Одним из главных принципов уникальной «системы Физтеха», заложенной в основу образования в МФТИ, является тщательный отбор одаренных и склонных к творческой работе представителей молодежи. Абитуриентами Физтеха становятся самые талантливые и высокообразованные выпускники школ всей России и десятков стран мира.

Студенческая жизнь в МФТИ насыщенна и разнообразна. Студенты активно совмещают учебную деятельность с занятиями спортом, участием в культурно-массовых мероприятиях, а также их организации. Администрация института всячески поддерживает инициативу и заботится о благополучии студентов. Так, ведется непрерывная работа по расширению студенческого городка и улучшению быта студентов.

Адрес e-mail:

Юрий Александрович Матвеев

Foto of Yury Matveyev

ORCID: 0000-0001-7661-8462

ResearcherID: E-2700-2014

Scopus Author ID: 36957066700

e-mail:matveyev.ya@mipt.ru

старший научный сотрудник лаборатории, к.ф.-м.н.

Область научных интересов: синтез новых функциональных материалов для наноэлектроники в сверхтонких слоях и исследование их химических и электрических свойств 


Образование:

Закончил кафедру лазерной физики НИЯУ МИФИ в 2008 году. Тема дипломной работы: "Исследование электронных свойств сверхтонких слоев металл/диэлектрик методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии"

В 2011 году защитил диссертацию на соискание степени кандидата физико-математических наук на кафедре физики твердого тела и наносистем НИЯУ МИФИ. Тема диссертации “Исследование электронных и электрических свойств границ раздела металл/диэлектрик (диэлектрик=HfO2, LaAlO3, Al2O3; метал=Au, Ni, Al, Fe, Gd)

Карьера:

Награды и гранты:

Публикации:

