Адрес e-mail:

Состав диссертационного совета (соискатель Тарелкин С.А.)

1. Горнев Евгений Сергеевич- председатель диссертационного совета

Основное место работы: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники"»

Должность: Заместитель руководителя приоритетного технологического направления по электронным технологиям - начальник управления ПТНЭТ

Ученая степень: доктор технических наук

Ученое звание: профессор

Публикации по специальности диссертации:

1. G.S. Teplov, E.S. Gornev, Multilevel Bipolar Memristor Model Considering Deviations of Switching Parameters in the Verilog-A Language, Russ Microelectron. 48 (2019) 131–142. doi:10.1134/S1063739719030107.

2. A. Rezvanov, E.S. Gornev, J.-F. de Marneffe, S. Armini, Area selective grafting of siloxane molecules on low-k dielectric with respect to copper surface, Applied Surface Science. 476 (2019) 317–324. doi:10.1016/j.apsusc.2019.01.088.

3. В.П. Бокарев, Г.Я. Красников, Е.С. Горнев, Анизотропия поверхностных свойств кристаллов и ее роль в технологии микроэлектроники, Наноиндустрия. (2019) 175–179. doi:10.22184/NanoRus. 2019.12.89.175.179.

4. A.A. Rezvanov, I.V. Matyushkin, O.P. Gushchin, E.S. Gornev, Modeling the Dynamics of the Integral Dielectric Permittivity of a Porous Low-K Organosilicate Film during the Dry Etching of a Photoresist in O2 Plasma, Russ Microelectron. 47 (2018) 415–426. doi:10.1134/S1063739718060057.

5. A. Zotovich, A. Rezvanov, R. Chanson, L. Zhang, N. Hacker, K. Kurchikov, S. Klimin, S.M. Zyryanov, D. Lopaev, E. Gornev, I. Clemente, A. Miakonkikh, K. Maslakov, Low-k protection from F radicals and VUV photons using a multilayer pore grafting approach, J. Phys. D: Appl. Phys. 51 (2018) 325202. doi:10.1088/1361-6463/aad06d.

6. A.V. Novikov, A.E. Egorchikov, A.N. Dolgov, E.S. Gornev, V.G. Popov, I.V. Egorov, V.G. Krishtop, The planar silicon-based microelectronic technology for electrochemical transducers, in: V.F. Lukichev, K.V. Rudenko (Eds.), Zvenigorod, Russian Federation, 2016: p. 102241J. doi:10.1117/12.2267095.

7. K. Yafarov, E.S. Gornev, S.N. Orlov, S.P. Timoshenkov, V.P. Timoshenkov, A.S. Timoshenkov, Formation of field-emission emitters by microwave plasma-chemical synthesis of nanocarbon structures, Semiconductors. 50 (2016) 1726–1728. doi:10.1134/S106378261613011X.

8. D.V. Negrov, R.V. Kirtaev, I.V. Kiseleva, E.V. Kondratyuk, A.V. Shadrin, A.V. Zenkevich, O.M. Orlov, E.S. Gornev, G.Ya. Krasnikov, Integration of functional elements of resistive nonvolative memory with 1T-1R topology, Russ Microelectron. 45 (2016) 383–395. doi:10.1134/S1063739716060056.

9. O.M. Orlov, A.M. Markeev, A.V. Zenkevich, A.G. Chernikova, M.V. Spiridonov, R.A. Izmaylov, E.S. Gornev, Investigation of the properties and manufacturing features of nonvolatile FRAM memory based on atomic layer deposition, Russ Microelectron. 45 (2016) 262–269. doi:10.1134/S1063739716040077.

10. O.M. Orlov, E.S. Gornev, A.V. Shadrin, S.A. Zaitsev, S.A. Morozov, A.V. Zablotskii, Resistive switching in TiN/Hf x Al1 − x O y /HfO2/TiN and TiN/HfO2/Ti/TiN structures, Russ Microelectron. 43 (2014) 328–332. doi:10.1134/S1063739714050059.

