Абитуриентам
Одним из главных принципов уникальной «системы Физтеха», заложенной в основу образования в МФТИ, является тщательный отбор одаренных и склонных к творческой работе представителей молодежи. Абитуриентами Физтеха становятся самые талантливые и высокообразованные выпускники школ всей России и десятков стран мира.
Студентам
Выпускникам

Карта сайта

Личный кабинет

Сервисы IT

Тел. справочник

Поддержать МФТИ

О Физтехе
МФТИ является одним из ведущих технических вузов России. Институт по праву занимает лидирующее место по качественному приему абитуриентов и квалифицированной подготовке выпускников. Студенты и выпускники МФТИ являются представителями узкого круга лиц, которые, благодаря окружающим их возможностям междисциплинарного научного образования, могут в полной мере реализовать свой потенциал.
Образование
Уникальная «Система обучения Физтеха» является одним из лучших подходов к образованию, что доказывает ее существование почти в неизменном виде уже более 60 лет. Получение фундаментального образования в области математики и физики, предварительное знакомство с избранной специализацией наряду с приобретением навыков самостоятельной работы уже на 4м курсе обеспечивают каждого студента объемом знаний и опыта полноценного ученого. Таким образом, к окончанию обучения студенты уже имеют значительные достижения в избранном ими направлении деятельности.
Наука и инновации
Исследования в МФТИ охватывают широкий круг областей теоретической и экспериментальной физики, энергетики и биомедицины, химии и прикладной математики. Поддержка ряда государственных и частных научных и инвестиционных фондов позволяет нашим ученым каждый день вести разработки на переднем крае науки, чтобы сделать мир более совершенным, удобным и безопасным.
Новости науки

Лаборатория оптоэлектроники двумерных материалов

Печать DOC PDF

Свинцов Дмитрий Александрович

Старший научный сотрудник - заведующий лабораторией.

Выпускник ФФКЭ МФТИ (2011)

Кандидат физико-математических наук (ФТИАН, 2012), диссертация "Кинетические явления в структурах на основе графена и его модификаций"

Научные интересы

Графен, плазмоника, полупроводниковые приборы

Основные публикации

2018

D. Svintsov "Exact solution for driven oscillations in plasmonic field-effect transistors" Physical Review Applied 10, 024037 (2018) - selected as "Editor's suggestion"

D. Svintsov "Hydrodynamic-to-ballistic crossover in Dirac materials", Physical Review B: Rapid Communications 97, 121405(R) (2018)

D.A. Bandurin, I. Gayduchencko, Y. Cao, M. Moskotin, A. Principi, G. Goltsman, G. Fedorov, D. Svintsov "Dual Origin of Room Temperature Sub-Terahertz Photoresponse in Graphene Field Effect Transistors", Applied Physics Letters 112, 141101 (2018)

G. Alymov, D. Svintsov, V. Vyurkov, V. Ryzhii, A. Satou "Auger recombination in Dirac materials: a tangle of many-body effects", Physical Review B 97, 205411 (2018)

2017
V. Enaldiev, A. Bylinkin, D. Svintsov “Plasmon-assisted resonant tunneling in graphene-based heterostructures”, Physical Review B 96, p.12543 (2017).

A. Petrov, D. Svintsov, V. Ryzhii, M. Shur "Amplified-reflection plasmon instabilities in grating-gate plasmonic crystals", Physical Review B 95, 045405 (2017).

V.Ryzhii, M.Ryzhii, D.Svintsov, V.Leiman, V.Mitin, M.S.Shur, T.Otsuji "Infrared photodetectors based on graphene van der Waals heterostructures", Infrared Physics and Technology 84, p. 72-81 (2017).

