Одним из главных принципов уникальной «системы Физтеха», заложенной в основу образования в МФТИ, является тщательный отбор одаренных и склонных к творческой работе представителей молодежи. Абитуриентами Физтеха становятся самые талантливые и высокообразованные выпускники школ всей России и десятков стран мира.

Студенческая жизнь в МФТИ насыщенна и разнообразна. Студенты активно совмещают учебную деятельность с занятиями спортом, участием в культурно-массовых мероприятиях, а также их организации. Администрация института всячески поддерживает инициативу и заботится о благополучии студентов. Так, ведется непрерывная работа по расширению студенческого городка и улучшению быта студентов.

Адрес e-mail:

Кафедра микро- и наноэлектроники

Кафедра микро- и наноэлектроники

IMG_4836_jpg.jpg

Заведующий кафедрой: Красников Геннадий Яковлевич - академик РАН, д.т.н., профессор, генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон», генеральный директор АО «НИИМЭ».

Руководитель межведомственного Совета главных конструкторов по электронной компонентной базе РФ, член Консультативного научного Совета Инновационного центра «Сколково», председатель научного Совета РАН «Физико-химические основы полупроводникового материаловедения», сопредседатель экспертного Совета по инновационной деятельности и внедрению наукоемких технологий Государственной Думы РФ, член экспертных советов по присуждению премии Правительства РФ в области науки и техники.

Возглавляет базовую кафедру «микро и наноэлектроники» в Московском физико-техническом институте (ГУ) и базовую кафедру «Субмикронная технология СБИС» в Национальном исследовательском университете «МИЭТ», руководит подготовкой специалистов высшей квалификации по актуальным и перспективным направлениям нано- и микроэлектроники.

Главный редактор журналов  «Электронная техника. Серия «Микроэлектроника» и «Интеллект и технология», заместитель главного редактора журналов «Микроэлектроника», член редколлегии журналов «Электроника. Наука. Технология. Бизнес», «Известия высших учебных заведений. Электроника», «Мир радиоэлектроники», «Труды МФТИ».

Основными направлениями научных исследований академика Г.Я. Красникова являются микро- и наноэлектроника: физика полупроводников, полупроводниковых приборов, технологии создания сверхбольших интегральных схем (СБИС) и обеспечения качества их промышленного производства.

Г.Я. Красниковым созданы научные и технологические основы формирования полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами, а также выявлены закономерности неравновесных процессов в переходных областях границ раздела систем кремний – диоксид кремния – металл на всем технологическом маршруте изготовления интегральных микросхем.

Академик Красников - автор и соавтор 312 научных работ в отечественных и зарубежных рецензируемых изданиях, четырех научных монографий и более 40 авторских свидетельств и патентов.

Лауреат Государственной премии РФ, дважды лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники. Награжден Орденом Почета, Орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени, Орденом Дружбы, медалью ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий».

Общая информация

В век наукоемких технологий микроэлектроника является одним из самых динамично развивающихся и качественно меняющихся направлений науки и техники, оказывающих глубокое влияние на жизнь и развитие общества в целом. Микроэлектронная отрасль России способствует эффективному решению самых сложных экономических, научных, технических и технологических проблем, стоящих сегодня перед страной.


Кафедра «микро- и наноэлектроника» - учебный и научно-исследовательский центр по подготовке высо¬коквалифицированных специалистов микроэлектронной индустрии, способных работать с самыми современными процессами научно-исследовательских работ, опытно-конструкторских разработок и производства.


Базовая кафедра создана приказом ректора Московского физико-технического института (ГУ) на факультете физической и квантовой электроники МФТИ в октябре 2011 года. Кафедра располагает вы¬соким научно-педагогическим потенциалом и современной учебно-материальной базой.


Базовым предприятием кафедры является «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники» (АО «НИИМЭ»).


