Одним из главных принципов уникальной «системы Физтеха», заложенной в основу образования в МФТИ, является тщательный отбор одаренных и склонных к творческой работе представителей молодежи. Абитуриентами Физтеха становятся самые талантливые и высокообразованные выпускники школ всей России и десятков стран мира.

Студенческая жизнь в МФТИ насыщенна и разнообразна. Студенты активно совмещают учебную деятельность с занятиями спортом, участием в культурно-массовых мероприятиях, а также их организации. Администрация института всячески поддерживает инициативу и заботится о благополучии студентов. Так, ведется непрерывная работа по расширению студенческого городка и улучшению быта студентов.

Адрес e-mail:

Проекты

  1. Грант РНФ №14-19-01645 "Разработка интегрированных процессов атомно-слоевого осаждения всех функциональных слоев структуры металл-изолятор-металл для устройств резистивной памяти на основе оксидов переходных металлов" 2014-2016 гг. 
  2. Грант РНФ №14-19-01698 "Создание функциональных прототипов электронных синапсов и построение на их основе модели нейроморфной вычислительной системы" 2014-2016 гг. 
  3. ПНИР ФЦПИР Соглашение №14.575.21.0027 «Разработка элементов энергонезависимой памяти топологии IT-IR на основе эффекта резистивного переключения в тонких слоях оксидов переходных металлов» (шифр заявки «2014-14-576-0053-193»), 2014-2016 гг. 
  4. Договор № 15-Н/14 от 02.04.2014 г. с ОАО «НИИМЭ и завод Микрон» о составной части ПНИР по теме: «Разработка конструктивно-технологических решений в области создания энергонезависимой памяти нового поколения типа FRAM топологии 1T-1C», 2014-2016 гг. 
  5. Договор № 18-Н/14 от 24.04.2014 г. с ОАО "НИИМЭ" о составной части ПНИР по теме: «Исследование технологии электронно-лучевой литографии и разработка вычислительной модели коррекций эффекта близости для реализации технологического уровня 32 нм», 2014-2015 гг. 
  6. Договор № 24/11 от 11.11.2014 г. с ОАО "НИИМЭ" о составной части ПНИР по теме: «Разработка конструктивно-технологических решений в области создания энергонезависимой памяти нового поколения типа FRAM топологии 1T-1C», 2014-2016 гг. 
Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2016 Московский физико-технический институт
(государственный университет)

Техподдержка сайта

МФТИ в социальных сетях

soc-vk soc-fb soc-tw soc-li soc-li
Яндекс.Метрика