Адрес e-mail:

Мемристор. Изготовление структуры и исследование ее свойств.

Данный лабораторный практикум направлен на ознакомление студентов 5 курса ФФКЭ МФТИ с новейшими методами создания и исследования устройств современной микроэлектроники, а именно, мемристоров на основе оксидов металлов.

Практикум рассчитан на два занятия длительностью 3 часа.

Теоретическая часть работы посвящена обсуждению физических принципов мемристора на основе оксидов металлов, в частности, современных моделей изменения проводимости оксидов металлов – функциональной среды мемристора – под действием электрического поля.

Экспериментальная часть работы заключается в изготовлении мемристорной МДМ-структуры Pt/HfxAl1- xOy/TiN в соответствии процедурой, общепринятой в современной практике. Изготовление мемристора включает в себя процессы подготовки подложки, напыления металлических слоев и атомно-слоевого осаждения тонкого диэлектрического слоя. Исследование электрофизических характеристик мемристора включает в себя измерение вольт-амперной характеристики полного цикла резистивного переключения мемристора и вольт-амперной характеристики с набором сопротивлений.

При подготовке данного пособия использованы оригинальные научные работ, часть которых приведены в списке литературы.

 

Методическое пособие

 

Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

МФТИ в социальных сетях

soc-vk soc-fb soc-tw soc-li soc-li soc-yt
Яндекс.Метрика