Адрес e-mail:
Прошедшие события
Общефизический научный семинар пройдет 9 декабря
Лекция о моделировании заболеваний ЦНС на рыбках данио-рерио
Панельная онлайн-дискуссия на тему «Новая волна. Акселерация будущего»
Онлайн-собрание ректората и студенческого актива института
AI 2020: технологии, рынок и управление продуктами
Родительское собрание в МФТИ
Летняя онлайн-школа «Всероссийский навигатор абитуриентов МФТИ»
Фазли Атауллаханов: «Физика свертывания крови и COVID-19»
Юрий Яровиков: «Какая математика нужна в анализе данных?»
Михаил Бурцев — об экспериментах с Memory Transformer
Даниил Поляков: «Мощь Python на все случаи жизни»
Презентация магистерской программы «Биоинформатика» ФБМФ и Napoleon IT
Александр Львовский: «Квантовая революция как мировой технологический тренд»
Выпускной МФТИ 2020: онлайн-формат не отменяет праздник
Директор ФИАН Николай Колачевский: «Наука и технологии: путь в лидерство»
Онлайн-презентация кафедры космической физики ЛФИ
Сессия вопросов-ответов с биоинформатиком Антоном Буздиным
Презентация магистерской программы «Физика сверхпроводимости и квантовых материалов»
Презентация магистерской программы «Двумерные материалы: физика и технология наноструктур»
Презентация магистерской программы «Цифровые технологии в бизнесе»

Общефизический научный семинар пройдет 9 декабря

опубликовано: 01.12.2020
Общефизический научный семинар пройдет 9 декабря

9 декабря в 17:00 состоится очередной общефизический научный семинар по теме «Нелокальная терагерцовая фотопроводимость в гетероструктурах на основе топологической фазы Hg1-xCdxTe».

Докладчик — Дмитрий Хохлов, д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН, профессор МГУ, заведующий кафедрой общей физики и физики конденсированного состояния МГУ. Семинар пройдет онлайн на платформе Zoom.

В докладе представлены результаты по нелокальной терагерцовой фотопроводимости в толстых эпитаксиальных пленках Hg1-xCdxTe с инвертированным энергетическим спектром. В работе прямо продемонстрировано существование нелокальной компоненты терагерцового фотоответа в толстых эпитаксиальных пленках Hg1-xCdxTe в магнитном поле. Знак нелокального фотоответа зависит от положения потенциального зонда и направления магнитного поля, что указывает на киральность индуцированного неравновесного транспорта. Наблюдаемые нетривиальные особенности фототранспорта можно интерпретировать как проявление образования концевого кирального краевого проводящего канала в топологической фазе сплавов Hg1-xCdxTe. Результаты обсуждаются в терминах качественной модели, которая учитывает сосуществование объемного транспортного и граничного проводящих каналов.



Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2021 Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)

Противодействие коррупции | Сведения о доходах

Политика обработки персональных данных МФТИ

Техподдержка сайта | API

Использование новостных материалов сайта возможно только при наличии активной ссылки на https://mipt.ru

МФТИ в социальных сетях