Адрес e-mail:

Кафедра микро- и наноэлектроники

Заведующий кафедрой

???????????_1_? бработанное.jpg
Красников Геннадий Яковлевич — академик РАН, д.т.н., профессор, руководитель приоритетного технологического направления Российской Федерации по электронным технологиям, член Президиума  РАН,  генеральный директор  АО «Научно-исследовательского института молекулярной электроники» (АО «НИИМЭ»), председатель Совета директоров ПАО «Микрон», российский учёный в области физики полупроводников, полупроводниковых приборов, технологии создания сверхбольших интегральных схем. Автор и соавтор более 400 научных работ в отечественных и зарубежных рецензируемых изданиях, четырех научных монографий и более 40 авторских свидетельств и патентов.
Лауреат государственной премии РФ в области науки и технологии, двух премий Правительства РФ в области науки и техники. Награжден орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени, орденом Александра Невского,  орденом Почёта, орденом Дружбы,  орденом Славы III степени республики Мордовия,  медалью ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий. Отмечен личными благодарностями президента РФ, председателя Правительства РФ, руководителей федеральных органов исполнительной власти, губернаторов ряда регионов РФ. 

Общая информация 

В век наукоемких технологий микроэлектроника является одним из самых динамично развивающихся и качественно меняющихся направлений науки и техники, оказывающих глубокое влияние на жизнь и развитие общества в целом. Микроэлектронная отрасль России способствует эффективному решению самых сложных экономических, научных, технических и технологических проблем, стоящих сегодня перед страной. 
Кафедра «микро- и наноэлектроники» представляет собой учебный и научно-исследовательский центр по подготовке высококвалифицированных специалистов в области микроэлектроники, способных работать с самыми современными процессами.

Базовым предприятием кафедры является  Акционерное общество«Научно-исследовательский институт молекулярной электроники» (АО «НИИМЭ»).

АО «НИИМЭ» — ведущий научно-исследовательский центр «Группы  компаний НИИМЭ» в составе отраслевого холдинга «Элемент» (АФК «Система» и ГК «Ростех»). Предприятия «Группы компаний НИИМЭ» образуют крупнейший в России единый комплекс  научно-технологических исследований в области микро- и наноэлектроники, разработки и производства полупроводниковых изделий. В 2016 году постановлением Правительства Российской Федерации АО «НИИМЭ»  было определено научной организацией, ответственной за реализацию приоритетного технологического направления по электронным технологиям России. В институте  работает более 400 специалистов-разработчиков высокой квалификации.Предприятие на постоянной основе сотрудничает с более чем 60 российскими и зарубежными научными центрами, техническими университетами и центрами проектирования. 

АО НИИМЭ.jpg

Вид на здание АО "НИИМЭ"



АО «НИИМЭ» проводит научные исследования и опытно-конструкторские работы по федеральным программам Минпромторга РФ, Минобрнауки РФ, ГК Роскосмос, а также инициативные работы за счет собственных средств. Работы проводятся с различными российскими и зарубежными партнерами в рамках программ по развитию элементной базы, по изготовлению кристаллов интегральных микросхем в режиме Foundry для предприятий-партнеров, а также по разработке и освоению серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов.

После реформирования базовой кафедры 2016 году, в ее состав также вошел ИПТМ РАН, входящий в консорциум институтов РАН и НИИМЭ.

На кафедре  работают 7 профессоров — докторов наук и 11 доцентов — кандидатов наук, а также ведущие специалисты  базовой организации. Студенты кафедры успешно совмещают образовательный процесс в МФТИ с научно-практической деятельностью в АО «НИИМЭ». В 2018-19 учебном году на кафедре проходит обучение 27 студентов и 14 аспирантов. Все выпускники кафедры принимают участие в НИОКР, в том числе работах в рамках госзаказов, которые ведутся в подразделениях. 