11. O.M. Orlov, A.A. Chuprik, A.S. Baturin, E.S. Gornev, K.V. Bulakh, K.V. Egorov, A.A. Kuzin, D.V. Negrov, S.A. Zaitsev, A.M. Markeev, Yu.Yu. Lebedinskii, A.V. Zablotskii, Nonvolatile memory cells based on the effect of resistive switching in depth-graded ternary Hf x Al1 − x O y oxide films, Russ Microelectron. 43 (2014) 239–245. doi:10.1134/S1063739714040088.

 

2. Белоусов Юрий Михайлович - заместитель председателя диссертационного совета

Основное место работы: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)"

Должность: заведующий кафедрой теоретической физики МФТИ

Ученая степень: доктор физико-математических наук

Ученое звание: профессор

Публикации по специальности диссертации:

1. Grimaudo, R., Belousov, Y., Nakazato, H., Messina, A., 2018. Time evolution of a pair of distinguishable interacting spins subjected to controllable and noisy magnetic fields. Annals of Physics 392, 242–259. https://doi.org/10.1016/j.aop.2018.03.012

2. Belousov, Chernousov, Soloviev, Varfolomeev, 2014. Kinetic equation method and Monte Carlo method for charge carriers’ dynamics description in diamond, in: Proceedings of 2nd International Conference on Photonics, Optics and Laser Technology, SCITEPRESS, pp. 122–126.

3. Belousov, Y., 2017. Evolution in Time of Radiation Defects Induced by Negative Pions and Muons in Crystals with a Diamond Structure. Crystals 7, 174. https://doi.org/10.3390/cryst7060174

4. Belousov, Y.M., 2014. Process of an acceptor center μ B − formation in diamond crystals. J. Phys.: Conf. Ser. 551, 012047. https://doi.org/10.1088/1742-6596/551/1/012047

5. Belousov, Yu.M., 2016. Process of negative-muon-induced formation of an ionized acceptor center (μA)– in crystals with the diamond structure. J. Exp. Theor. Phys. 123, 1008–1016. https://doi.org/10.1134/S106377611613001X

6. Belousov, Yu.M., Gorelkin, V.N., Chernousov, I.V., 2018. On Mobility of Definite Energy Charge Carriers. Semiconductors 52, 24–30. https://doi.org/10.1134/S1063782618010049

7. Belousov, Yu.M., Soloviev, V.R., Chernousov, I.V., 2013. Quasi-elastic and inelastic approximations in the description of the charge carrier dynamics in diamond. Semiconductors 47, 1604–1609. https://doi.org/10.1134/S1063782613120026

8. Belousov, Yu.M., Sukhanov, L.P., 2015. Formation of chemically bound positively charged radiation defect induced by negative muon in diamond crystals. Diamond and Related Materials 58, 10–15. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2015.05.002

 

3. Вихарев Анатолий Леонтьевич

Основное место работы: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук

Должность: заведующий отделом

Ученая степень: доктор физико-математических наук

Ученое звание: старший научный сотрудник

Публикации по специальности диссертации:

1. Bogdanov, S. А., Gorbachev А.М., Radishev D.B., Vikharev A.L., Lobaev М.А., Gusev S.A., Tatarsky D.A., Bolshedvorskii S.V., Akimov A.V., Chemov V.V., 2019. Creation of Localized NV Center Ensembles in CVD Diamond Ьу Electron Beam lпadiation. Tech. Phys. Lett. 45, 281- 284. https://doi.org/10.1134/S1063785019030222

2. Lobaev, М.А. Gorbachev А.М., Vikharev A.L., et. al. 2019. Мisorientation Angle Dependence of Boron lncorporation into CVD Diamond Delta Layers. Phys. Status Solidi В 1800606. https://doi.org/10.1002/pssb.201809606

3. Bogdanov S.A., Gorbachev А.М., Vikharev A.L., Radishev D.B., Lobaev М.А., 2019. Study

of microwave discharge at high power density conditions in diamond chemical vapor deposition reactor Ьу optical emission spectroscopy. Diamond and Related Materials 97, 107407. doi.org/10.1016/j.diamond.2019.04.030

