM) для наномасштабной характеристики электронных, электромеханических и механических свойств ферроидов, фотовольтаики, пьезоэлектриков, биоматериалов, нанокомпозитов и полимеров;

· Наноразмерная изменяющаяся динамика в сегнетоэлектриках и мультиферроиках и связанные с ними фотоэлектрические характеристики;

·   Технологии сбора и хранения энергии;

·   Энергонезависимая память и технологии хранения данных.


Профессиональный опыт

·         С 2014 года профессор физики Чарльза Бесси, Университет Небраски-Линкольна;

·         2011-2014 - Профессор Университета Небраски-Линкольна;

·         2007-2011 - Доцент Университета Небраски-Линкольна;

·         2000-2007 - Доцент Университета Северной Каролины;

·         1997-2000 - Учёный-исследователь компании Sony Corporation в Йокогаме, Япония;

·         1993-1997 - Исследователь, Объединенный исследовательский центр по атомным технологиям в Цукубе, Япония;

·         1983-1993 - Инженер, старший научный сотрудник Уральского государственного университета в Екатеринбурге, Россия.


Награды и достижения

·         Разработка пьезорезонансной силовой микроскопии (Piezoresponse Force Microscopy (PFM);

·         Манипуляция сегнетоэлектрическими доменами в наномасштабе;

·         Разработка подхода для тестирования динамики переключения в сегнетоэлектрических конденсаторах;

·         Демонстрация эффекта туннельного электросопротивления в сегнетоэлектриках;

·         Наноразмерная характеристика электромеханического поведения биосистем.


Основные публикации

·         Scarel, G., Bonera, E., Wiemer, C., Tallarida, G., Spiga, S., Fanciulli, M., Fedushkin, I.L., Schumann, H., Lebedinskii, Yu., Zenkevich, A., “Atomic-layer deposition of Lu2O3”, Applied Physics Letters, 85 (2004), pp. 630-632;

·         Zenkevich, A., Matveyev, Y., Maksimova, K., Gaynutdinov, R., Tolstikhina, A., Fridkin, V., “Giant bulk photovoltaic effect in thin ferroelectric BaTiO3 films”, Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 90 (2014), 161409;

·         Chernikova, A., Kozodaev, M., Markeev, A., Negrov, D., Spiridonov, M., Zarubin, S., Bak, O., Buragohain, P., Lu, H., Suvorova, E., Gruverman, A., Zenkevich, A., “Ultrathin Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Films on Si”, ACS Applied Materials and Interfaces, 8 (2016), pp. 7232-7237;

·         Zenkevich, A., Minnekaev, M., Matveyev, Y., Lebedinskii, Y., Bulakh, K., Chouprik, A., Baturin, A., Maksimova, K., Thiess, S., Drube, W., “Electronic band alignment and electron transport in Cr/BaTiO3/Pt ferroelectric tunnel junctions”, Applied Physics Letters, 102 (2013), 062907;

·         Fanciulli, M., Zenkevich, A., Wenneker, I., Svane, A., Christensen, N.E., Weyer, G., “Electric-field gradient at the Fe nucleus in ε-FeSi”, Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 54 (1996), pp. 15985-1599/;

·         Lebedinskii, Yu.Yu., Zenkevich, A., Gusev, E.P., Gribelyuk, M., “In situ investigation of growth and thermal stability of ultrathin Si layers on the HfO2/Si (100) high-κ dielectric system”, Applied Physics Letters, 86 (2005), 191904.

Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

МФТИ в социальных сетях