экскурсионная лекция.jpg

Экскурсионная лекция для студентов


защита.jpg

Защита выпускных квалификационных работ


Студенты имеют возможность стажироваться  (на основе партнерских программ стажировок) в ведущих мировых научно-исследовательских центрах и лабораториях микро- и наноэлектроники: IMEC (Бельгия), CEA-Leti (Франция), Technische Universiteit Delft (Голландия), Ecole Speciale de Lausanne (Швейцария), Aselta (Франция), Leland Stanford Junior University (США), Mapper Lithography (Голландия) и др.
При приеме на работу студентов 4 курса МФТИ назначаются на должность «техник» с окладом от 18 тысяч рублей.  Студенты 5 и 6 курса переводятся на должность «младший научный сотрудник»  в подразделения научно-исследовательского института. Стартовые условия оплаты труда магистров 5 и 6 курса составляют 27-38 тысяч рублей. В институте также осуществляется бонусная система оплаты труда, система поощрения и поддержки сотрудников, прежде всего, через привлечение их к работе над научными проектами НИОКР, публикации в научных журналах и полученные патенты на изобретения. Всем студентам предоставляется жилье за счет предприятия.


Подготовка выпускников магистратуры и аспирантуры осуществляется по следующим направлениям  


Направления исследований и разработок в АО «НИИМЭ»  

Магистерская программа ориентирована на подготовку высококвалифицированных специалистов, способных работать с самыми современными процессами микроэлектроники в сфере организации и проведения теоретических и экспериментальных исследований полупроводниковых микро- и наноструктур, а также в сферах моделирования, разработки и применения  микро- и наноэлектронных схем и технологических процессов их создания по самым современным направлениям микроэлектроники.


Основные направления исследований и разработок

 

технолог.jpg
Работа технолога в чистой комнате

Учебные курсы 

4 курс

5 курс 

6 курс
 

Выпускники кафедры 

Выпускники кафедры — высококвалифицированные специалисты полупроводниковой индустрии. Уровень подготовки специалистов отвечает высоким международным стандартам.В 2018 г диплом бакалавра получили 12 человек, диплом магистра 10 человек. 
Всем выпускникам магистратуры институт оказывает содействие при поступлении в аспирантуру. В 2018 году в аспирантуру поступило 8 человек. С момента создания кафедры в 2011 г. и первого приёма в аспирантуру в 2013 г. успешно защитили кандидатскую диссертацию 3 выпускника, еще 3 аспиранта готовятся к защите в 2019 году. Уникальная образовательная программа,  зарубежные стажировки, национальные и международные конференции и другие мероприятия для обмена опытом с ведущими учеными в области современной микроэлектроники позволяют молодым специалистам успешно интегрироваться в научно-исследовательские проекты на базе АО «НИИМЭ» еще в процессе обучения:


Публикационная активность студентов и аспирантов

Сотрудники и студенты кафедры регулярно публикуют статьи и тезисы в различных научных журналах и сборниках.Кроме того, студенты получают уникальную возможность обмениваться знаниями и навыками на крупнейших международных и отраслевых конференциях, в том числе на МАМ-2018, г. Милан, Италия;  EMRS-2018, June 18 – 22, Strasbourg (France); 26 th Int.Symp. «Nanostructures: Physics and Technology»  Minsk, 2018; 61-ой научной конференции МФТИ г. Долгопрудный; международной конференции «Микро- и наноэлектроника 2018» г. Звенигород; «Микроэлектроника 2018» г. Алушта; Sensors & Actuators Congress, 03-06 September 2018, Stockholm, Sweden. В 2018 году обучающиеся кафедры подготовили более 40 докладов на конференциях и опубликовали более 30 статей. Около 50% всех докладов и публикаций от АО «НИИМЭ» осуществляется под авторством студентов и аспирантов.


