• О Физтехе
  

  МФТИ является одним из ведущих технических вузов России. Институт по праву занимает лидирующее место по качественному приему абитуриентов и квалифицированной подготовке выпускников. Студенты и выпускники МФТИ являются представителями узкого круга лиц, которые, благодаря окружающим их возможностям междисциплинарного научного образования, могут в полной мере реализовать свой потенциал.

  • Общая информация
  • Руководство
  • Физтех-школы
  • Подразделения
  • Публикации в СМИ
  • МФТИ в рейтингах
  • История Физтеха
  • Сведения об образовательной организации
  • Партнеры
  • Абитуриенту
  • Профилактика коронавируса
  • Цели устойчивого развития
  • Физтех.Оплата
• Образование
  

  Уникальная ­­«Система обучения Физтеха» является одним из лучших подходов к образованию, что доказывает ее существование почти в неизменном виде уже более 60 лет. Получение фундаментального образования в области математики и физики, предварительное знакомство с избранной специализацией наряду с приобретением навыков самостоятельной работы уже на 4м курсе обеспечивают каждого студента объемом знаний и опыта полноценного ученого. Таким образом, к окончанию обучения студенты уже имеют значительные достижения в избранном ими направлении деятельности.

  • Дистанционное обучение
  • Открытые онлайн-курсы МФТИ
  • Институтские кафедры и департаменты
  • Преподаватели
  • Базовые и факультетские кафедры
  • Абитуриентам и школьникам
  • Иностранным гражданам
  • Повышение квалификации
  • Повышение квалификации ФПМИ
  • Диссертационные советы
  • Совместные программы
  • Аспирантура
• Наука и инновации
  

  Исследования в МФТИ охватывают широкий круг областей теоретической и экспериментальной физики, энергетики и биомедицины, химии и прикладной математики. Поддержка ряда государственных и частных научных и инвестиционных фондов позволяет нашим ученым каждый день вести разработки на переднем крае науки, чтобы сделать мир более совершенным, удобным и безопасным.

  • Лаборатории и научные центры
  • Центр коллективного пользования
  • Сопровождение научной деятельности
  • Визит-профессора МФТИ
  • Проект 5—100
  • Гранты и конкурсы
  • Программы развития
  • ФИП
  • Отдел по интеллектуальной собственности
  • Научно-технический совет
  • Конференции
  • Научные журналы МФТИ
  • База научных статей
  • Результаты интеллектуальной деятельности
  • Всероссийский конкурс научно-популярной журналистики «Импульс»
  • Экспертно-консультационная поддержка по вопросам внедрения программ развития
  • Публикационная активность
• Новости науки

Алексей Груверман (Alexei Gruverman)

Профессор, доктор наук  Визит-профессор МФТИ (со-руководитель Зенкевич А.В.,  лаборатория функциональных материалов и устройств для наноэлектроники) Профессор, Университет Небраски-Линкольна, США Доктор наук, Уральский государственный университет, Екатеринбург, Россия

Образование

·        Кандидат физико-математических наук, Физика твёрдого тела, Уральский государственный университет, Екатеринбург, 1990

Научные интересы

·   Сканирующая зондовая микроскопия (SPM) для наномасштабной характеристики электронных, электромеханических и механических свойств ферроидов, фотовольтаики, пьезоэлектриков, биоматериалов, нанокомпозитов и полимеров;

· Наноразмерная изменяющаяся динамика в сегнетоэлектриках и мультиферроиках и связанные с ними фотоэлектрические характеристики;

·   Технологии сбора и хранения энергии;

·   Энергонезависимая память и технологии хранения данных.

Профессиональный опыт

·         С 2014 года профессор физики Чарльза Бесси, Университет Небраски-Линкольна;

·         2011-2014 - Профессор Университета Небраски-Линкольна;

·         2007-2011 - Доцент Университета Небраски-Линкольна;

·         2000-2007 - Доцент Университета Северной Каролины;

·         1997-2000 - Учёный-исследователь компании Sony Corporation в Йокогаме, Япония;

·         1993-1997 - Исследователь, Объединенный исследовательский центр по атомным технологиям в Цукубе, Япония;

·         1983-1993 - Инженер, старший научный сотрудник Уральского государственного университета в Екатеринбурге, Россия.

Награды и достижения

·         Разработка пьезорезонансной силовой микроскопии (Piezoresponse Force Microscopy (PFM);

·         Манипуляция сегнетоэлектрическими доменами в наномасштабе;

·         Разработка подхода для тестирования динамики переключения в сегнетоэлектрических конденсаторах;

·         Демонстрация эффекта туннельного электросопротивления в сегнетоэлектриках;

·         Наноразмерная характеристика электромеханического поведения биосистем.

Основные публикации

·         Scarel, G., Bonera, E., Wiemer, C., Tallarida, G., Spiga, S., Fanciulli, M., Fedushkin, I.L., Schumann, H., Lebedinskii, Yu., Zenkevich, A., “Atomic-layer deposition of Lu₂O₃”, Applied Physics Letters, 85 (2004), pp. 630-632;

·         Zenkevich, A., Matveyev, Y., Maksimova, K., Gaynutdinov, R., Tolstikhina, A., Fridkin, V., “Giant bulk photovoltaic effect in thin ferroelectric BaTiO₃ films”, Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 90 (2014), 161409;

·         Chernikova, A., Kozodaev, M., Markeev, A., Negrov, D., Spiridonov, M., Zarubin, S., Bak, O., Buragohain, P., Lu, H., Suvorova, E., Gruverman, A., Zenkevich, A., “Ultrathin Hf_0.5Zr_0.5O₂ Ferroelectric Films on Si”, ACS Applied Materials and Interfaces, 8 (2016), pp. 7232-7237;

·         Zenkevich, A., Minnekaev, M., Matveyev, Y., Lebedinskii, Y., Bulakh, K., Chouprik, A., Baturin, A., Maksimova, K., Thiess, S., Drube, W., “Electronic band alignment and electron transport in Cr/BaTiO₃/Pt ferroelectric tunnel junctions”, Applied Physics Letters, 102 (2013), 062907;

·         Fanciulli, M., Zenkevich, A., Wenneker, I., Svane, A., Christensen, N.E., Weyer, G., “Electric-field gradient at the Fe nucleus in ε-FeSi”, Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 54 (1996), pp. 15985-1599/;

·         Lebedinskii, Yu.Yu., Zenkevich, A., Gusev, E.P., Gribelyuk, M., “In situ investigation of growth and thermal stability of ultrathin Si layers on the HfO₂/Si (100) high-κ dielectric system”, Applied Physics Letters, 86 (2005), 191904.