Адрес e-mail:

Лаборатория оптоэлектроники двумерных материалов

Афанасьев Александр Николаевич

Аспирант ФТИ им. Иоффе, инженер

Научные интересы: гетероструктуры, полуметаллы Вейля, ударная ионзация

Основные публикации

Afanasiev A.N., Greshnov A.A., Zegrya G.G. "Impact ionization rate in direct gap semiconductors" (2017) JETP Letters, 105 (9), pp. 586-590.

 

Afanasiev A.N., Greshnov A.A., Zegrya G.G. "Generation of the pure spin current via Auger recombination in Rashba quantum wells" (2015) Journal of Physics: Conference Series, 661 (1), статья № 012051, .

 

Afanasiev A.N., Greshnov A.A. "Generation of pure spin currents via Auger recombination in quantum wells with Rashba splitting" (2015) Journal of Experimental and Theoretical Physics, 121 (4), pp. 640-646.

 


Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2020 Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)

Противодействие коррупции | Сведения о доходах

Политика обработки персональных данных МФТИ

Техподдержка сайта | API

Использование новостных материалов сайта возможно только при наличии активной ссылки на https://mipt.ru

МФТИ в социальных сетях