Адрес e-mail:

Квантовые наноструктуры, материалы и устройства (образовательная программа)

Оптика наноструктур, осень 2021 - по понедельникам в ЧГ с середины октября


Лекция 1: Классификация наноструктур.  Энергетический спектр носителей заряда в низкоразмерных системах. Энергетическая плотность состояний. Архитектура полупроводниковых гетероструктур, получение низкоразмерных систем носителей заряда.

 

Лекция 2: Осцилляторная модель диэлектрической функции среды. Особенности поглощения и отражения света в процессах с участием связанных электронов, фононов, плазмонов.

 

Лекция 3: Оптические свойства свободных и связанных электронов в металлах и полупроводниках. Дисперсионные соотношения Крамерса-Кронига.

 

Лекция 4: Межзонные оптические переходы в кристаллах. Связь коэффициента поглощения с зонной структурой кристаллов. Правила отбора для межзонных оптических переходов в объемных и низкоразмерных полупроводниках.

 

Лекция 5: Метод матриц переноса для вывода закона дисперсии квазичастиц в периодических слоистых системах. Электроны, фононы и фотоны в сверхрешетках.Фотонные кристаллы различной размерности.  Квантовые микрорезонаторы.

 

Лекция 6: Плазмоны объемные, поверхностные, низкоразмерные. Экранированные плазмоны. Магнитоплазменные возбуждения. Эффекты запаздывания, релятивистские плазмоны. Плазмонные поляритоны.

 

Лекция 7: Плазмоника как часть квазиоптики. Двумерные плазмоны как рабочая среда для детектирования волн субтерагерцового диапазона. Активные и пассивные элементы субтерагерцовой квазиоптики.

 

Лекция 8: Методы ближнеполевой спектроскопии. Оптические резонансные свойства металлических наночастиц. Резонансы Ми. Неупругое(рамановское) рассеяние света как метод анализа веществ. Явление поверхностно-усиленного рамановского рассеяния. Создание сенсоров на основе плазменно-диэлектрических резонаторов.


АРХИВ 2020


Лекция 1

Адиабатическое приближение. Одноэлектронное приближение. Приближение Хартри-Фока. Плотность состояний. 

 

Лекция 2 

Основные результаты зонной теории. (kp)-метод. Зонные параметры и дисперсии различных полупроводников. 

 

Лекция 3 

Межзонные и межподзонные оптические переходы. Правила отбора при оптических переходах. Фундаментальный край прямого поглощения. Полная вероятность перехода в дипольном приближении.

 

Лекция 4

Оптические переходы в низкоразмерных полупроводниковых структурах.

 

Лекция 5

Экситоны в кристаллах. Оптические свойства квантовых точек.

 

Лекция 6

Модель Лоренцевских осцилляторов для описания диэлектрической функции среды. Фотолюминесценция полупроводников. Оптическая ориентация спинов свободных носителей.

 

Лекция 7

Фотонные кристаллы. Микрорезонаторы. Экситонные поляритоны 2D.

 

 

Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2021 Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)

Противодействие коррупции | Сведения о доходах

Политика обработки персональных данных МФТИ

Техподдержка сайта | API

Использование новостных материалов сайта возможно только при наличии активной ссылки на https://mipt.ru

МФТИ в социальных сетях