Одним из главных принципов уникальной «системы Физтеха», заложенной в основу образования в МФТИ, является тщательный отбор одаренных и склонных к творческой работе представителей молодежи. Абитуриентами Физтеха становятся самые талантливые и высокообразованные выпускники школ всей России и десятков стран мира.

Студенческая жизнь в МФТИ насыщенна и разнообразна. Студенты активно совмещают учебную деятельность с занятиями спортом, участием в культурно-массовых мероприятиях, а также их организации. Администрация института всячески поддерживает инициативу и заботится о благополучии студентов. Так, ведется непрерывная работа по расширению студенческого городка и улучшению быта студентов.

Адрес e-mail:

Микро- и наноэлектроника

Заведующий кафедрой: Геннадий Яковлевич Красников, академик РАН, д.т.н., профессор, генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон», генеральный директор АО «НИИМЭ», руководитель межведомственного Совета главных конструкторов по ЭКБ РФ, лауреат Государственной премии РФ, дважды лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники, награжден Орденом Почета, Орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени, Орденом Дружбы, медалью ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий». Академик Красников - автор и соавтор 312 научных работ в отечественных и зарубежных рецензируемых изданиях, четырех научных монографий и более 40 авторских свидетельств и патентов. 


Заместитель заведующего кафедрой: Евгений Сергеевич Горнев, д.т.н., профессор, лауреат государственной премии СССР, лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники.


Базовые предприятия: 


Контакты:

Зам. зав. кафедрой: 

Горнев Евгений Сергеевич

Тел. 8(495) 229-55-70

e-mail: egornev@mikron.ru


Секретарь кафедры

Беляев Алексей Юрьевич

Тел. 8(495) 229-70-94

e-mail: albelyaev@mikron.ru


Год основания кафедры: 2011.


  • Исследование и разработка технологического процесса формирования  изображений интегральных микросхем в резистивных и технологических слоях с минимальными наноразмерами (моделирование, создание и применение новых материалов, нового оборудования, новых процессов фотолитографии). Результатами работ становятся сформированные рисунки на фоторезисте, новые технологии плазмохимического травления.
  • Исследование структурных и электрических свойств материалов на основе оксида гафния, выращенных методом атомно-слоевого осаждения, изучение возможностей и перспектив  использования их наноразмерных слоев в элементах энергонезависимой памяти типа FRAM и ReRAM. В настоящее время научный коллектив ведет разработки по созданию устройств энергонезависимой памяти, основанных на новых принципах быстродействия и обладающих улучшенной стойкостью или большим ресурсом переключения.
  • Исследование материалов для функциональных элементов и межсоединений устройств микро- и наноэлектроники.
  • Исследование и создание функциональных элементов современной и перспективной микро- и наноэлектроники - транзисторных структур, таких как   транзисторные структуры с вертикальным каналом, FinFet транзисторы.
  • Исследование и разработка микро-электро-механических (МЭМС технология), микроэлектронных и других структур на основе активных материалов.   
  • Исследование закономерностей технологических процессов радиофотоники  для  высокочастотных оптических АЦП.
  • Исследование трехмерных интегрированных структур для многофункциональных гибридных сборок.
  • Исследование и разработка автономных навигационных систем датчиков и преобразователей для  БИНС бесплатформенных инерциальных навигационных систем.
  • Разработка широкополосных высокочувствительных молекулярно-электронных датчиков нового поколения для сейсмо- и  гидроакустической разведки – высокоточные   молекулярно-электронные сейсмодатчики  на основе массовой планарной микроэлектронной технологии с качественно новыми выходными параметрами, способные  составить серьезную конкуренцию существующим технологиям. Разработки устройств регистрации механических сигналов на основе молекулярно-электронных преобразователей (МЭП-технологии) позволят в будущем создать приборы и системы, предназначенные для решения различных задач. 
  • Разработка физико-технологических моделей процессов изготовления современных интегральных микросхем.
  • Исследование и разработка современных интегральных схем: аналого-цифровых преобразователей, схем памяти, программируемых логических интегральных схем, схем управления питанием. Результатом работ стала разработка ряда сложных микросхем. Среди них следует отметить высокоскоростной параллельный АЦП с временем преобразования 4нс, микросхемы схем управления питанием, в том числе  со встроенными индуктивными элементами. Также студенты принимают участие в разработке программирования логических интегральных схем (ПЛИС). В настоящий момент разрабатывается серия базовых матричных кристаллов на основе технологии КНИ 0,24мкм.
  • Исследование и разработка сложнофункциональной компонентной базы для систем связи и радиолокации на основе активных фазированных антенных решеток (АФАР), а также для цифровых антенных решеток (ЦАР).
  • Исследование и разработка трехмерных гетероинтегрированных радиоэлектронных узлов на основе TSV-интерпозеров для построения модулей планарных АФАР (ЦАР).

