Адрес e-mail:

Александр Владимирович Рожков

Александр Владимирович Рожков,
д.ф.-м.н., в.н.с. ИТПЭ РАН


Окончил МФТИ в 1994 году,
преподает в МФТИ с 2009 года


Читает курсы: "Упорядоченные многочастичные состояния в конденсированных средах", "Семинар по электродинамике и функциональным материалам"

Рожков Александр Владимирович

Обо мне             


Я поступил на физтех в 1988 году, когда в СССР вовсю шла перестройка. Отучившись шесть положенных лет на ФМХФ (уходящий ректор физтеха Н.Н. Кудрявцев был моим деканом), я получил диплом физика - инженера - исследователя в 1994 году уже в другой стране, в Российской Федерации. Аспирантуру закончил в США, в Университете Калифорнии, Сан Диего. Тема кандидатской диссертации (PhD thesis) – «Джозефсоновское туннелирование через мезоскопическую (сейчас бы сказали «наноразмерную») систему с межчастичным взаимодействием». С 2004 года работаю в Институте теоретической и прикладной электродинамики РАН, занимаюсь теоретической физикой конденсированного состояния. В 2015 году защитил докторскую диссертацию о многочастичных эффектах в электронных системах пониженной размерности [системы пониженной размерности – это двумерные (например, графен) и одномерные (например, нанотрубки) системы; сильно анизотропные материалы тоже могут быть иногда описаны как низкоразмерные].

        Я активно сотрудничаю как с коллегами внутри нашей теоретической группы, так и за ее пределами. Например, сейчас завершаются несколько теоретических работ, выполненных вместе с сотрудниками Сколетха. Также я уже более десяти лет принимаю участие в совместной научной работе с теоретической лабораторией в Институте физики и химии РИКЕН в Японии. Последние годы у меня были удачные примеры сотрудничества с коллективами, базирующимися в США.


         

Круг научных интересов           

  
      Я теоретик, основное поле моей деятельности лежит в области теоретической физики конденсированного состояния. Более конкретно: я интересуюсь в первую очередь поведением электронов в кристаллических телах. На первый взгляд, интерес к таким вопросам должен был остаться в XX веке, когда отцы-основатели квантовой теории стали успешно применять квантовую механику для описания физики твердых тел. Но это лишь на первый взгляд. Физика конденсированного состояния XXI века движима во многом прогрессом в области кристаллохимии. Современные технологии роста кристаллов позволяют синтезировать кристаллические тела с крайне необычными свойствами. За последние десятилетия прочно вошли в научный обиход такие системы, как углеродные нанотрубки, графен, высокотемпературные сверхпроводники (уже «старые» купратные сверхпроводники и уже «стареющие» пниктидные сверхпроводники) и топологические диэлектрики. Электронное строение в этих веществах может быть весьма экзотическим. Например, электроны в графене демонстрируют «релятивистский» закон дисперсии (энергия пропорциональна импульсу, а не его квадрату). У электронных состояний появляются дополнительные симметрии или возникают «топологические» характеристики. Кроме этого, экспериментальные исследования показывают, что многие кристаллы имеют довольно сложную фазовую диаграмму, в которой, например, фаза со сложной магнитной структурой соседствует со сверхпроводящей фазой. Все это делает работу теоретика особенно интересной по двум причинам.

  1. Обилие новых экспериментальных данных – естественная питательная среда для теоретика. Например, мы с коллегами активно занимаемся описанием так называемого подкрученного двуслойного графена: в начале 2019 г. в этой двумерной системе были обнаружены новые электронные фазы, что послужило сильным толчком для теоретических и экспериментальных исследований подкрученного двуслойного графена.

  2. Разнообразие экспериментальных систем раскрепощает теоретическую мысль. Если вы придумали интересный физический эффект, который опирается на определенные экзотические требования к электронному строению вещества, не надо бояться, что вы сработали впустую. Вполне возможно, что кристалл с требуемыми свойствами будет синтезирован, или даже уже синтезирован в какой-нибудь лаборатории. Мы с коллегами недавно предсказали новую электронную фазу, которую назвали «спин-долинный полуметалл». Электрический ток в таком веществе будет переносить не только заряд, но и «спин-долинный» квант. Для стабилизации такого состояния требуется поверхность Ферми с так называемым нестингом. Это условие резко сужает круг материалов-кандидатов, но не делает задачу невозможной. Теперь дело за малым: дождаться преобразования наших идей в твердое, желательно монокристаллическое тело и измерить «спин-долинный» ток с помощью «спин-долинного» амперметра…


