E-mail address:

Dmitry A. Svintsov

Dmitry A. Svintsov 

Кандидат физ.-мат. наук, 2012, ФТИАН. Свинцов Дмитрий

Научный сотрудник, Лаборатория нанооптики и плазмоники (Междисциплинарный центр фундаментальных исследований).

Комната 115 (главный корпус) Московский физико-технический институт (государственный университет)

Институтский пер.9, Долгопрудный, 141707, Россия  


Рабочий телефон: 
e-mail: svintcov.da@mipt.ru


Основные публикации:

  1. D. Svintsov, V. Vyurkov, A. Orlikovsky, V. Ryzhii, T. Otsuji, All-graphene field-effect transistor based on lateral tunnelling // Journal of Physics D: Applied Physics 47, 094002 (2014).

  2. D. Svintsov, V. Ryzhii, A. Satou, T. Otsuji, V. Vyurkov, Carrier-carrier scattering and negative dynamic conductivity in pumped graphene // Optics Express, 22, 19873-19886 (2014).

  3. D. Svintsov, V. Vyurkov, V. Ryzhii, T. Otsuji, Voltage-controlled surface plasmon-polaritons in double graphene layer // Journal of Applied Physics 113, 053701 (2013).

  4. V. Ryzhii, I. Semenikhin, M. Ryzhii, D. Svintsov, V. Vyurkov, A. Satou, T. Otsuji, Double injection in graphene pin structures // Journal of Applied Physics 113, 244505 (2013).

  5. D. Svintsov, V. Vyurkov, V. Ryzhii, T. Otsuji, Hydrodynamic electron transport and nonlinear waves in graphene // Physical Review B 88, 245444 (2013).

  6. D.A. Svintsov, V.V. Vyurkov, V.F. Lukichev, A.A. Orlikovsky, A. Burenkov, R. Oechsner, Tunnel field-effect transistors with graphene channels // Semiconductors 47, 279-284 (2013).

  7. D. Svintsov, V. Vyurkov, S. Yurchenko, T. Otsuji, V. Ryzhii, Hydrodynamic model for electron-hole plasma in graphene // Journal of Applied Physics 111, 083715 (2012).

  8. D. Svintsov, V. Vyurkov, V. Ryzhii, T. Otsuji, Effect of “Mexican Hat” on Graphene Bilayer Field-Effect Transistor Characteristics // Japanese Journal of Applied Physics 50, 070112 (2011).

If you noticed a typo select it and press Ctrl+Enter.

MIPT in social networks

soc-fb soc-tw soc-li soc-li
Яндекс.Метрика