4. Vikharev, A.L., Gorbachev, А.М., Lobaev, М.А., Radishev, D.B., 2018. Multimode cavity type МРACVD reactor for large area diamond film deposition. Diamond and Related Materials 83, 8- 14. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2018.01.011

5. Bogdanov S.A., Vikharev A.L., Drozdov M.N., Radishev D.B., 2017. Synthesis ofthick and high-quality homoepitaxial diamond with high boron doping level: Oxygen effect. Diamond and Related Materials 74, 59-64. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2017.02.004

6. Butler J.E., Vikharev А., Gorbachev А., et. al. 2017. Nanometric diamond delta doping with boron. Phys. Status Solidi RRL 11, 1600329. https://doi.org/10.1002/pssr.201600329

7. Surovegina, Е.А., Demidov, E.V., Drozdov,'M.N., Murel, A.V., Кhrykin, O.I., Shashkin, V.I., Lobaev, М.А., Gorbachev, А.М., Viharev, et.al., 2016. Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron. Semiconductors 50, 1569-1573. doi.org/10.l 134/S1063782616120204(РИНЦ, Scopus)

8. Muchnikov А.В., Radishev D.B., Vikharev A.L., et. al, 2016. Characterizationof interfaces in mosaic CVD diamond crystal. Journal of Crystal Growth 442, 62-67. doi.org/10.101/6j.jcrysgro.2016.02.026(РИНЦ, Scopus)

9. Zubkov, V.I., Kucherova, O.V., Bogdanov, S.A., Zubkova, A.V., Butler, J.E., Ilyin, V.A., Afanas' ev, A.V., Vikharev, A.L., 2015. Temperature admittance spectroscopy ofboron doped chemical vapor deposition diamond. Journal of Applied Physics 118, 145703. doi.org/10.1063/1.4932664 (РИНЦ, Scopus)

 

4. Родионов Николай Борисович

Основное место работы: АО «ГНЦ РФ Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований»

Должность: начальник лаборатории

Ученая степень: доктор физико-математических наук

Ученое звание: старший научный сотрудник

Публикации по специальности диссертации:

1.         Amosov Y.N., Babichev Y.N., Dyatko N.A., Meshchaninov S.A., Pal' A.F., Rodionov N.B., RyaЬinkin A.N., Starostin A.N., Filippov А.У., 2018. Experimental Simulation of а Diamoпd Betavoltaic Battery. Tech. Phys. Lett. 44, 697- 699.

doi: 10.1134/S1063785018080023

2.         Artemev К.К., Rodioпov N.B., Aшosov Y.N., Кrasilnikov У.А., Meschaninov S.A., Rodionova У.Р., Kedrov l.Y., Kuzmin Е.О., Petrov S.Ya., 2019. Development of а Diamond Detector for the IТER Diaшond Neutral-Particle Spectrometer. Instrum Ехр Tech 62, 360- 365, doi: 10.1134/S00204412l9020167

3.         Radishev D.В., Yikharev A.L., Oorbachev А.М., Muchnikov А.В., Yunin Р.А., Amosov Y.N., Rodionov N.B., 2017. Study of gтown single crystal diamond Ьу optical and X-ray spectroscopy. EPJ Web Conf. 149, 02029, doi: 10.1051/epjconf/201714902029

4.         Rodionov N.B., Amosov Y.N., Artem'ev К.К., Meshchaninov S.A., Rodionova У.Р., Кhшel'nitskii R.A., Dravin У.А., Bol'shakov А.Р., Ral'chenko У.О., 2016. Detector for Selective Detection of Particles and Ions Based on an Epitaxial Layer of Synthetic Diamoпd. Atomic Energy 121, 127-134, doi: 10.1007/sl0512-016-0l72-l