АО «НИИМЭ» - научно-исследовательский центр компании ОАО «НИИМЭ и Микрон». Предприятия образуют единый крупнейший в России комплекс по проведению научно-технологических исследований, разработке и производству микроэлектронных изделий. В настоящее время в «НИИМЭ» работает более 400 специалистов высокой квалификации. Предприятие на постоянной основе сотрудничает с более чем 60 российскими и зарубежными научными центрами, техническими университетами и центрами проектирования. Такими как IMEC (Бельгия), CEA-Leti (Франция), Technische Universiteit Delft (Голландия), Ecole Speciale de Lausanne (Швейцария), Aselta (Франция), Leland Stanford Junior University (США), Mapper Lithography (Голландия).


АО «НИИМЭ» проводит научные исследования и опытно-конструкторские работы по федеральным программам Минпромторга РФ, Минобрнауки России, а также инициативные работы за счет собственных средств. Работы проводятся с различными российскими и зарубежными партнерами в рамках программ по развитию ЭКБ; по  изготовлению кристаллов микросхем в режиме Foundry для предприятий-партнеров, а также по разработке и освоению серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения.


Студенты кафедры «микро- и наноэлектроника» успешно совмещают образовательный процесс в МФТИ с научно-практической деятельностью в АО «НИИМЭ». Все выпускники кафедры принимают участие в НИОКР, в том числе работах в рамках госзаказов, которые ведутся в подразделениях.


Направления исследований и разработок АО «НИИМЭ» на кафедре

В настоящее время научный коллектив ведет разработки по созданию устройств энергонезависимой памяти, основанных на новых принципах быстродействия и обладающих улучшенной стойкостью или большим ресурсом переключения.

Выпускники кафедры

Выпускники кафедры - высококвалифицированные специалисты полупроводниковой индустрии. Уровень подготовки специалистов отвечает высоким международным стандартам. На кафедре  работают 7 профессоров - докторов наук и 7 доцентов - кандидатов наук, а также ведущие специалисты  базовой организации.

Студенты имеют возможность стажироваться  (на основе партнерских программ стажировок) в ведущих мировых научно-исследовательских центрах и лабораториях микро- и наноэлектроники: IMEC (Бельгия), CEA-Leti (Франция), Technische Universiteit Delft (Голландия), Ecole Speciale de Lausanne (Швейцария), Aselta (Франция). В 2014 году трехмесячную преддипломную стажировку прошли три студента. В 2016г. стажируется в научно-исследовательском центре микро- и наноэлектроники – IMEC (Interuniversity Microelectronics Centre) в Левене (Бельгия) Резванов А.А. Кроме того, студенты получают уникальную возможность обмениваться знаниями и навыками на крупнейших международных отраслевых конференциях.

Подготовка выпускников магистратуры и аспирантуры осуществляется по следующим направлениям:


Уникальная образовательная программа,  зарубежные стажировки, национальные и международные конференции и другие мероприятия для обмена опытом с ведущими учеными в области современной микроэлектроники позволяют молодым специалистам успешно интегрироваться в научно-исследовательские проекты на базе АО «НИИМЭ» еще в процессе обучения:

Баранов Г.В. – начальник лаборатории низкоразмерных транзисторных структур АО «НИИМЭ»,  выпускник магистратуры физтеха (2014г.), аспирант МФТИ. Стажировался в одном из ведущих мировых научно-исследовательских центров микро- и наноэлектроники – IMEC (Interuniversity Microelectronics Centre) в Левене (Бельгия).

Бурякова Т.В. – младший научный сотрудник отдела перспективных технологий и приборов АО «НИИМЭ», выпускница физтеха (2014г.). Поступила в докторантуру Федеральной политехнической школы Лозанны  «Ecole Speciale de Lausanne», Швейцария.

Воронов Д.Д. – научный сотрудник отдела функциональной электроники АО «НИИМЭ», выпускник физтеха (2015г.). Участник 4 НИОКР. Продолжает обучение в аспирантуре МФТИ.

Зюльков И.Ю. – выпускник магистратуры (2014г). Продолжает обучение в аспирантуре ведущего мирового научно-исследовательского центра микро- и наноэлектроники – IMEC (Interuniversity Microelectronics Centre) в Левене (Бельгия).

