Одним из главных принципов уникальной «системы Физтеха», заложенной в основу образования в МФТИ, является тщательный отбор одаренных и склонных к творческой работе представителей молодежи. Абитуриентами Физтеха становятся самые талантливые и высокообразованные выпускники школ всей России и десятков стран мира.

Студенческая жизнь в МФТИ насыщенна и разнообразна. Студенты активно совмещают учебную деятельность с занятиями спортом, участием в культурно-массовых мероприятиях, а также их организации. Администрация института всячески поддерживает инициативу и заботится о благополучии студентов. Так, ведется непрерывная работа по расширению студенческого городка и улучшению быта студентов.

Адрес e-mail:

Все новости

Нанотранзисторы «с четкими границами» обещают новые возможности

опубликовано: 12.12.2009

Ультраминиатюрные транзисторы нового поколения с улучшенными характеристиками были разработаны стараниями исследователей из IBM, Университета Пердью и Калифорнийского Университета в Лос-Анджелесе. В результате научных изысканий была разработана технология формирования нанопроводников из различных материалов, с четким, на уровне атомов, разграничением слоев. Такое разграничение является критическим условием при создании высокоэффективных транзисторов.


Для формирования полупроводниковых компонентов часто используются гетерогенные структуры – включающие, например, кремний и германий. Но до сих пор не было возможности получения нанопроводников с четкими границами между слоями этих материалов, диффундировавших друг с другом, тем самым нарушая оптимальные условия для использования их в качестве транзистора. Кроме того, новая технология, в отличие от традиционной, предполагает вертикальное, а не горизонтальное размещение слоев, формирующих транзистор. Эта особенность может помочь в сокращении места, занимаемого каждым логическим вентилем, и обеспечить возможность дальнейшего наращивания количества транзисторов на чипе во славу закона Мура.



На первом этапе процесса сплав алюминия и золота помещается в вакуумную камеру и нагревается до расплавления. Затем в камеру вводят кремний в виде газа, поглощаемый раствором до состояния насыщения. В результате из перенасыщенного раствора формируются кремниевые нанопроводники, «накрытые» сверху каплей сплава, из которого они осели, и структура в целом напоминает гриб. На следующем этапе температуру в камере снижают, и сплав золото-алюминий остывает. После этого цикл можно повторить, например, с газообразным германием, и в результате получить нанопроводник, содержащий слои кремния и германия с четкими границами.

По мнению исследователей, возможности дальнейшего совершенствования традиционных технологий кремниевых полупроводников будут исчерпаны через 5-10 лет, поэтому исследования альтернативных методик формирования транзисторов становятся все более и более актуальными и необходимыми.

По материалам 3dnews.ru

Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2016 Московский физико-технический институт
(государственный университет)

Техподдержка сайта

МФТИ в социальных сетях

soc-vk soc-fb soc-tw soc-li soc-li
Яндекс.Метрика