  1. Y. Matveev, R. Kirtaev, A. Fetisova, S. Zakharchenko, D. Negrov and A. Zenkevich, “Crossbar nanoscale HfO2 based electronic synapses”, Nanoscale Res. Lett., vol. 11 (2016), p. 147
  2. A. Mokhles Gerami, K. Johnston, H.P. Gunnlaugsson, K. Nomura, R. Mantovan, H. Masenda, Y.A. Matveyev, T.E. Mølholt, M. Ncube, S. Shayestehaminzadeh, I. Unzueta, H.P. Gislason, P.B. Krastev, G. Langouche, D. Naidoo, S. Olafsson, the ISOLDE collaboration, "57Fe emission Mossbauer spectroscopy following dilute implantation of 57Mn into In2O3" Hyperfine Interact 237 (2016) p. 75
  3. P.B. Krastev, H.P. Gunnlaugsson, K. Nomura, V. Adoons, A. M. Gerami, K. Johnston, M. Ncube, R. Mantovan, H. Masenda, Y.A. Matveyev, T.E. Mølholt, I. Unzueta, K. Bharuth-Ram, H. Gislason, G. Langouche, D. Naidoo, S. Ólafsson, A. Zenkevich, the ISOLDE collaboration, "57Fe Emission Mössbauer Study on Gd3Ga5O12 implanted with dilute 57Mn", Hyperfine Interact. vol. 237 (2016), p. 37
  4. A. Chernikova, M. Kozodaev, A. Markeev, Yu. Matveev, D. Negrov, O. Orlov, “Confinement-free annealing induced ferroelectricity in Hf0.5Zr0.5O2 thin films”, Microel. Eng., vol. 147 (2015), p. 15
  5. Yu. Matveyev, K. Egorov, A. Markeev and A. Zenkevich, “Resistive switching and synaptic properties of fully ALD grown TiN/HfO2/TiN devices”, J. of Appl. Phys., vol. 117 (2015), 044901
  6. K.V. Egorov, R.V. Kirtaev, Yu.Yu. Lebedinskii, A.M. Markeev, Yu.A. Matveyev, O.O. Orlov, A.V. Zablotskiy and A.V. Zenkevich “Complementary and bipolar regimes of resistive switching in fully ALD grown TiN/HfO2/TiN MIM-stacks”, Phys. Stat. Sol. A, vol. 212 (2014), p. 809-816
  7. A. Zenkevich, Yu. Matveyev, K. Maksimova, R. Gaynutdinov, A.Tolstikhina, V. Fridkin, “Giant Bulk Photovoltaic Effect in Thin Ferroelectric BaTiO3 Films”, Phys. Rev. B, vol 90 (2014), p 161409(R)
  8. Yu. Matveyev, Yu. Lebedinskii; K. Egorov, A. Zenkevich, A. Markeev, W. Drube, A. Chouprik “Resistive switching effect in HfxAl1-xOy oxide with graded Al depth profile studied by hard X-ray photoelectron spectroscopy”, Thin Solid Films, vol. 563 (2014), pp. 20-23
  9. A. Zenkevich, Yu. Matveyev, M. Minnekaev, Y. Lebedinskii, S. Thiess, W. Drube “Electronic and electrical properties of functional interfaces studied by hard X-ray photoemission”, J. Electron. Spectrosc. Relat. Phenom., vol. 190B (2013), pp. 302-308
  10. A. Zenkevich, M. Minnekaev, Yu. Matveyev, Yu. Lebedinskii, K. Bulakh, A. Chouprik, A. Baturin, S. Thiess and W. Drube, “Electronic band alignment and electron transport in Cr/BaTiO3/Pt ferroelectric tunnel junctions”, Appl. Phys Lett., vol 102 (2013), p. 062907
  11. A. Zenkevich, Yu. Matveyev, Yu. Lebedinskii, R. Mantovan, M. Fanciulli, S. Thiess, and W. Drube, “The effect of a ferromagnetic Gd marker on the effective work function of Fe in contact with Al2O3/Si”, J. Appl. Phys., vol. 111 (2012), id 07C506
  12. A. Zenkevich, R. Mantovan, M. Fanciulli, M. Minnekaev, Yu. Matveyev, Yu. Lebedinskii, S. Thiess, and W. Drube, “Fe/BaTiO3 interface: Band alignment and chemical properties”, Appl. Phys Lett., vol. 99 (2011), id 182905
  13. Yu. Matveyev, A. Zenkevich, Yu Lebedinskii, S. Thiess, W. Drube, “Effect of biasing at elevated temperature on the electronic structure of Pt/HfO2/Si stacks”, Microel. Eng., vol. 88 (2011), p. 1353.
  14. A. P. Alekhin, A. A. Chouprik, S. A. Gudkova, A. M. Markeev, Yu. Yu. Lebedinskii, Yu. A. Matveyev, and A. V. Zenkevich, «Structural and electrical properties of TixAl1−xOy thin films grown by atomic layer deposition», J. Vac. Sci. Technol. B, vol. 29 (2011), id 01A302
  15. K. Yu. Maksimova, Yu.A. Matveyev, A.V. Zenkevich, V.N. Nevolin, A.G. Novikov, P.I. Gaidyk, A.S. Orekxov, “Investigation of the nanocomposited structures SiO2:Me formed by metal segregation driven by Si oxidation front in Si:Me layers”, Perspective Materials, vol. 2 (2010), pp. 33-38
  16. A.V. Zenkevich, Yu.Yu. Lebedinskii, Y.A. Matveyev, N.C. Barantsev, Y.A. Voronov, A.V. Sogoyan, V.N. Nevolin, V.I. Chichkov, S. Spiga, M. Fanciulli “Growth and investigation of novel materials applicable in CMOS technologies of nanoelectronics”, Russian Microelectronics, vol. 39 (2010), p. 184
  17. M.A. Lapshina, D.O. Filatov, M.A. Isakov, S.V. Tixov, Y.A. Matveyev, A.V. Zenkevich “Investigation of HfO2/SiO2/n-Si(001) MOS-structure by ballistic electron emission microscopy”. J. of Surface Investigation, vol. 5 (2010), p. 57
  18. A. Zenkevich, Yu. Lebedinskii, Yu. Matveyev, S. Spiga, L. Lamagna and M. Fanciulli “Effect of heat treatments on electric dipole at metal/high-k dielectric interfaces measured by in situ XPS”. Microel. Eng., vol. 86 (2009), p. 1777
  19. Congedo G., Spiga S., Lamanga L., Lamperti A., Lebedinskii Yu., Matveyev Yu., Zenkevich A., Chernykh P., Fanciulli M. “Effect of high-temperature annealing on lanthanum aluminate thin films grown by ALD on Si(100)” Microel. Eng., vol. 86 (2009), p. 1696

Патенты:

  1. Патент №RU2540237, Зенкевич А.В., Матвеев Ю.А., “Способ формирования мемристора на основе структуры металл‑изолятор‑металл (твердотельного сплава Si:Me) и структура мемристора на основе металл-изолятор-металл (твердотельного сплава Si:Me)”
  2. Патент №RU2393587, Зенкевич А.В., Лебединский Ю.Ю., Матвеев Ю.А., Неволин В.Н. “Способ формирования полевого КМОП транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемостью и металлических затворов и структура полевого КМОП транзистора”
  3. Патент №RU2393586, Зенкевич А.В., Лебединский Ю.Ю., Матвеев Ю.А., Неволин В.Н. “Способ формирования полевого КМОП транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемостью и металлических затворов (варианты)

Общее число докладов на конференциях – 52

Представленных лично: устных – 22; постерных – 8

Представленных со-авторами: устных – 12; постерных – 10

Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2016 Московский физико-технический институт
(государственный университет)

Техподдержка сайта

МФТИ в социальных сетях

soc-vk soc-fb soc-tw soc-li soc-li
Яндекс.Метрика