Адрес e-mail:

Лаборатория оптоэлектроники двумерных материалов

Петров Александр Сергеевич
Аспирант 1 года ФОПФ МФТИ

Научные интересы
Плазмоника, терагерцовые эмиттеры на основе полевых транзисторов

Статьи
A.Petrov, D.Svintsov, V.Ryzhii, M.S.Shur " Amplified-reflection plasmon instabilities in grating-gate plasmonic crystals", Physical Review B 95, 045405 (2017)
A. Petrov, D. Svintsov, M. Rudenko, V. Ryzhii, M. S. Shur "Plasma Instability of 2D Electrons in a Field Effect Transistor with a Partly Gated Channel", International Journal of High Speed Electronics and Systems 25, 1640015 (2016)

Руководство проектами
РФФИ 18-37-00206 "Токовые неустойчивости краевых плазмонов в двумерных электронных системах"

Награды и премии
Best student oral-presentation award, RJUSE-2016, Sendai, Japan;
Диплом 59 научной конференции МФТИ за победу в конкурсе научных работ молодых ученых (2016);
Стипендиат фонда Владимира Потанина (2017-2018).

Доклады на конференциях
A.S. Petrov, D.Svintsov, V.Ryzhii, M.S. Shur "Terahertz plasmon instabilities in high electron mobility transistors with grating gate", Progress in Electromagnetic Research Symposium, Saint Petersburg 2017 (oral);
А.С. Петров, Д.А. Свинцов "Гидродинамические плазменные неустойчивости в плазмонных кристаллах на основе двумерных материалов", XXI международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород 2017 (стенд);
A. Petrov, D. Svintsov and V. Ryzhii "Plasma instability of 2D electrons in a field effect transistor with a partly gated channel", 24th international symposium "Nanostructures: Physics and Technology", Saint Petersburg, 2016 (oral);
A. Petrov, D. Svintsov, M. Rudenko and V. Ryzhii "Plasma instability of 2D electrons in a field effect transistor with a partly gated channel", 5th Russia-Japan-USA-Europe symposium on fundamental and applied problems of THz devices and technologies, Sendai, Japan, 2016 (oral).


Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2020 Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)

Противодействие коррупции | Сведения о доходах

Политика обработки персональных данных МФТИ

Техподдержка сайта | API

Использование новостных материалов сайта возможно только при наличии активной ссылки на https://mipt.ru

МФТИ в социальных сетях