Вот список недавних работ, которые могут дать представление о моих нынешних научных интересах:


A.O. Sboychakov, A.L. Rakhmanov, A.V. Rozhkov, and F. Nori, “Bilayer graphene can become a fractional metal,” Physical Review B, vol. 103, p. L081106, Feb 2021

P.E. Dolgirev, A.V. Rozhkov, A. Zong, A. Kogar, N. Gedik, and B.V. Fine, “Amplitude dynamics of the charge density wave in LaTe3: Theoretical description of pump-probe experiments,” Physical Review B, vol. 101, p. 054203, Feb 2020

A. O. Sboychakov, A. V. Rozhkov, A. L. Rakhmanov, and F. Nori, “Many-body effects in twisted bilayer graphene at low twist angles,” Physical Review B, vol. 100, p. 045111, Jul 2019

A. Zong, A. Kogar, Y.-Q. Bie, T. Rohwer, C. Lee, E. Baldini, E. Ergeçen, M. B. Yilmaz, B. Freelon, E. J. Sie, H. Zhou, J. Straquadine, P. Walmsley, P. E. Dolgirev, A. V. Rozhkov, I. R. Fisher, P. Jarillo-Herrero, B. V. Fine, and N. Gedik, “Evidence for topological defects in a photoinduced phase transition,” Nature Physics, vol. 15, pp. 27–31, Jan 2019

A. O. Sboychakov, A. V. Rozhkov, A. L. Rakhmanov, and F. Nori, “Externally controlled magnetism and band gap in twisted bilayer graphene,” Physical Review Letters, vol. 120, p. 266402, Jun 2018

A. V. Rozhkov, A. L. Rakhmanov, A. O. Sboychakov, K. I. Kugel, and F. Nori, “Spin-valley half-metal as a prospective material for spin valleytronics,” Physical Review Letters, vol. 119, p. 107601, Sep 2017


Работа со студентами


      Я имею длительный опыт работы со студентами МФТИ, желающими защищать диплом по теоретической физике. Подготовка физтеха позволяет уже третьекурснику задуматься о научной работе, а студент четвертого курса уже вполне может двигать вперед свой собственный научный проект. Наверное, оптимальный вариант сотрудничества – студент появляется в лаборатории во второй половине своего третьего курса, тогда к началу четвертого вызревает хорошая идея для бакалаврского диплома, которую потом можно расширить и обобщить для публикации. Начало четвертого курса – тоже неплохое время для старта совместной научной работы. (Был и вполне позитивный опыт работы со студентом, пришедшим в лабораторию в начале 5-го курса, но в ситуации такого цейтнота приходится жертвовать нюансами подготовки молодого теоретика ради написания магистерского диплома в срок.) Студенты, защищавшие магистерский диплом под моим руководством, имели к моменту защиты одну опубликованную статью (в Physical Review B) и в большинстве случаев работали над следующей. Вот (неполный) список студенческих работ, написанных с моим участием:

  1. S. V. Kokanova and A. V. Rozhkov, “Disorder correction to the Néel temperature of ruthenium-doped BaFe 2 As 2 : Theoretical analysis,” Physical Review B, vol. 99, p. 075134, Feb 2019

  2. D. A. Khokhlov, A. L. Rakhmanov, and A. V. Rozhkov, “Scattering on a rectangular potential barrier in nodal-line Weyl semimetals,” Physical Review B, vol. 97, p. 235418, Jun 2018

  3. K. S. Mosoyan, A. V. Rozhkov, A. O. Sboychakov, and A. L. Rakhmanov, “Spin-density wave state in simple hexagonal graphite,” Physical Review B, vol. 97, p. 075131, Feb 2018

  4. R. S. Akzyanov, A. V. Rozhkov, A. L. Rakhmanov, and F. Nori, “Tunneling spectrum of a pinned vortex with a robust Majorana state,” Physical Review B, vol. 89, p. 085409, Feb 2014

  5. P. A. Maksimov, A. V. Rozhkov, and A. O. Sboychakov, “Localized electron states near the armchair edge of graphene,” Physical Review B, vol. 88, p. 245421, Dec 2013  

           

Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2021 Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)

Противодействие коррупции | Сведения о доходах

Политика обработки персональных данных МФТИ

Техподдержка сайта | API

Использование новостных материалов сайта возможно только при наличии активной ссылки на https://mipt.ru

МФТИ в социальных сетях