5.         Rodionov N.B., Amosov Y.N., Meshchaninov S.A., Pal A.F., Rodionova У.Р., Trapeznikov А.О., 2016. А diamond-based photovoltaic cell. Instium Ехр Tech 59, 698- 702, doi: 10.l 134/S0020441216040114

6.         Rodionov N.B., Pal' A.F., Bol'shakov А.Р., Ral'chenko У.О., Кhшel'nitskiy R.A., Dravin У.А., Malykhin S.A., Altukl10v l.Y., Kagan M.S., Paprotskiy S.K., 2018. Diamond Diode Structшes Based on Homoepitaxial Films. J. Commun. Technol. Electioп. 63, 828- 834, doi: 10.1134/Sl064226918070148

7.         В.И. Зайцев, И.А. Барыков, А.В. Карташев, О.В. Терентьев, Н.Б. Родионов. "Радиационноиндуцированный гальванический эффект, наблюдаемый в интерфейсе металл-диэлектрик".    Письма    в    ЖТФ,    том    42,    вьm.22,    с.72-78    (2016), doi: 10.1134/S1063785016110225

8.         N.B. Rodionov, Y.N. Amosov, S. А. Meshchaniпov, A.F. Pal, А.О. Tiapeznikov, 2015. Diamond Photovoltaic Cell Development. Journal of Clean Energy Techпologies У 4 issue 4 Р. 241-244, doi: 10.7763/jocet.2016.v4.289

9.         N.B. Rodionov, У. N. Amosov, S. А. MesЬchaninov, A.F. Pal, R. N. Rodionov, А. О. Trapeznikov. Convertor of Ionizing Radiation into Electi-ic Power Based on the Synthetic Diamond. Intemational Joшnal of Cii-cuits, Systems and Signal Processing, У9, 2015, рр.435-439. http://naun.org/cms.action?id=l0196

5. Синченко Александр Андреевич

Основное место работы: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова»

Должность: ведущий научный сотрудник

Ученая степень: доктор физико-математических наук

Ученое звание: старший научный сотрудник

Публикации по специальности диссертации:

1. A.V. Frolov, А.Р. Orlov, А.А. Sinchenko, Р. Monceau, Features of Pinning of а Charge­ Density Wave in Quasi-Two-Dimensional Compounds, JETP Letters. 109 (2019) 203-206. doi:10.l 134/S002136401903010X.

2. А.А. Sinchenko, P.D. Grigoriev, Р. Lejay , Р. Monceau, Linear magnetoresistance in the charge density wave state of quasi-two-dimensional rare-earth tritellurides, Physical Review В. 96 (2017). doi:10.1 103 /PhysRevB.96.245129.

3. А.Р. Orlov, А.А. Sinchenko, Р. Monceau, S. Brazovskii, У.1. Latyshev , Hall voltage drives pulsing counter-currents of the sliding charge density wave and of quantized normal carriers at self-filled Landau \evels , Npj Quantum Materials. 2 (2017). doi:10.1038 /s41535-017- 0070-3.

4. P.D. Grigoriev, А.А. Sinchenko, К.К. Kesharpu, А. Shakin, T.I. Mogilyuk, А.Р. Orlov,

A.V. Frolov, D.S. Lyubshin, D.A. Chareev, O.S. Volkova, A.N. Vasiliev, Anisotropic effect of appearing superconductivity оп the e\ectron transport in FeSe, JETP Letters. 105 (2017) 786- 791. doi:10.1134/S0021364017120074.

5. А.А. Sinchenko, P.D. Grigoriev, А.Р. Orlov, A.V. Frolov, А. Shakin, D.A. Chareev, O.S. Volkova , A.N. Vasiliev , Gossamer high-temperature bulk superconductivity in FeSe, Physical Review В. 95 (2017). doi:10 .1103/PhysRevB.95.165120.

6. А.А. Sinchenko, P.D. Grigoriev, Р. Monceau, Р. Lejay, V.N. Zverev, Slow Oscillations of In-plane Magnetoresistance in Strongly Anisotropic Quasi-Two-Dimensional Rare-Earth Tritellurides , Journal of Low Temperature Physics. 185 (2016) 657-664. doi:10.1007/s10909-016-1604-у.

