Одним из главных принципов уникальной «системы Физтеха», заложенной в основу образования в МФТИ, является тщательный отбор одаренных и склонных к творческой работе представителей молодежи. Абитуриентами Физтеха становятся самые талантливые и высокообразованные выпускники школ всей России и десятков стран мира.

Студенческая жизнь в МФТИ насыщенна и разнообразна. Студенты активно совмещают учебную деятельность с занятиями спортом, участием в культурно-массовых мероприятиях, а также их организации. Администрация института всячески поддерживает инициативу и заботится о благополучии студентов. Так, ведется непрерывная работа по расширению студенческого городка и улучшению быта студентов.

Адрес e-mail:

Институт физики НАН Украины

Базовая кафедра «Квантовой электроники, нелинейной оптики, голографии»

Факультет общей и прикладной физики МФТИ

.

Web-страничка: http://www.iop.kiev.ua/

.

Создан в 1929 году на базе Научно-иследовательской кафедры физики при Киевском политехническом институте и является старейшим академическим учреждением физического профиля в Украине.


В разные годы в институте работали известные ученые — А. Г. Гольдман, первый директор института, Герои Социалистического Труда А. С. Давыдов, А. И. Лейпунский, А. Ф. Прихотько, члены Академии наук Украины С. И. Пекар, Н. Д. Моргулис, М. Т. Шпак, В. Е. Лашкарев и другие. Учеными института сделаны пять открытий, их работы удостоены Ленинской, четырех Государственных премий СССР и пятнадцати Государственных премий Украины. Весомым является вклад Института физики НАН Украины в развитие физики экситонов, молекулярных, полупроводниковых и жидких кристаллов, квантовой электроники, нелинейной оптики и голографии, физической электроники, физики поверхности, физики плазмы и ионных пучков.


В настоящее время в институте работают более 500 человек, в том числе 235 научных сотрудников. Среди них — действительные члены Национальной академии наук Украины М.С. Бродин (физика твердого тела, спектроскопия, оптоэлектроника, нелинейная оптика) и А. Г. Наумовец (физика поверхности, физичекая электроника), члены-корреспонденты НАН Украины И. В. Блонский, С. Г. Одулов, Ю. Г. Птушинский, С. М. Рябченко, И. О. Солошенко, М. С. Соскин, П. М. Томчук, 48 докторов и 149 кандидатов наук, около сорока лауреатов Государственных премий.


В 15 научных отделах ведется работа в нескольких научных направлениях:

  • физика неметаллических кристаллов, включая теоретические и экспериментальные исследования квазичастиц (электронов, экситонов, фононов, магнонов, плазмонов) и процессов их взаимодействия между собой и с дефектами в конденсированных средах;
  • лазерная физика, нелинейная оптика и голография, в том числе исследование различных аспектов взаимодействия лазерного излучения с веществом, создание новых лазерных элементов, материалов и разработку физических основ лазерных технологий;
  • физическая и газовая электроника, включая наноэлектронику, физику ионных пучков и методы управления такими пучками;
  • электронные и атомные процессы на поверхности твердых тел
  • физика биологических систем.

Традиционно основные усилия сосредоточены на фундаментальных исследованиях, но вместе с тем ведутся работы в области криогенного приборостроения, приемников излучения, лазерных систем, радиационных, лазерных и плазменных технологий.


Институт поддерживает тесные научные связи со многими научными центрами СНГ и дальнего зарубежья - его научными партнерами являются 40 университетов Европы, Азии, Америки. Институт является одним из лидеров в Украине по числу грантов зарубежных научных фондов: в 2001 году выполнялись работы по 29 грантам INTAS, CRDF, STCU, NATO, Volkswagen и др.


В аспирантуре института сегодня обучаются около 30 человек, трое молодых ученых являются стипендиатами Президента Украины, семь —стипендиатами НАН Украины. Научные работы молодых ученых отмечались премиями и призами международных конгрессов и конференций.


Научные подразделения Института физики НАН Украины:

  • Отдел теоретической физики, зав. отделом член-кор. НАНУ П. М. Томчук;
  • Отдел физики кристаллов, зав. отделом доктор физ.-мат. наук Ю. О. Резников;
  • Отдел нелинейной оптики, зав. отделом академик М. С. Бродин;
  • Отдел оптической квантовой электроники, зав. отделом член-кор. НАНУ М. С. Соскин;
  • Отдел молекулярной фотоэлектроники, зав. отделом доктор физ.-мат. наук М. В. Курик;
  • Отдел оптики и спектроскопии кристаллов, зав. отделом доктор физ.-мат. наук Ю. П. Гнатенко;
  • Отдел фотоактивностидоктор, зав. отделом физ.-мат. наук Г. О. Пучковская;
  • Отдел физики радиационных процессов, зав. отделом доктор физ.-мат. наук Б. О. Данильченко;
  • Отдел газовой электроники, зав. отделом член-кор. НАНУ И. О. Солошенко;
  • Отдел физической электроники, зав. отделом академик А. Г. Наумовец;
  • Отдел адсорбционных явлений, зав. отделом член-кор. НАНУ Ю. Г. Птушинский;
  • Отдел электроники твердого тела, зав. отделом доктор физ.-мат. наук О. Г. Сарбей;
  • Отдел физики магнитных явлений, зав. отделом член-кор. НАНУ С. М. Рябченко;
  • Отдел приемников излучения, зав. отделом канд. физ.-мат. наук В. Б. Самойлов;
  • Лаборатория криогенных технологий, зав. лаб. канд. физ.-мат. наук И. П. Жарков;
  • Отдел физики биологических систем, зав. отделом доктор физ.-мат. наук В. М. Харкянен.

Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2016 Московский физико-технический институт
(государственный университет)

Техподдержка сайта

МФТИ в социальных сетях

soc-vk soc-fb soc-tw soc-li soc-li
Яндекс.Метрика