Одним из главных принципов уникальной «системы Физтеха», заложенной в основу образования в МФТИ, является тщательный отбор одаренных и склонных к творческой работе представителей молодежи. Абитуриентами Физтеха становятся самые талантливые и высокообразованные выпускники школ всей России и десятков стран мира.
Студенческая жизнь в МФТИ насыщенна и разнообразна. Студенты активно совмещают учебную деятельность с занятиями спортом, участием в культурно-массовых мероприятиях, а также их организации. Администрация института всячески поддерживает инициативу и заботится о благополучии студентов. Так, ведется непрерывная работа по расширению студенческого городка и улучшению быта студентов.
МФТИ является одним из ведущих технических вузов России. Институт по праву занимает лидирующее место по качественному приему абитуриентов и квалифицированной подготовке выпускников. Студенты и выпускники МФТИ являются представителями узкого круга лиц, которые, благодаря окружающим их возможностям междисциплинарного научного образования, могут в полной мере реализовать свой потенциал.
Уникальная «Система обучения Физтеха» является одним из лучших подходов к образованию, что доказывает ее существование почти в неизменном виде уже более 60 лет. Получение фундаментального образования в области математики и физики, предварительное знакомство с избранной специализацией наряду с приобретением навыков самостоятельной работы уже на 4м курсе обеспечивают каждого студента объемом знаний и опыта полноценного ученого. Таким образом, к окончанию обучения студенты уже имеют значительные достижения в избранном ими направлении деятельности.
Исследования в МФТИ охватывают широкий круг областей теоретической и экспериментальной физики, энергетики и биомедицины, химии и прикладной математики. Поддержка ряда государственных и частных научных и инвестиционных фондов позволяет нашим ученым каждый день вести разработки на переднем крае науки, чтобы сделать мир более совершенным, удобным и безопасным.
26.12.2017 Прошел семинар Ирины и Александра Бобковых:
Electrically controllable spin filtering based on superconducting helical states
The surface states of the 3D TI manifest the property of the full spin-momentum locking. We demonstrate that this property leads to the giant magnetoelectric behavior of the DOS in S/TI bilayers. As a result, S/3D TI heterostructures can work as non-magnetic fully electrically controllable spin filters. We also unveil the connection between the odd-frequency pairing in S/3D TI heterostructures and magnetoelectric effects in the DOS.
18.12.2017
Принятая статья сотрудников лаборатории в журнал Applied Physics Letters была отмечена редакторами.
The influence of impurities of Fe on topological insulator Bi_2Se_3 is studied by Scanning Tunneling Microscopy. The charging of impurities by microscope tip occurs only for doublets of individual Fe defects. Impurities neighborhoods are of importance for electron scattering on the disorder in topological insulators.
10.11.2017 09 ноября в МИЭМ НИУ ВШЭ состоялся очередной семинар под руководством профессора Арутюнова К.Ю., с докладом на тему «Физика гибридных структур нормальный металл - сверхпроводник: эффект близости и эффект Джозефсона» выступил профессор университета Твенте (Энсхеде, Нидерланды) д.ф.-м.н. Александр Авраамович Голубов. семинар в МИЭМ НИУ ВШЭ
18.09.2017
Лаборатория возобновляет проведение регулярных семинаров. Актуальная информация доступна в меню "Семинары".
09.01.2017
В июле 2017 на берегу озера Байкал в поселке Листвянка состоятся международная конференция и школа молодых ученых:
6-8 июля 2017 пройдет международная конференция "Mesoscopic Structures: Fundamentals and Applications - MSFA 2017" (ознакомиться)
10-12 июля 2017 пройдет школа для молодых ученых "Superconducting Hybrid Nanostructures: physics and applications - SHN school 2017" (ознакомиться)
01.08.2016
Международная конференция и Школа молодых ученых "Сверхпроводящие гибридные наноструктуры: физика и применение".
Дата проведения: 19.09.16 - 27.09.16
Конференция охватит широкий спектр тем, посвященных наноприборам , наноструктурным материалам и гибридным структурам и проходила в Московском физико- техническом институте в городе Долгопрудный .
Научная программа стартует 19 сентября и завершится 23 сентября . Школа для молодых ученых пройдет с 24 сентября по 27 сентября .
Расписание проведения конференции 19-23 сентября 2016 года.
14.10.15
13 октября 2015 года во многих СМИ были опубликованы статья про создающие возмущения магнитные атомы в двумерном слое сверхпроводника и интервью с зам. зав. лаборатории Столяровым В.С.
Открытие было сделано совместно с физиками из Франции и опубликовано в журнале "Nature". А один из рисунков данной статьи удостоился стать обложкой декабрьского номера журнала!
Расписание проведения школы-семинара 5-7 сентября 2015 года.
С 4 по 8 сентября 2015 года для развития международной кооперации научной деятельности лаборатории топологических квантовых явлений в сверхпроводящих системах в рамках научных исследований между Министерством образования и науки РФ, МФТИ и ведущим учёным Голубовым А.А. будет проведена международная школа-семинар "Odd-frequency pairing in superconducting nanostructures".
Ответственный за организацию и проведение мероприятия - главный научный сотрудник - заведующий лабораторией топологических квантовых явлений в сверхпроводящих системах А.А. Голубов.
Состав программного комитета школы:
- Юкио Танака, профессор Университета Нагоя, г. Нагоя, Япония;
- Ясухиро Асано, профессор Университета Хоккайдо, г. Хоккайдо, Япония;
- Кейджи Яда, профессор Университета Нагоя, г. Нагоя, Япония;
- А.А. Голубов, профессор Университета Твенте, г. Энсхенде, Нидерланды, гнс-зав. лабораторией топологических квантовых явлений в сверхпроводящих системах МФТИ, Россия;
- М.Ю. Куприянов, профессор НИИЯФ МГУ, внс лаборатории топологических квантовых явлений в сверхпроводящих системах МФТИ;
- М.Р. Трунин, декан ФОПФ, внс лаборатории топологических квантовых явлений в сверхпроводящих системах МФТИ;
- В.С. Столяров, снс, зам. зав. лабораторией топологических квантовых явлений в сверхпроводящих системах МФТИ
Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.