Алексей Груверман (Alexei Gruverman)

|
Профессор, доктор наук
Визит-профессор МФТИ (со-руководитель Зенкевич А.В., лаборатория функциональных материалов и устройств для наноэлектроники)
Профессор, Университет Небраски-Линкольна, США
Доктор наук, Уральский государственный университет, Екатеринбург, Россия |
Образование
· Кандидат физико-математических наук, Физика
твёрдого тела, Уральский государственный университет, Екатеринбург, 1990
Научные интересы
· Сканирующая зондовая микроскопия (SPM) для наномасштабной характеристики электронных, электромеханических и
механических свойств ферроидов, фотовольтаики, пьезоэлектриков, биоматериалов,
нанокомпозитов и полимеров;
· Наноразмерная изменяющаяся динамика в
сегнетоэлектриках и мультиферроиках и связанные с ними фотоэлектрические характеристики;
· Технологии сбора и хранения энергии;
· Энергонезависимая память и технологии хранения данных.
Профессиональный опыт
· С 2014 года профессор физики Чарльза Бесси, Университет Небраски-Линкольна;
·
2011-2014 - Профессор Университета Небраски-Линкольна;
·
2007-2011 - Доцент Университета Небраски-Линкольна;
·
2000-2007 - Доцент Университета
Северной Каролины;
·
1997-2000 - Учёный-исследователь компании
Sony Corporation в Йокогаме, Япония;
·
1993-1997 - Исследователь, Объединенный
исследовательский центр по атомным технологиям в Цукубе, Япония;
·
1983-1993 - Инженер, старший научный сотрудник Уральского государственного
университета в Екатеринбурге, Россия.
Награды и достижения
· Разработка пьезорезонансной силовой
микроскопии (Piezoresponse Force Microscopy (PFM);
·
Манипуляция сегнетоэлектрическими
доменами в наномасштабе;
·
Разработка подхода для тестирования
динамики переключения в сегнетоэлектрических конденсаторах;
·
Демонстрация эффекта туннельного
электросопротивления в сегнетоэлектриках;
·
Наноразмерная характеристика
электромеханического поведения биосистем.
Основные публикации
· Scarel,
G., Bonera, E., Wiemer, C., Tallarida, G., Spiga, S., Fanciulli, M., Fedushkin,
I.L., Schumann, H., Lebedinskii, Yu., Zenkevich, A., “Atomic-layer deposition
of Lu2O3”, Applied Physics Letters, 85 (2004), pp.
630-632;
·
Zenkevich,
A., Matveyev, Y., Maksimova, K., Gaynutdinov, R., Tolstikhina, A., Fridkin, V.,
“Giant bulk photovoltaic effect in thin ferroelectric BaTiO3 films”,
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 90 (2014), 161409;
·
Chernikova,
A., Kozodaev, M., Markeev, A., Negrov, D., Spiridonov, M., Zarubin, S., Bak,
O., Buragohain, P., Lu, H., Suvorova, E., Gruverman, A., Zenkevich, A.,
“Ultrathin Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Films on
Si”, ACS Applied Materials and Interfaces, 8 (2016), pp. 7232-7237;
·
Zenkevich,
A., Minnekaev, M., Matveyev, Y., Lebedinskii, Y., Bulakh, K., Chouprik, A.,
Baturin, A., Maksimova, K., Thiess, S., Drube, W., “Electronic band alignment
and electron transport in Cr/BaTiO3/Pt ferroelectric tunnel
junctions”, Applied Physics Letters, 102 (2013), 062907;
·
Fanciulli,
M., Zenkevich, A., Wenneker, I., Svane, A., Christensen, N.E., Weyer, G.,
“Electric-field gradient at the Fe nucleus in ε-FeSi”,
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 54 (1996), pp.
15985-1599/;
·
Lebedinskii,
Yu.Yu., Zenkevich, A., Gusev, E.P., Gribelyuk, M., “In situ investigation of growth and thermal stability of ultrathin
Si layers on the HfO2/Si (100) high-κ
dielectric system”, Applied Physics Letters, 86 (2005), 191904.