Уникальная образовательная программа,  зарубежные стажировки, национальные и международные конференции и другие мероприятия для обмена опытом с ведущими учеными в области современной микроэлектроники позволяют молодым специалистам успешно интегрироваться в научно-исследовательские проекты на базе АО «НИИМЭ» еще в процессе обучения.

4 курс

  1. Метрологическое обеспечение наноэлектроники, лекции, Бегишев А.Р. 
  2. Современные методы математического моделирования, лекции, к.ф-м.н, доц. Матюшкин И.В.
  3. Семинар по современным проблемам микроэлектроники, д.т.н., проф. Горнев Е.С.
  4. Введение в микроэлектронику. Основы схемотехники, лекции, к.т.н. Эннс В.В.
  5. Физика полупроводниковых приборов, лекции, к.т.н., доцент, Плотников Ю.И.
  6. Моделирование технологических процессов микроэлектроники, семинары, к.ф-м.н, доц.  Матюшкин И.В.
  7. Моделирование в среде TCAD, лекции, к.ф-м.н, доц. Матюшкин И.В.
  8. Физико-химия поверхности материалов микро и наноэлектроники, лекции, к.х.н., доц. Бокарев В.П.

5 курс 

  1. Основные технологические процессы микро и наноэлектроники, лекции, Игнатов П.В. 
  2. Физика процессов  в монокристаллическом кремнии, лекции, д.ф-м.н., проф. Итальянцев А.Г.
  3. Семинар по современным проблемам микроэлектроники, д.т.н., проф. Горнев Е.С.
  4. Проектирование аналоговых микросхем, лекции,  к.т.н., доц. Эннс В.И., к.т.н. Карташов Д.А.
  5. Технология микроэлектроники на базе сложных полупроводниковых соединений, лекции, к.т.н., Волосов А.В.
  6. Современные процессы литографии, Ph.D Aselta (Франция) Постников С.В.
  7. Математическое моделирование микро- и наносистем, лекции,  к.ф-м.н, доц. Матюшкин И.В.
  8. Интеграция  технологических процессов микро и наноэлектроники, лекции, Игнатов П.В.
  9. Физика дефектов в технологии микро и наноэлектроники, лекции, проф., д.ф.-м.н. Масловский В.М.
  10. Проектирование микроэлектронных изделий с топологическими нормами до 90 нм, лекции, к.т.н. Ракитин В.В. 
  11. Основы схемотехники СВЧ микросхем, лекции, д.т.н. Ефимов А.Г. 

6 курс

  1. Квантово-химическое моделирование в наноэлектронике, семинар, к.ф-м.н, доц. Матюшкин И.В.
  2. Физико-химические основы формирования и свойства диэлектичеких слоев для микро- и наноэлектроники, лекции, д.х.н., проф. Бакланов М.Р.(IMEC).
  3. Семинар по современным проблемам микроэлектроники д.т.н., проф. Горнев Е.С.
  4. Фотонные интегральные схемы, лекции, к.ф.-м.н., доцент, Свидзинский К.К.

АО «НИИМЭ» - научно-исследовательский центр компании ОАО «НИИМЭ и Микрон». Предприятия образуют единый крупнейший в России комплекс по проведению научно-технологических исследований, разработке и производству микроэлектронных изделий. В настоящее время в «НИИМЭ» работает более 400 специалистов высокой квалификации. Предприятие на постоянной основе сотрудничает с более чем 60 российскими и зарубежными научными центрами, техническими университетами и центрами проектирования. Такими как IMEC (Бельгия), CEA-Leti (Франция), Technische Universiteit Delft (Голландия), Ecole Speciale de Lausanne (Швейцария), Aselta (Франция), Leland Stanford Junior University (США), Mapper Lithography (Голландия). АО «НИИМЭ» проводит научные исследования и опытно-конструкторские работы по федеральным программам Минпромторга РФ, Минобрнауки России, а также инициативные работы за счет собственных средств. Работы проводятся с различными российскими и зарубежными партнерами в рамках программ по развитию ЭКБ; по  изготовлению кристаллов микросхем в режиме Foundry для предприятий-партнеров, а также по разработке и освоению серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения. Студенты кафедры «микро- и наноэлектроника» успешно совмещают образовательный процесс в МФТИ с научно-практической деятельностью в АО «НИИМЭ». Все выпускники кафедры принимают участие в НИОКР, в том числе работах в рамках госзаказов, которые ведутся в подразделениях.


