Одним из главных принципов уникальной «системы Физтеха», заложенной в основу образования в МФТИ, является тщательный отбор одаренных и склонных к творческой работе представителей молодежи. Абитуриентами Физтеха становятся самые талантливые и высокообразованные выпускники школ всей России и десятков стран мира.

Студенческая жизнь в МФТИ насыщенна и разнообразна. Студенты активно совмещают учебную деятельность с занятиями спортом, участием в культурно-массовых мероприятиях, а также их организации. Администрация института всячески поддерживает инициативу и заботится о благополучии студентов. Так, ведется непрерывная работа по расширению студенческого городка и улучшению быта студентов.

Адрес e-mail:

Физические и технологические проблемы микроэлектроники

Кафедра базируется в Физико-технологическом институте РАН.Институт организован в 1989 году на базе научного отдела микроэлектроники ИОФАН. Основатель института академик К.А. Валиев создал с сотрудниками уникальную научную школу в области физических основ глубокосубмикронной технологии кремниевых ультрабольших интегральных схем. В настоящее время институт возглавляет ученик К.А. Валиева академик РАН А.А. Орликовский.

Основные направления фундаментальных научно-исследовательских работ института относятся к приоритетным направлениям развития науки и техники и критическим технологиям федерального уровня, утвержденным правительством РФ, включая:

  • фундаментальные исследования;
  • информационные технологии и электроника;
  • производственные технологии;
  • новые материалы и химические продукты.

 

В этой области институт выполняет исследования и разработки в следующих направлениях:

  • физика нанотранзисторов и наноструктур с низкой размерностью (квантовые провода, квантовые точки) и методы их создания;
  • математическое моделирование и теория процессов переноса, туннелирования и квантоворазмерных эффектов в субмикронных и нанометровых полупроводниковых микроструктурах;
  • физические основы функционирования квантовых компьютеров, квантовая информатика и квантовая криптография;
  • исследования наномагнетиков методом гамма-резонансной спектроскопии во внешних переменных магнитных полях; математическое моделирование и теория процессов перемагничивания и токопереноса в ферромагнитных многослойных структурах и сверхрешетках;
  • синтез и исследование фазовых превращений в тонких и сверхтонких пленках и в многослойных структурах для микро- и наноэлектроники; теория и математическое моделирование процессов электромиграции и роста микрополостей при протекании тока в тонких металлических пленках;
  • физика низкотемпературной плазмы молекулярных реактивных газов и взаимодействия плазмы с материалами микроэлектроники; теория и математическое моделирование газодинамических и химических процессов в потоках реагирующих газов, радиационного и конвективного теплообмена, химической кинетики на поверхности;
  • рентгено-дифрактометрия для анализа структурного совершенства многослойных систем с нанометровым разрешением на больших расстояниях от поверхности; исследования наношероховатостей поверхности и межслойных границ методом отражения рентгеновских пучков;
  • физика генерации интенсивного некогерентного вакуумного ультрафиолетового излучения и исследование фотохимических процессов под воздействием ВУФ-излучения;
  • методы формирования высокоинтенсивных, низкоэнергетических и широкоапертурных ионных пучков из металлоорганических соединений и исследование процессов осаждения тонких пленок из ионных пучков.

 

Институт располагает уникальным оборудованием. В составе института имеются следующие научные подразделения:

  • Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов микроэлектроники (ММФТПМ), ­зав. лаб. проф., д. ф.-м. н. Махвиладзе Т.М.
  • Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов (МССП), зав. лаб. чл. корр. РАН, проф. Орликовский А.А.
  • Лаборатория субмикронной литографии (СЛ), зав. лаб. проф., д. ф.-м. н. Великов Л.В.
  • Лаборатория физики поверхности и микроэлектронных структур (ФПМС), зав. лаб. чл.-корр. РАН, проф. Афанасьев А.М.

 

В штате института 1 член-корреспондент РАН, 10 докторов наук, 36 кандидатов наук, в их числе 6 профессоров и 2 доцента.

 

Студенты МФТИ могут избрать для научной работы любую из лабораторий. Они будут обеспечены высококвалифицированным руководством. Все студенты, активно работающие в институте, принимаются по совместительству на должности инженеров на 0,5 ставки. К ежемесячной заработной плате добавляются надбавки из средств, выделяемых по проектам, выполняющимся в рамках Государственных научно-технических программ, РФФИ, РФТР и международных соглашений. Институт сотрудничает с рядом крупных зарубежных компаний и институтов. Это, в частности, фирма Motorola (США), Фраунгоферовский институт технологии микроэлектроники (ФРГ) и др.

 

Институт имеет свою аспирантуру (очную и заочную). Иногородним предоставляется благоустроенное общежитие на юго-западе г. Москвы.

 

Презентация ФТИ РАН Power Point

Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2016 Московский физико-технический институт
(государственный университет)

Техподдержка сайта

МФТИ в социальных сетях

soc-vk soc-fb soc-tw soc-li soc-li
Яндекс.Метрика