Константинов В.С. – научный сотрудник объединенного отдела функциональной электроники АО «НИИМЭ», выпускник магистратуры физтеха (2014г). Участник 2 ОКР и 1 НИР. В настоящий момент продолжает обучение в аспирантуре МФТИ.

Михеев Р.С. – инженер-конструктор отдела новых продуктов АО «НИИМЭ», выпускник магистратуры физтеха (2015г). В настоящий момент продолжает обучение в аспирантуре МФТИ. Участник 1 НИОКР.

Стартовые условия при приеме на работу студентов 4 курса занятость на должности «техник» и заработную плату от 18 000 руб.  Студенты 5 и 6 курса переводятся на должность мнс в подразделения научно-исследовательского института. Стартовые условия оплаты труда магистров 5 и 6 курса составляют 27 000 – 38 000 руб. Информацию по вакансиям можно посмотреть на сайте (http://mikron.ru/career/vacancies/).

На предприятии практикуется бонусная система оплаты труда, система поощрения и поддержки сотрудников, прежде всего, через привлечение их к работе над научными проектами НИОКР на платной основе, публикации в научных журналах и полученные патенты на изобретения. Иногородним студентам предприятие помогает в решении жилищных проблем.

Учебные курсы кафедры

4 курс

  1. Метрологическое обеспечение наноэлектроники, лекции, Бегишев А.Р. 
  2. Современные методы математического моделирования, лекции, к.ф-м.н, доц. Матюшкин И.В.
  3. Семинар по современным проблемам микроэлектроники, д.т.н., проф. Горнев Е.С.
  4. Введение в микроэлектронику. Основы схемотехники, лекции, к.т.н. Эннс В.В.
  5. Физика полупроводниковых приборов, лекции, к.т.н., доцент, Плотников Ю.И.
  6. Моделирование технологических процессов микроэлектроники, семинары, к.ф-м.н, доц.  Матюшкин И.В.
  7. Моделирование в среде TCAD, лекции, к.ф-м.н, доц. Матюшкин И.В.
  8. Физико-химия поверхности материалов микро и наноэлектроники, лекции, к.х.н., доц. Бокарев В.П.


5 курс

  1. Основные технологические процессы микро и наноэлектроники, лекции, Игнатов П.В. 2.
  2. Физика процессов  в монокристаллическом кремнии, лекции, д.ф-м.н., проф. Итальянцев А.Г.
  3. Семинар по современным проблемам микроэлектроники, д.т.н., проф. Горнев Е.С.
  4. Проектирование аналоговых микросхем, лекции,  к.т.н., доц. Эннс В.И., к.т.н. Карташов Д.А.
  5. Технология микроэлектроники на базе сложных полупроводниковых соединений, лекции, к.т.н., Волосов А.В.
  6. Современные процессы литографии, Ph.D Aselta (Франция) Постников С.В.
  7. Математическое моделирование микро- и наносистем, лекции,  к.ф-м.н, доц. Матюшкин И.В.
  8. Интеграция  технологических процессов микро и наноэлектроники, лекции, Игнатов П.В.
  9. 9. Физика дефектов в технологии микро и наноэлектроники, лекции, проф., д.ф.-м.н. Масловский В.М.
  10. Проектирование микроэлектронных изделий с топологическими нормами до 90 нм, лекции, к.т.н. Ракитин В.В. 
  11. Основы схемотехники СВЧ микросхем, лекции, д.т.н. Ефимов А.Г. 


6 курс

  1. Квантово-химическое моделирование в наноэлектронике, семинар, к.ф-м.н, доц. Матюшкин И.В.
  2. Физико-химические основы формирования и свойства диэлектичеких слоев для микро- и наноэлектроники, лекции, д.х.н., проф. Бакланов М.Р.(IMEC)
  3. Семинар по современным проблемам микроэлектроники д.т.н., проф. Горнев Е.С.
  4. Фотонные интегральные схемы, лекции, к.ф.-м.н., доцент, Свидзинский К.К.