Выпускники кафедры - высококвалифицированные специалисты полупроводниковой индустрии. Уровень подготовки специалистов отвечает высоким международным стандартам. На кафедре  работают 7 профессоров - докторов наук и 7 доцентов - кандидатов наук, а также ведущие специалисты  базовой организации. Наши студенты имеют возможность стажироваться  (на основе партнерских программ стажировок) в ведущих мировых научно-исследовательских центрах и лабораториях микро- и наноэлектроники, таких как IMEC (Бельгия), CEA-Leti (Франция), Technische Universiteit Delft (Голландия), Ecole Speciale de Lausanne (Швейцария), Aselta (Франция). Так в 2014 году трехмесячную преддипломную стажировку прошли три студента. Еще одной особенностью кафедры является возможность обмениваться знаниями и навыками на крупнейших международных отраслевых конференциях. 

начальник лаборатории низкоразмерных транзисторных структур АО «НИИМЭ», выпускник магистратуры физтеха (2014г.), аспирант МФТИ. Стажировался в одном из ведущих мировых научно-исследовательских центров микро- и наноэлектроники – IMEC (Interuniversity Microelectronics Centre) в Левене (Бельгия).

младший научный сотрудник отдела перспективных технологий и приборов АО «НИИМЭ», выпускница физтеха (2014г.). Поступила в докторантуру Федеральной политехнической школы Лозанны «Ecole Speciale de Lausanne», Швейцария.

научный сотрудник отдела функциональной электроники АО «НИИМЭ», выпускник физтеха (2015г.). Участник 4 НИОКР. Продолжает обучение в аспирантуре МФТИ.

научный сотрудник объединенного отдела функциональной электроники АО «НИИМЭ», выпускник магистратуры физтеха (2014г). Участник 2 ОКР и 1 НИР. В настоящий момент продолжает обучение в аспирантуре МФТИ.

выпускник магистратуры (2014г). Продолжает обучение в аспирантуре ведущего мирового научно-исследовательского центра микро- и наноэлектроники – IMEC (Interuniversity Microelectronics Centre) в Левене (Бельгия)..

инженер-конструктор отдела новых продуктов АО «НИИМЭ», выпускник магистратуры физтеха (2015г). В настоящий момент продолжает обучение в аспирантуре МФТИ.

младший научный сотрудник отдела перспективных технологий и приборов АО «НИИМЭ», выпускник магистратуры физтеха (2016г). Стажируется в научно-исследовательском центре микро- и наноэлектроники – IMEC (Interuniversity Microelectronics Centre) в Левене (Бельгия).


  1. «Метод верификации RTL-описаний цифровых схем, тактируемых несколькими синхросигналами», журнал «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника 3 (159)», стр.55-59. Л.Г. Нидеккер, М.Н. Алексеев, В.И. Эннс, В.В. Зайцев.
  2. «Математическое моделирование», журнал «Электромагнитная волна в среде с нестационарными проницаемостями. Часть1», 2015г, т.27, №12, стр.48-64. И.В. Матюшкин, Г.Я. Красников, Н.В. Черняев, Е.С. Горнев, Н.В. Евстратов.
  3. «Обзор конструктивно-технологических решений, используемых при разработке высокотемпературных транзисторов на структурах кремний на изоляторе», журнал «Электронная Техника. Серия 3. Микроэлектроника». А.С. Бенедиктов.
  4. «Измерение жесткости АСМ-кантилевера по спектру тепловых шумов», журнал «Известия РАН. Серия физическая», 2013г, т.77, №8, стр.1073-1075. И.М. Маловичко.
  5. «Разработка и применение метода мягкого подвода АСМ-зонда», журнал «Известия РАН. Серия физическая»,  2013г, т.77, №8, стр.1070-1072. И.М. Маловичко.


