Адрес e-mail:

Егоров Константин Викторович

Резистивное переключение в структурах металл-изолятор на основе оксида гафния и оксида тантала, формируемых атомно-слоевым осаждением


Специальность: 01.04.04 – Физическая электроника
Ученая степень: кандидат физико-математических наук
Диссертация опубликована 18 ноября 2019 г. (отчет о проверке на текстовые заимствования)
Автореферат опубликован 18 ноября 2019 г.  (в формате PDF)
Отзыв научного руководителя Маркеева Андрея Михайловича, кандидата физико-математических наук, ведущего научного сотрудника центра коллективного пользования уникальным научным оборудованием в области нанотехнологий федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)»
   
Заключение организации, где проводилась апробация федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)»
Отзыв 1 Иванова Андрея Анатольевича, к.ф-м.н., доцента федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ»
Отзыв 2 Исламова Дамира Ревинировича, к.ф.-м.н., старшего научного сотрудника Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Протокол о приеме к защите Протокол голосования Экспертного совета по физико-математических наукам Аттестационной комиссии МФТИ № ФМ-2019/24 от 13 ноября 2019 г.
Сведения о ведущей организации федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ»
Отзыв ведущей организации федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ»
Отзыв 1 Шешин Евгений Павлович – председатель диссертационного совета, доктор физико-математических наук, профессор, зам. зав. кафедрой Вакуумной электроники федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)»
Отзыв 2 Максимычев Александр Витальевич, доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой Общей физики федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)»
Отзыв 3 Яковлев Виктор Борисович, доктор физико-математических наук, профессор, главный научный сотрудник, начальник отдела Федерального государственного бюджетного учреждения науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук
Отзыв 4 Ильичёв Эдуард Анатольевич, доктор физико-математических наук, старший научный сотрудник, профессор кафедры "Квантовая физика и наноэлектроника" Федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
Отзыв 5 Руденко Константин Васильевич, доктор физико-математических наук, доцент, заместитель директора по научной работе Федерального государственного бюджетного учреждения науки «Физико-технологический институт имени К.А. Валиева" Российской академии наук
Отзыв 6 Бугаев Александр Степанович, доктор физико-математических наук, академик РАН, профессор, зав. кафедрой Вакуумной электроники федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)»
Отзывы на автореферат
Отзыв 1 Громов Дмитрий Геннадьевич, доктор технических наук, главный научный сотрудник федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
Отзыв 2 Астапенко Валерий Алесандрович, доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)»
Отзыв 3 Бобринецкий Иван Иванович, доктор технических наук, ведущий научный сотрудник федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
   
Заключение диссертационного совета

Состав диссертационного совета


Видеозапись заседания по защите диссертации


Защита состоится 20 января 2020 г. в 11:00 по адресу: 141701, г. Долгопрудный Московской обл., Институтский переулок, д. 9.

Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2020 Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)

Противодействие коррупции | Сведения о доходах

Политика обработки персональных данных МФТИ

Техподдержка сайта | API

Использование новостных материалов сайта возможно только при наличии активной ссылки на https://mipt.ru

МФТИ в социальных сетях