Одним из главных принципов уникальной «системы Физтеха», заложенной в основу образования в МФТИ, является тщательный отбор одаренных и склонных к творческой работе представителей молодежи. Абитуриентами Физтеха становятся самые талантливые и высокообразованные выпускники школ всей России и десятков стран мира.

Студенческая жизнь в МФТИ насыщенна и разнообразна. Студенты активно совмещают учебную деятельность с занятиями спортом, участием в культурно-массовых мероприятиях, а также их организации. Администрация института всячески поддерживает инициативу и заботится о благополучии студентов. Так, ведется непрерывная работа по расширению студенческого городка и улучшению быта студентов.

Адрес e-mail:

Приборы полупроводниковой микроэлектроники

Программа курса лекций

«Приборы полупроводниковой микро- и наноэлектроники»

(4 курс, весна, 8 семестр)

доцент Вьюрков В.В.

 

1.    Основные сведения из физики полупроводников: зонная структура, зонная диаграмма, законы дисперсии электронов и дырок, статистика, примеси, механизмы рассеяния, генерация и рекомбинация. Гидродинамические модели (диффузионно-дрейфовые уравнения), классические кинетические модели (уравнение Больцмана, уравнение Власова), квантовые модели (уравнение Ландауэра-Бюттикера). Уравнение Пуассона для самосогласованного поля.

2.    P-n переход: высота барьера, обедненные области, вольтамперная характеристика (квазиуровни Ферми электронов и дырок, формула Шокли). Высокочастотные свойства p-n перехода.

3.    Контакт металл-полупроводник. Омический контакт. Контакт Шоттки: обедненный слой, эффект Шоттки. Вольт-амперные характеристики контакта Шоттки: термоэлектронный, рекомбинационный и туннельные токи.

4.    Гетеропереходы, их свойства и применения.

5.    Биполярные транзисторы. Вольтамперные характеристики биполярного транзистора. Коэффициент усиления тока, частота отсечки. Гетероструктурные биполярные транзисторы.

7.    Полевые транзисторы на основе МОП-структур. Образование инверсионного слоя, вольт-амперные характеристики, высокочастотные свойства, полевая зависимость подвижности, эффекты деградации. Пороговое напряжение, подпороговый и надпороговый режимы работы. Эффекты короткого канала. Полевые транзисторы на подложке «кремний на изоляторе».

8.    Низкоразмерные структуры: квантовые ямы, квантовые нити, квантовые точки. Квантование проводимости. Искусственные и природные низкоразмерные структуры: кремниевые нанопровода, графен, углеродные нанотрубки, фуллерены, молекулы.

9.    Новые принципы работы и конструкции приборов наноэлектроники: туннельные структуры, структуры с резонансным туннелированием, интерференционные структуры, структуры с одномерной и ноль-мерной проводимостью, одноэлектронные структуры, спиновые структуры.

9.    Квантовые компьютеры: квантовые алгоритмы, квантовые биты, запутанные состояния, декогеренция, универсальный квантовый компьютер, структуры твердотельного квантового компьютера. Теорема о запрете клонирования квантовой системы, нарушение принципов реализма и локальности в квантовой механике. Квантовая коммуникация.  


Задачи к курсу "Приборы полупроводниковой микро- и наноэлектроники" можно скачать тут.

Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

© 2001-2016 Московский физико-технический институт
(государственный университет)

Техподдержка сайта

МФТИ в социальных сетях

soc-vk soc-fb soc-tw soc-li soc-li
Яндекс.Метрика