Адрес e-mail:

Открытая лекция на тему «Новая электроника на 2-D халькогенидных полупроводниках»

16 января в 13:00 в ауд.112 БК состоится доклад Дмитрия Овчинникова (EPFL, Лозаннна, Щвейцария) на тему: «Влияние электростатического беспорядка и структурных дефектов на электрические свойства монослоев двухмерных полупроводников».

АбстрактДвухмерные материалы, в частности полупроводники, такие как монослои MoS2 и WSe2, являются интересными материалами для применения в оптоэлектронике, гибкой электронике и спинтронике. В докладе я расскажу о росте и характеризации эпитаксиальных монослоев MoS2 методом химического осаждения из газовой фазы.1,2 Также  речь пойдёт о влиянии электростатического беспорядка на свойства такого малоизученного материала, как моно- и мультислои ReS2.3 Также будет затронута тема амбиполярного перехода металл-диэлектрике в монослоях WSe2 и MoSe2.
Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

МФТИ в социальных сетях

soc-vk soc-fb soc-tw soc-li soc-li soc-yt
Яндекс.Метрика