7. А.А. Sinchenko , Р. Lejay , О. Leynaud, Р. Monceau, Dynamical properties of Ыdirectional charge-density waves in ErTe 3, Physical Review В. 93 (2016). doi:10.1103/PhysRevB.93.2351 41 .

8. А. Sinchenko, P.D. Grigoriev, Р. Lejay, О. Leynaud, Р. Monceau , Anisotropy of conductivity in rare-earth tritellurides in the static and sliding states of the CDW, Physica В: Condensed Matter. 460 (2015) 21-25. doi:1 0.1016/j.physb.2014.11.032.


6. Чучева Галина Викторовна

Основное место работы: Фрязинский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук

Должность: Заместитель директора по научной работе

Ученая степень: доктор физико-математических наук

Ученое звание: профессор РАН

Публикации по специальности диссертации:

1. Gulyaev, Yu.V., Mityagin, A.Yu., Chucheva et al., А.Е., 2014. FET on hydrogenated diamond surface. J. Commun. Technol. Electron. 59, 282-287. https://doi.org/10.1134/S1064226914030061

2. Garber, G.Z., Dorofeev, А.А., Zubkov, А.М., Kolkovskii, Yu.V., Kontsevoi, Yu.A., ZyaЬlyuk, К. N., Mityagin, A.Yu., Talipov, N.Кh., Chucheva, G.V., 2014. ProЫem of fabrication of diamond-based high-power microwave FETs. J. Commun. Technol. Electron. 59, 379-383. https://doi.org/10.l134/S106422691403005X

3. Gulyaev, Yu.V., Chucheva, G.V., Nablev et al., 2016. А single-element diamond-based photodetector for UV spectrophotometry. J. Commun. Technol. Electron. 61, 449-452. https://doi.org/10.l 134/S1064226916040069

4. Goldman, Е.1., Levashov, S.A., Naryshkina, V.G., Chucheva, G.V., 2017. Generation of surface electron states with а silicon- ultrathin-oxide interface under the field-induced damage of metal-oxide-semiconductor structures. Semiconductors 51, 1136- 1140. https://doi.org/10.1134/S1063782617090111

5. Afanasyev, М., Nablev, А., Chucheva, G., Guseinov, D., 2018. Acquiring MIS Structures Based on Ba0.8Sr0.2TiO3 Feпoelectric Films and their Properties. КЕМ 781, 20-24. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/КEM.781.20

6. Goldman, Е.1., Nablev, А., Naryshkina, V.G., Chucheva, G.V., 2019. On the Nature of the Increase in the Electron Mobllity in the Inversion Channel at the Silicon- Oxide Interface after the Field Effect. Semiconductors 53, 85- 88. doi:10.l 134/S1063782619010093

7. Goldman, Е.1., Kuharskaya, N.F., Levashov, S.A., Chucheva, G.V., 2019. Determination of the Parameters of Metal- Insulator- Semiconductor Structures with Ultrathin Insulating Layer from High-Frequency Capacitance-Voltage Measurements. Semiconductors 53, 42- 45. https://doi.org/10.l134/S1063782619010081

8. Goldman, Е.1., Levashov, S.A., Chucheva, G.V., 2019. Features of the Characteristics of Field-Resistant Silicon- Ultrathin Oxide- Polysilicon Structures. Semiconductors 53, 465- 468. 11ttps://doi.org/10.l134/Sl 063782619040109

9. Хмельницкий Р.А., Н.Х. Талипов, Г.В. Чучева, 2017. Синтетический алмаз для электроники и оптики. М.:издательство ИКАР, 228 стр., ISBN 978-5-7974-0558-О. Тираж 500 экз.

 

Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2021 Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)

Противодействие коррупции | Сведения о доходах

Политика обработки персональных данных МФТИ

Техподдержка сайта | API

Использование новостных материалов сайта возможно только при наличии активной ссылки на https://mipt.ru

МФТИ в социальных сетях