Одним из главных принципов уникальной «системы Физтеха», заложенной в основу образования в МФТИ, является тщательный отбор одаренных и склонных к творческой работе представителей молодежи. Абитуриентами Физтеха становятся самые талантливые и высокообразованные выпускники школ всей России и десятков стран мира.

Студенческая жизнь в МФТИ насыщенна и разнообразна. Студенты активно совмещают учебную деятельность с занятиями спортом, участием в культурно-массовых мероприятиях, а также их организации. Администрация института всячески поддерживает инициативу и заботится о благополучии студентов. Так, ведется непрерывная работа по расширению студенческого городка и улучшению быта студентов.

Адрес e-mail:

Лаборатория функциональных материалов и устройств для наноэлектроники архитектур специальных вычислительных систем

МероприятиеСоздание новых прикладных научно-технических лабораторий и поддержка существующих лабораторий
ПроектЛаборатория функциональных материалов и устройств для наноэлектроники архитектур специальных вычислительных систем

 
Руководитель проекта
(лаборатории)

Контактное лицо
лаборатории

Зенкевич Андрей Владимирович
к.ф.-м.н.

Зенкевич Андрей Владимирович
+7-903-687-49-45
zenkevich.av@mipt.ru


Цель проекта

Повышение качества и объема НИОКР, проводимых в кампусе МФТИ, по направлениям

  • Разработка методов синтеза новых функциональных материалов в наноразмерных слоях и многослойных структурах, имеющих потенциал приложений в устройствах наноэлектроники.
  • Исследование новых физических принципов записи и хранения информации для создания устройств энергонезависимой памяти нового поколения.
  • Разработка физических основ технологий создания инновационных устройств энергонезависимой памяти на основе сверхтонких слоев новых сегнетоэлектрических материалов.
  • Создание прототипов и разработка основ промышленной технологии изготовления устройств памяти на основе обратимого резистивного переключения в наноструктурах металл-изолятор-металл.
  • Использование многоуровневого резистивного переключения в мемристорах для создания неорганических аналогов биологических синапсов. Разработка прототипов нейроморфных чипов для моделирования параллельной архитектуры вычислений в искусственных нейронных сетях.



Ключевые показатели реализации проекта (план)



201420152016
Количество заявок на патенты, не менее
Объем самостоятельно привлекаемых договоров, грантов и контрактов, млн. руб., не менее


Самостоятельно привлекаемые договоры, гранты и контракты

Разработка интегрированных процессов атомно-слоевого осаждения всех функциональных слоев структуры металл-изолятор-металл для устройств резистивной памяти на основе оксидов переходных металлов

Исследование принципов построения и конструктивных вариантов энергонезависимой памяти с ячейками на основе активных материалов


Создание функциональных прототипов электронных синапсов и построение на их основе модели нейроморфной вычислительной системы

Исследование технологии электронно-лучевой литографии и разработка вычислительной модели коррекций эффекта близости для реализации технологического уровня 32 нм
Разработка элементов энергонезависимой памяти IT-IR на основе эффекта резистивного переключения в тонких слоях оксидов переходных металлов
Разработка конструктивно-технологических решений в области создания энергозависимой памяти нового поколения типа FRAMРазработка технологии атономно-слоевого осаждения МИМ-конденсаторов на основе нанослоев многокомпонентных и многослойных диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью для высокотемпературных ИС




Публикации в журналах, индексируемых в базе данных Web of Science

Resistive switching and synaptic properties of fully atomic layer
deposition grown TiN/HfO2/TiN devices
Matveyev, Y Egorov, K Markeev, A Zenkevich, A
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Complementary and bipolar regimes of resistive switching in TiN/HfO2/TiN stacks grown by atomic-layer deposition
Egorov K.V., Kirtaev R.V., Lebedinskii Y.Y., Markeev A.M., Matveyev Y.A., Orlov O.M., Zablotskiy A.V., Zenkevich A.V.
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science








Confinement-free annealing induced ferroelectricity in Hf<inf>0.5</inf>Zr<inf>0.5</inf>O<inf>2</inf> thin films
A. Chernikova, M. Kozodaev, A. Markeev, Yu. Matveev, D. Negrov, O. Orlov
Microelectronic Engineering



2015

2014
Giant bulk photovoltaic effect in thin ferroelectric BaTiO3 films
Zenkevich, Yu. Matveyev, K. Maksimova, R. Gaynutdinov, A. Tolstikhina, and V. Fridkin
Phys. Rev. B 90, 161409(R) (2014)


Resistive switching and synaptic properties of fully ALD grown TiN/HfO2/TiN devices
Yu. Matveyev, K. Egorov, A. Markeev and A. Zenkevich
J. Appl. Phys.