  • «Метод расчета изобар адсорбции фторуглерод содержащих соединений пористых low-k диэлектриков при криогенном травлении»,  VI Всероссийская конференция молодых ученых «Микро-, нанотехнологии и их применение» им. Ю.В. Дубровского, 2014г, г. Черноголовка. Резванов А.А., Могильников К.П., Гущин О.П.
  • Верификации цифровых схем с несколькими сигналами синхронизации», 58-я научная конференция МФТИ, 2015г, г. Долгопрудный. Л.Г. Нидеккер и др.
  • «Квантово-химические расчеты кластеров SinOm», 58-я научная конференция МФТИ, 2015г, г. Долгопрудный и NDTCS-2015г, г. Гродно, Беларусь. Н.В. Евстратов.
  • «Сегнетоэлектрическая оперативная память (FRAM) на основе ALD процессов», Международный семинар атомно-слоевого осаждения (Россия), 2015г, г. Долгопрудный.  Р.А. Измайлов и др.
  • «Изобары адсорбции  фторуглеродных соединений при криогенно-плазменном травлении low диэлектриков», MRS-2015 Spring Meeting, г. Сан-Франциско, США. San Francisco, USA.
  • «Измерение температуры тонких пористых low-k пленок при адсорбции фторуглеродных соединений при криогенного травления», PESM-2015, г. Левен, Бельгия. Резванов А.А. и др.
  • «Моделирование при помощи клеточных автоматов воздействия кислородосодержащей плазмы на общие свойства SiOCH low-k диэлектрика», PESM-2015, г. Левен, Бельгия. А.А. Резванов и др.
  • «Исследование и разработка элементов энергозависимой памяти ReRAM, FRAM на основе использования процессов ALD», международная конференция «Микроэлектроника-2015», г. Алушта.,  Д.Д. Воронов и др.   
  • «Исследование повреждений low-k диэлектриков при плазменном травлении», Silicon-2014, г. Иркутск.
  • «Моделирование режимов работы элемента памяти на основе слоя нитрида кремния», 58-я научная конференция МФТИ, 2015г, г. Долгопрудный.  Р.А. Измайлов и др.   
  • «Исследование повреждений low-k диэлектриков при криогенном травлении», международная конференция «Микроэлектроника-2015», г. Алушта, Россия. А.А. Резванов  и др.   
  • «Клеточно-автоматная модель воздействия кислородосодержащей плазмы на макроскопическую диэлектрическую проницаемость пористого SiOCH диэлектрика», 58-я научная конференция МФТИ, 2015г, г. Долгопрудный. А.А. Резванов и др.   
  • Использование высших гармоник колебаний кантилевера при исследовании объектов в жидкой среде методом АСМ», 58-я научная конференция МФТИ, 2015г, г. Долгопрудный. А.Р. Шляхов и др.   
  • «Моделирование работы МОП-транзисторов на структурах КНИ при высоких температурах», 10-я отраслевая научно-техническая конференция молодых специалистов Росатома «Высокие технологии в атомной отрасли. Молодежь в инновационном процессе», г. Нижний Новгород. А.С. Бенедиктов, П.В. Игнатов.
  • «Компьютерное моделирование и экспериментальные исследования функционирования КНИ МОП-транзисторов при высоких температурах», международная конференция «Микроэлектроника-2015», г. Алушта. А.С. Бенедиктов  и др. 
  • «Разработка высокотемпературной активной элементной базы, выполненной на структурах КНИ с проектными нормами 0,5мкм», научно-практическая конференция Всероссийского инженерного конкурса «Подготовка инженерных кадров в России: состояние и стратегические перспективы-взгляд молодых». А.С. Бенедиктов и др.   
  • «Особенности работы радиационностойких КНИ МОП-транзисторов при температурах окружающей среды ≥ 125оС», 58-я научная конференция МФТИ, 2015г, г.Долгопрудный. А.С. Бенедиктов и др.   
  • «Исследование конструктивно-технологических решений для разработки элементной компонентной базы высокотемпературной микроэлектроники на структурах кремний на изоляторе», научно-практическая конференция в составе деловой программы 3-й Национальной ежегодной выставки-форума ВУЗПРОМЭКСПО-2015. А.С. Бенедиктов.
  • «Математическая модель ячейки энергонезависимой FLOTOX памяти», VI Всероссийская конференция молодых ученых «Микро-, нанотехнологии и их применение» им. Ю.В. Дубровского, 2014. Д.Д. Воронов и др.   
  • «Процесс тримминга фоторезиста при формировании КМОП СБИС структур с проектными нормами менее 90нм», 56-я научная конференция МФТИ, 2015г, г.Долгопрудный. Бурякова Т.Л. и др.
  • «Тримминг высокоплотной HBr/O2 и Cl2/O2 плазмах при формировании затворов с  минимальными размерами 90нм, 57-я научная конференция МФТИ, 2015г, г.Долгопрудный. Бурякова Т.Л. и др.
  • «Тримминг фоторезиста при формировании стека затворов 65-45 нм с исходными проектными нормами 90 нм», Международная конференция «Микроэлектроника-2015», г.Крым, Алушта. Бурякова Т.Л. и др.
  • «Тримминг фоторезиста как способ усиления разрешения оптической литографии», «Электронная промышленность. Серия 3. Микроэлектроника», 2016. Бурякова Т.Л., Гущин О.П., Горнев Е.С., Данила А.В., Поляков А.Н.
  • Если вы заметили в тексте ошибку, выделите её и нажмите Ctrl+Enter.

    © 2001-2016 Московский физико-технический институт
    (государственный университет)

    Техподдержка сайта

    МФТИ в социальных сетях

    soc-vk soc-fb soc-tw soc-li soc-li
    Яндекс.Метрика