Адрес e-mail:
Прошедшие события
Александр Львовский: «Квантовая революция как мировой технологический тренд»
Выпускной МФТИ 2020: онлайн-формат не отменяет праздник
Директор ФИАН Николай Колачевский: «Наука и технологии: путь в лидерство»
Онлайн-презентация кафедры космической физики ЛФИ
Сессия вопросов-ответов с биоинформатиком Антоном Буздиным
Презентация магистерской программы «Физика сверхпроводимости и квантовых материалов»
Презентация магистерской программы «Двумерные материалы: физика и технология наноструктур»
Презентация магистерской программы «Цифровые технологии в бизнесе»
Денис Дмитриев: «Особенности поступления и ответы на вопросы. Приемная кампания — 2020»
Всероссийский онлайн-выпускной
Онлайн-презентация кафедры интегрированных киберсистем ФРТК
Сессия вопросов-ответов с Михаилом Щелкановым
Круглый стол: «Тенденции рынка труда во время всеобщей самоизоляции»
Онлайн-марафон #надоразобраться
Максим Поташев: «Бридж – самый популярный в мире интеллектуальный вид спорта»
Сергей Иванов: «Человек в центре бизнеса: конкурентное преимущество или корпоративные сказки?»
Семинар: «Выбор обратной связи в системах управления как задача оптимизации»
Константин Виноградов: «Как работают венчурные фонды и почему стоит строить глобальный бизнес с первого дня»
Интеллектуальная игра Genium Challenge с Максимом Поташёвым
Цифровая ярмарка вакансий МФТИ

Открытая лекция на тему «Новая электроника на 2-D халькогенидных полупроводниках»

опубликовано: 13.01.2017
Открытая лекция на тему «Новая электроника на 2-D халькогенидных полупроводниках»
16 января в 13:00 в ауд.112 БК состоится доклад Дмитрия Овчинникова (EPFL, Лозаннна, Щвейцария) на тему: «Влияние электростатического беспорядка и структурных дефектов на электрические свойства монослоев двухмерных полупроводников».

Абстракт: Двухмерные материалы, в частности полупроводники, такие как монослои MoS2 и WSe2, являются интересными материалами для применения в оптоэлектронике, гибкой электронике и спинтронике. В докладе я расскажу о росте и характеризации эпитаксиальных монослоев MoS2 методом химического осаждения из газовой фазы.1,2 Также  речь пойдёт о влиянии электростатического беспорядка на свойства такого малоизученного материала, как моно- и мультислои ReS2.3 Также будет затронута тема амбиполярного перехода металл-диэлектрике в монослоях WSe2 и MoSe2.
Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2020 Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)

Противодействие коррупции | Сведения о доходах

Политика обработки персональных данных МФТИ

Техподдержка сайта | API

Использование новостных материалов сайта возможно только при наличии активной ссылки на https://mipt.ru

МФТИ в социальных сетях