High-temperature ferromagnetism of Si1–xMnx (x ≈ 0.5) nonstoichiometric alloys
V.V. Rylkov, A.S. Bugaev, O.A. Novodvorskii, V.V. Tugusheva, E.T.Kulatov, A.V. Zenkevich, A.S. Semisalova, S.N. Nikolaev, A.S. Vedeneev, A.V. Shorokhov, D.V. Aver’yanov, K.Yu. Chernoglazov, E.A. Gan’shina, N.S. Perov, A.B. Granovsky, V.Ya. Panchenko, S. Zhou
JMMM

Resistive switching effect in HfxAl1−xOy with a graded Al depth profile studied by hard X-ray photoelectron spectroscopy
Yu.А. Matveyev, A.M. Markeev, Yu.Yu. Lebedinskii, A.А. Chouprik, K.V. Egorov, W. Drube, A.V. Zenkevich
Thin Solid Films

Structural, chemical and electrical properties of ALD grown HfxAl1-x Oy thin films for MIM capacitors
A.G. Chernikova, A.M. Markeev, Yu.Yu. Lebedinskii, M.G. Kozodaev and A.V. Zablotskiy
Physica Status Solidi B : Basic Solid State Physics
Structural, chemical and electrical properties of ALD grown HfxAl1-x Oy thin films for MIM capacitors
A.G. Chernikova, A.M. Markeev, Yu.Yu. Lebedinskii, M.G. Kozodaev and A.V. Zablotskiy
Physica Status Solidi B : Basic Solid State Physics

Complimentary and bipolar regimes of resistive switching in fully ALD grown TiN/HfO2/TiN MIM-stacks
K.V. Egorov, R.V. Kirtaev, Yu.Yu. Lebedinskii, A.M. Markeev, Yu.A. Matveyev, O.O. Orlov, A.V. Zablotskiy and A.V. Zenkevich
Phys. stat. sol. A


Доклады сотрудников лаборатории на международных конференциях

 
“Fully ALD grown memristive devices”
A.M. Markeev, A.S. Baturin, E.S. Gornev, K.V. Egorov, R.V. Kirtaev, Yu.Yu. Lebedinskii, Yu.A. Matveyev, D.V. Negrov, O.O. Orlov, A.V. Zablotskiy, S.A. Zaitsev, A.V. Zenkevich
EMRS Spring Meeting,  May 26-31,  2014, Lille, France
“Atomic layer deposition of HfxZr1-x Oy and TiN thin films for ferroelectric memory applications”
A.G. Chernikova, A.M. Markeev, Yu.Yu. Lebedinskii, A.V. Zablotskiy, M.G. Kozodaev
СIMTEC 2014, June 28-30,2014, Montecatini Termo, Italy
“Resistive switching in MIM-structures based on HfxAl1-xOy and TiN both grown by ALD”
K.V. Egorov, A.M. Markeev, Yu.Yu. Lebedinskii, A.V. Zablotskiy, A.A. Kuzin
СIMTEC 2014, June 28-30, 2014, Montecatini Termo, Italy
“Study of memristive switching effects in MIM-stacks with the graded functional layer”
Yu. Matveyev, K. Egorov, A. Markeev and A. Zenkevich
СIMTEC 2014, June 28-30, 2014, Montecatini Termo, Italy

“Correlation between structural and ferroelectric properties of ALD grown HfxZr1-xOy films”
M.V. Spiridonov, A.G. Chernikova, A.M. Markeev, D.V. Negrov, Yu.Yu. Lebedinskii, M.G. Kozodaev, A.V. Zenkevich
“Piezoresponce Force Microscopy and Nanoscale Phenomena in Polar Materials” (PFM-2014), 14-19 июля 2014, Ekaterinburg, Russia

«Resistive switching and neuromorphic functionality of fully-ALD grown HfO2-based stacks»
Yu. Matveyev, K. Egorov, A. Markeev and A. Zenkevich
45th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference, Dec.9-12, 2014, San Diego, USA


Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2016 Московский физико-технический институт
(государственный университет)

Техподдержка сайта

МФТИ в социальных сетях

soc-vk soc-fb soc-tw soc-li soc-li
Яндекс.Метрика