Одним из главных принципов уникальной «системы Физтеха», заложенной в основу образования в МФТИ, является тщательный отбор одаренных и склонных к творческой работе представителей молодежи. Абитуриентами Физтеха становятся самые талантливые и высокообразованные выпускники школ всей России и десятков стран мира.

Студенческая жизнь в МФТИ насыщенна и разнообразна. Студенты активно совмещают учебную деятельность с занятиями спортом, участием в культурно-массовых мероприятиях, а также их организации. Администрация института всячески поддерживает инициативу и заботится о благополучии студентов. Так, ведется непрерывная работа по расширению студенческого городка и улучшению быта студентов.

Адрес e-mail:

Публикации лаборатории

2016:
  1. Anna Chernikova, Maksim Kozodaev, Andrei Markeev, Dmitrii Negrov, Maksim Spiridonov, Sergei Zarubin, Ohheum Bak, Pratyush Buragohain, Haidong Lu, Elena Suvorova, Alexei Gruverman, and Andrei Zenkevich, “Ultrathin Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Films on Si”, ACS Appl. Mater. Interfaces vol. xx (2016) p.xx, DOI: 10.1021/acsami.5b11653
  2. Yury Matveyev, Roman Kirtaev, Alena Fetisova, Sergey Zakharchenko, Dmitry Negrov and Andrey Zenkevich, “Crossbar Nanoscale HfO2-Based Electronic Synapses”, Nanoscale Research Letters vol 11 (2016) p.147, DOI: 10.1186/s11671-016-1360-6
2015:
  1. A. Chernikova, M. Kozodaev, A. Markeev, Yu. Matveev, D. Negrov, O. Orlov, “Confinement-free annealing induced ferroelectricity in Hf0.5Zr0.5O2 thin films”, Microel. Eng., vol. 147 (2015), p. 15, DOI: 10.1016/j.mee.2015.04.024
  2. V. Rylkov, A. Bugaev, O. Novodvorskii, V. Tugusheva, E. Kulatov, A. Zenkevich, A. Semisalova, S. Nikolaev, A. Vedeneev, A. Shorokhov, D.Aver’yanov, K. Chernoglazov, E. Gan’shina, N. Perov, A. Granovsky, V.Panchenko, S. Zhou, “High-temperature ferromagnetism of Si1–xMnx (x ≈ 0.5) nonstoichiometric alloys”, J. Magn. Magn. Mater., vol. 383 (2015), pp. 39-43,  DOI: 10.1016/j.jmmm.2014.09.028
  3. K.V. Egorov, R.V. Kirtaev, Yu.Yu. Lebedinskii, A.M. Markeev, Yu.A. Matveyev, O.O. Orlov, A.V. Zablotskiy and A.V. Zenkevich, “Complimentary and bipolar regimes of resistive switching in fully ALD grown TiN/HfO2/TiN MIM-stacks”, Phys. Stat. Sol. A, vol. 212 (2015), p. 809-816 DOI: 10.1002/pssa.201431674
  4. Yu. Matveyev, K. Egorov, A. Markeev and A. Zenkevich, “Resistive switching and synaptic properties of fully ALD grown TiN/HfO2/TiN devices”, J. of Appl. Phys., vol. 117 (2015), 044901 DOI: 10.1063/1.4905792
  5. A. Chernikova, A. Markeev, Yu. Lebedinskii, M. Kozodaev and A. Zablotskiy “Structural, chemical and electrical properties of ALD grown HfxAl1-x Oy thin films for MIM capacitors”, Phys. Stat. Sol. B, vol. 252 (2015), pp.701-708. DOI: 10.1002/pssb.201451449
2014:
  1. A. Zenkevich, Yu. Matveyev, K. Maksimova, R. Gaynutdinov, A. Tolstikhina, and V. Fridkin, “Giant bulk photovoltaic effect in thin ferroelectric BaTiO3 filmsPhys. Rev. B, vol. 90 (2014), 161409(R), DOI: 10.1103/PhysRevB.90.161409
  2. Yu. Matveyev, A. Markeev, Yu. Lebedinskii, A. Chouprik, K. Egorov, W. Drube, A. Zenkevich, “Resistive switching effect in HfxAl1−xOy with a graded Al depth profile studied by hard X-ray photoelectron spectroscopy”, Thin Solid Films, vol. 563 (2014), p. 20, DOI: 10.1016/j.tsf.2014.02.027
Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2016 Московский физико-технический институт
(государственный университет)

Техподдержка сайта

МФТИ в социальных сетях

soc-vk soc-fb soc-tw soc-li soc-li
Яндекс.Метрика