Список основных публикаций студентов и аспирантов за 2018 год 
  1. А. Rezvanov, I. Zyulkov, E.S. Gornev, J.F de Marneffe, S. Armini.  Area-selective grafting of siloxanemolecules on low-k dielectric with respect to copper surface // Materials for advanced metallization (МАМ2018). Abstract Book. –Milano. –2018. – P. 189–190.
  2. М.А. Шерметова, В.А. Четвериков. Исследование размеров зерен кремниевого Нанопорошка//Сборник материалов VIIМеждународной научной конференции для молодых ученых. «Наноматериалы и нанотехнологии: проблемы и перспективы». Саратов.: Сарат. гос.техн.ун-т, 2018. – С. 41–45.
  3. Е.И. Титова, Г.В. Баранов, А.С. Ключников. Особенности проектирования профилей легирования активных областей tri-gate FinFET на КНИ// Тезисы докладов XVII Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника»  М.: ФГУФНЦНИИСИ РАН, 2018. – С. 79.
  4. А.А. Шарапов,  Г.В. Баранов. Анализ факторов воздействия на шероховатость топологических структур Si микроэлектроники// Сборник тезисов 4-й Международной научной конференции «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». М.: Техносфера, 2018. – С.205 – 207.
  5. А.А. Сапегин, М.Ю. Барабаненков, А.Г. Итальянцев, М.Э. Макаров. Принципы построения фотонных АЦП и перспективы их реализации в интегральном исполнении// Сборник тезисов 4 Международной научной конференции «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». М.: Техносфера, 2018. – С. 261 – 262.
  6. G.V. Baranov. The effect of Frenkel pairs components separation during ion implantation into  SiO2–Si structure// Proceedings of the 26 th Int.Symp. «Nanostructures: Physics and Technology»  Minsk.:2018. –Р.146. 
  7. O.M. Orlov, D. R. Islamov, V.A. Gritsenko, A.O. Lebedev, S.V. Ivanov, G.N. Semin, G.Ya. Krasnikov, T.V. Perevalov. Research of charge transport and stress induced leakage current in thermal oxide on silicon// E-MRS 2018 SPRING MEETING Strasbourg, Nanomaterials- electronics & -photonics.Poster Session I. K.PI.47
  8. А.А. Резванов, И.В. Матюшкин, О.П. Гущин, Е.С. Горнев. Моделирование  динамики интегральной диэлектрической проницаемости пористой Low-kорганосиликатной пленки при сухом травлении фоторезиста в О2– плазме//Микроэлектроника. – 2018. –Т. 47. – № 6. –С. 48–59.
  9. П.В. Панасенко, А.В. Волосов, М.Д.Пяточкин. Моделирование тепловых процессов в СВЧ модулях с различными основаниями//  Сборник докладов 3-й Международной научной конференции «Электронная компонентная база и электронные модули». М.: Наноиндустрия. Спецвыпуск, 2018. – №82. –С.443.
  10. А.С. Бенедиктов, Н.А. Шелепин, П.В. Игнатов, А.А. Михайлов, А.Г. Потупчик. Исследование динамических характеристик высокотемпературных элементов КНИ КМОП СБИС// Микроэлектроника. – 2018. –T. 47. –№ 3. C. 222-225.
  11. E. Gornev, M. Litavrin, I. Matyushkin, O. Gutshin, Cellular automata method for directed self-assembly modeling, Micro- and Nanoelectronics – 2018: Proceeding of the International Confererce (October 1-5, 2018, Zvenigorod, Russia):Book of Abstracts / Ed. By V.F. Lukichev and K.V. Rudenko. Compiler V.P. Kudrya. Moscow; MAKS Press, 2018, p. 47
  12. D.A. Zhevnenko, E.S. Gornev, S.S. Vergeles, T.V. Krishtop, V.G. Krishtop, «Modeling of transferring processes in the planar electrochemical sensors»,  Sensors & Actuators Congress, 03-06 September 2018, Stockholm, Sweden, www.iaamonline.org, Proceedings and Abstracts book, p.60. http://dx.doi.org/10.5185/sac2018
  13. Zotovich A., Rezvanov A., Chanson R., Zhang L., Hacker N., Kurchikov K., Klimin S., Zyryanov S.M., Lopaev S., Gornev E., Clemente I., Miakonkikh A., Maslakov K. Low-k protection from F radicals and VUV photons by multilayer pore grafting approach // Journal of Physics D: Applied Physics. – 2018. – V. 51. – № 32. – P. 325202.
  14. Rezvanov A., Gornev E.S., Marneffe J.-F., Armini S. Area selective grafting of siloxane molecules on low-k dielectric with respect to copper surface // Applied Surface Science. – 2019. – V. 476. – № 11. – P. 317.


Интервью Ильи Скуратова, студента 5 курса кафедры


Контактная информация

Заместитель заведующего кафедры: Горнев Евгений Сергеевич,  д.т.н., профессор, лауреат государственной премии СССР, лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники
тел.: +7 495 229-5570 
e-mail: egornev@niime.ru

Секретарь кафедры: Беляев Алексей Юрьевич
тел.: +7 495 229-7094 
e-mail: albelyaev@niime.ru

АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники»
Адрес: 124460, Россия, Москва, Зеленоград, 1-ый Западный проезд, дом 12/1
тел./факс: +7 495 229-7000, +7 495 229-7299 
e-mail: niime@niime.ru
сайт: www.niime.ru

Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

МФТИ в социальных сетях