Публикационная активность студентов и аспирантов
Сотрудники и студенты кафедры «Микро- и наноэлектроника» публикуют статьи и тезисы в различных научных журналах и сборниках:

Публикации

  1. «Метод верификации RTL-описаний цифровых схем, тактируемых несколькими синхросигналами», журнал «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника 3 (159)», стр.55-59. Л.Г. Нидеккер, М.Н. Алексеев, В.И. Эннс, В.В. Зайцев.
  2. «Математическое моделирование», журнал «Электромагнитная волна в среде с нестационарными проницаемостями. Часть1», , 2015г, т.27, №12, стр.48-64. И.В. Матюшкин, Г.Я. Красников, Н.В. Черняев, Е.С. Горнев, Н.В. Евстратов.
  3. «Обзор конструктивно-технологических решений, используемых при разработке высокотемпературных транзисторов на структурах кремний на изоляторе», журнал «Электронная Техника. Серия 3. Микроэлектроника». А.С. Бендиктов.
  4. «Тримминг фоторезистивной маски в технологии 90нм для формирования 65нм затвора», сборник тезисов международной конференции «Микроэлектроника-2015», Крым, г.Алушта, - М.: ТЕХНОСФЕРА, 2015. – 328с. Т.Л. Бурякова, Е.С. Горнев, О.П. Гущин, А.С. Бендиктов,А.В. Данила, А.Н. Поляков