2016

A.A. Dubinov, A. Bylinkin, V.Ya. Aleshkin, V. Ryzhii, T. Otsuji, and D. Svintsov “Ultra-compactinjection terahertz laser using the resonant inter-layer radiative transitionsin multi-graphene-layer structure” Optics Express 24, pp. 29603-29612 (2016)

D. Svintsov, Zh. Devizorova, T. Otsuji, V. Ryzhii “Plasmons in tunnel-coupled graphene layers: backward waves with quantum cascade gain”, Phys. Rev. B 94, p. 115301 (2016)

G. Alymov, V. Vyurkov, V.Ryzhii, D. Svintsov “Abrupt current switching in graphene bilayer tunnel transistors enabled by van Hove singularities”, Scientific Reports 6, p. 24654 (2016)

2015

V. Ryzhii, T. Otsuji, M. Ryzhii, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, D. Svintsov, V. Mitin, M.S. Shur “Graphene vertical cascade interband terahertz and infrared photodetectors”, 2D Materials 2, 025002 (2015)

D. Svintsov, T. Otsuji, V. Mitin, M.S. Shur, V. Ryzhii “Negative terahertz conductivity in disordered graphene bilayers with population inversion”, Applied Physics Letters 106 p. 113501 (2015)

D. Svintsov, A. Arsenin, D.Yu. Fedyanin “Full loss compensation in hybrid plasmonic waveguides under electrical pumping” Optics Express 23, Iss. 15, p. 19358 (2015)

2014

D. Svintsov, V. Vyurkov, A. Orlikovsky, V. Ryzhii and T. Otsuji “All-graphene field-effect transistor based on lateral tunnelling”, Journal of Physics D: Applied Physics 47, p. 094002 (2014)

D. Svintsov, V. Ryzhii, A. Satou, T. Otsuji, V. Vyurkov “Carrier-carrier scattering and negative dynamic conductivity in pumped graphene”, Optics Express 22, Issue 17, pp. 19873-19886 (2014)

D. Svintsov, V. Leiman, V. Ryzhii, T. Otsuji, M. Shur “Graphene nanoelectromechanical resonators for detection of modulated terahertz radiation”,Journal of Physics D: Applied Physics 47, p. 505105 (2014)

D. Svintsov, V. Ryzhii, T. Otsuji “Negative dynamic Drude conductivity in pumped graphene”, Applied Physics Express 7, p. 115101(2014)

D. Svintsov, V. Vyurkov, S. Yurchenko, V. Ryzhii, T. Otsuji “Terahertz and infrared surface plasmon-polaritons in double-graphene layer structures”, Journal of Physics: Conference Series 486, 012023 (2014)

2013

D. Svintsov, V. Vyurkov, V. Ryzhii, T. Otsuji “Voltage-controlled surface plasmon-polaritons in double graphene layer structures”, Journal of Applied Physics 113, p. 053701 (2013)

V. Ryzhii, I. Semenikhin, M. Ryzhii, D. Svintsov, V. Vyurkov, A. Satou, and T. Otsuji “Double injection in graphene p-i-n structures”, Journal of Applied Physics 113, p. 244505 (2013)

D. Svintsov, V. Vyurkov, V. Lukichev, A. Orlikovsky, A. Burenkov, R. Oechsner“Tunnel Field-Effect Transistors with Graphene Channels”, Semiconductors 47, p. 279 (2013).

D. Svintsov, V. Vyurkov, V. Ryzhii, T. Otsuji “Hydrodynamic electron transport and nonlinear waves in graphene”, Physical Review B 88, p. 245444 (2013)

2012

D. Svintsov, V. Vyurkov, S. Yurchenko, V. Ryzhii, T. Otsuji "Hydrodynamic model for electron-hole plasma in graphene", Journal of Applied Physics 111, p. 083715 (2012)

2011

D. Svintsov, V. Vyurkov, V. Ryzhii, T. Otsuji "Effect of "Mexican Hat" on Graphene Bilayer Field-Effect Transistor Characteristics", Japanese Journal of Applied Physics 50, Iss. 7, p. 070112 (2011)