Адрес e-mail:

Егоров Константин Викторович

Резистивное переключение в структурах металл-изолятор на основе оксида гафния и оксида тантала, формируемых атомно-слоевым осаждением

Специальность: 01.04.04 – Физическая электроника
Ученая степень: кандидат физико-математических наук

Диссертация опубликована 18 ноября 2019 г. (отчет о проверке на текстовые заимствования)
Автореферат опубликован 18 ноября 2019 г. 
Отзыв научного руководителя Маркеева Андрея Михайловича, кандидата физико-математических наук, ведущего научного сотрудника центра коллективного пользования уникальным научным оборудованием в области нанотехнологий федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)»


Заключение организации, где проводилась апробация федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)»
Отзыв 1 Иванова Андрея Анатольевича, к.ф-м.н., доцента федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ» 
Отзыв 2 Исламова Дамира Ревинировича, к.ф.-м.н., старшего научного сотрудника Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Протокол о приеме к защите

Протокол голосования Экспертного совета по физико-математических наукам Аттестационной комиссии МФТИ № ФМ-2019/24 от 13 ноября 2019 г.

Сведения о ведущей организации

федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ»

Отзыв ведущей
организации
федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ»
Отзыв 1 Шешин Евгений Павлович – председатель диссертационного совета, доктор физико-математических наук, профессор, зам. зав. кафедрой Вакуумной электроники федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)»
Отзыв 2 Максимычев Александр Витальевич, доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой Общей физики федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)»
Отзыв 3 Яковлев Виктор Борисович, доктор физико-математических наук, профессор, главный научный сотрудник, начальник отдела Федерального государственного бюджетного учреждения науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук
Отзыв 4 Ильичёв Эдуард Анатольевич, доктор физико-математических наук, старший научный сотрудник, профессор кафедры "Квантовая физика и наноэлектроника" Федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
Отзыв 5 Руденко Константин Васильевич, доктор физико-математических наук, доцент, заместитель директора по научной работе Федерального государственного бюджетного учреждения науки «Физико-технологический институт имени К.А. Валиева" Российской академии наук
Отзыв 6 Бугаев Александр Степанович, доктор физико-математических наук, академик РАН, профессор, зав. кафедрой Вакуумной электроники федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)»
 Отзывы на автореферат
Отзыв 1
Отзыв 2

Отзыв 3
Заключение Заключение диссертационного совета 

Состав диссертационного совета


Защита состоится 20 января 2020 г. в 11:00 по адресу: 141701, г. Долгопрудный Московской обл., Институтский переулок, д. 9.
Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

МФТИ в социальных сетях