Конференции

  1. «Исследование повреждений low-k диэлектриков при плазменном травлении», Silicon-2014, Иркутск.
  2. «Исследование повреждений пористых low-k диэлектриков при плазменном травлении», 57-я научная конференция МФТИ, 2015г, г.Долгопрудный.
  3. «Метод расчета изобар адсорбции фторуглерод содержащих соединений пористых low-k диэлектриков при криогенном травлении»,  VI Всероссийская конференция молодых ученых «Микро-, нанотехнологии и их применение» им. Ю.В. Дубровского, 2014г, Черноголовка. Резванов А.А., Могильников К.П., Гущин О.П.
  4. Верификации цифровых схем с несколькими сигналами синхронизации», 58-я научная конференция МФТИ, 2015г, г. Долгопрудный. Л.Г. Нидеккер и др.
  5. «Квантово-химические расчеты кластеров SinOm», 58-я научная конференция МФТИ, 2015г, г.Долгопрудный и NDTCS-2015г, г.Гродно, Беларусь. Н.В. Евстратов.
  6. «Разработка и исследование высокоскоростного параллельного АЦП с емкостной интерполяцией», 58-я научная конференция МФТИ, 2015г, г.Долгопрудный. Антюфриева Л.А., Михеев Р.С., Кирилихина М.А.
  7. «Сегнетоэлектрическая оперативная память (FRAM) на основе ALD процессов», Международный семинар атомно-слоевого осаждения (Россия), 2015г, г.Долгопрудный.  Р.А. Измайлов и др.
  8. «Изобары адсорбции  фторуглеродных соединений при криогенно-плазменном травлении low -к диэлектриков», MRS-2015 Spring Meeting, Сан-Франциско, США. San Francisco, USA.
  9. «Измерение температуры тонких пористых low-k пленок при адсорбции фторуглеродных соединений при криогенного травления», PESM-2015, Левен, Бельгия. Резванов А.А. и др.
  10. «Моделирование при помощи клеточных автоматов воздействия кислородосодержащей плазмы на общие свойства SiOCH low-k диэлектрика», PESM-2015, Левен, Бельгия. А.А. Резванов и др.
  11. «Исследование и разработка элементов энергозависимой памяти ReRAM, FRAM на основе использования процессов ALD», международная конференция «Микроэлектроника-2015», г.Крым, Алушта.,  Д.Д. Воронов и др.  
  12. «Моделирование режимов работы элемента памяти на основе слоя нитрида кремния», 58-я научная конференция МФТИ, 2015г, г.Долгопрудный.  Р.А. Измайлов и др.  
  13. «Исследование повреждений low-k диэлектриков при криогенном травлении», международная конференция «Микроэлектроника-2015», г.Алушта, Россия. А.А. Резванов  и др.  
  14. «Клеточно-автоматная модель воздействия кислородосодержащей плазмы на макроскопическую диэлектрическую проницаемость пористого SiOCH диэлектрика», 58-я научная конференция МФТИ, 2015г, г.Долгопрудный. А.А. Резванов и др.  
  15. Использование высших гармоник колебаний кантилевера при исследовании объектов в жидкой среде методом АСМ», 58-я научная конференция МФТИ, 2015г, г.Долгопрудный. А.Р. Шляхов и др.  
  16. «Моделирование работы МОП-транзисторов на структурах КНИ при высоких температурах», 10-я отраслевая научно-техническая конференция молодых специалистов Росатома «Высокие технологии в атомной отрасли. Молодежь в инновационном процессе», г.Нижний Новгород. А.С. Бендиктов, П.В. Игнатов.
  17. «Компьютерное моделирование и экспериментальные исследования функционирования КНИ МОП-транзисторов при высоких температурах», международная конференция «Микроэлектроника-2015», г.Алушта. А.С. Бендиктов  и др.  
  18. «Разработка высокотемпературной активной элементной базы, выполненной на структурах КНИ с проектными нормами 0,5мкм», научно-практическая конференция Всероссийского инженерного конкурса «Подготовка инженерных кадров в России: состояние и стратегические перспективы-взгляд молодых». А.С. Бендиктов и др.  
  19. «Особенности работы радиационностойких КНИ МОП-транзисторов при температурах окружающей среды ≥ 125оС», 58-я научная конференция МФТИ, 2015г, г.Долгопрудный. А.С. Бендиктов и др.  
  20. «Исследование конструктивно-технологических решений для разработки элементной компонентной базы высокотемпературной микроэлектроники на структурах кремний на изоляторе», научно-практическая конференция в составе деловой программы 3-й Национальной ежегодной выставки-форума ВУЗПРОМЭКСПО-2015. А.С. Бендиктов.
  21. «Математическая модель ячейки энергонезависимой FLOTOX памяти», VI Всероссийская конференция молодых ученых «Микро-, нанотехнологии и их применение» им. Ю.В. Дубровского, 2014. Д.Д. Воронов и др.  
  22. Технология резки фоторезистора
  23. «Процесс тримминга фоторезиста при формировании КМОП СБИС структур с проектными нормами менее 90нм», 56-я научная конференция МФТИ, 2015г, г.Долгопрудный. Бурякова Т.Л. и др.
  24. «Тримминг высокоплотной HBr/O2 и Cl2/O2 плазмах при формировании затворов с  минимальными размерами 90нм, 57-я научная конференция МФТИ, 2015г, г.Долгопрудный. Бурякова Т.Л. и др.
  25. «Тримминг фоторезиста при формировании стека затворов 65-45 нм с исходными проектными нормами 90 нм», Международная конференция «Микроэлектроника-2015», г.Крым, Алушта. Бурякова Т.Л. и др.
  26. «Тримминг фоторезиста как способ усиления разрешения оптической литографии», «Электронная промышленность. Серия 3. Микроэлектроника», 2016. Бурякова Т.Л., Гущин О.П., Горнев Е.С., Данила А.В., Поляков А.Н.


Контактная информация:

Заместитель заведующего: Горнев Евгений Сергеевич
– д.т.н., профессор, лауреат государственной премии СССР, лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники.
тел. 8(495) 229-55-70
E-mail: egornev@mikron.ru

Секретарь кафедры: Беляев Алексей Юрьевич
тел. 8(495) 229-70-94
E-mail: albelyaev@mikron.ru

ОАО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники»
Адрес: 124460, Россия, Москва, Зеленоград, 1-ый Западный проезд, дом 12/1
Тел./факс: (495) 229-70-00, (495) 229-70-01
E-mail: niime@niime.ru
Web-стр.: www.mikron.ru

Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2016 Московский физико-технический институт
(государственный университет)

Техподдержка сайта

МФТИ в социальных сетях

soc-vk soc-fb soc-tw soc-li soc-li
Яндекс.Метрика