Физических и технологических проблем микроэлектроники

Кафедра базируется в Физико-технологическом институте РАН. Институт создан в 1989 году специальным постановлением СМ СССР на базе научного отдела микроэлектроники ИОФАН. Институт возглавляет академик РАН К. А. Валиев, создавший с сотрудниками уникальную научную школу в области физических основ глубокосубмикронной технологии кремниевых ультрабольших интегральных схем.

Основные направления фундаментальных научно-исследовательских работ института относятся к приоритетным направлениям развития науки и техники и критическим технологиям федерального уровня, утвержденным правительством РФ, включая:

фундаментальные исследования;
информационные технологии и электроника;
производственные технологии;
новые материалы и химические продукты.

В этой области институт выполняет исследования и разработки в следующих направлениях:

физика нанотранзисторов и наноструктур с низкой размерностью (квантовые провода, квантовые точки) и методы их создания; математическое моделирование и теория процессов переноса, туннелирования и квантоворазмерных эффектов в субмикронных и нанометровых полупроводниковых микроструктурах;
физические основы функционирования квантовых компьютеров, квантовая информатика и квантовая криптография;
исследования наномагнетиков методом гамма-резонансной спектроскопии во внешних переменных магнитных полях; математическое моделирование и теория процессов перемагничивания и токопереноса в ферромагнитных многослойных структурах и сверхрешетках;
синтез и исследование фазовых превращений в тонких и сверхтонких пленках и в многослойных структурах для микро- и наноэлектроники; теория и математическое моделирование процессов электромиграции и роста микрополостей при протекании тока в тонких металлических пленках;
физика низкотемпературной плазмы молекулярных реактивных газов и взаимодействия плазмы с материалами микроэлектроники; теория и математическое моделирование газодинамических и химических процессов в потоках реагирующих газов, радиационного и конвективного теплообмена, химической кинетики на поверхности;
рентгено-дифрактометрия для анализа структурного совершенства многослойных систем с нанометровым разрешением на больших расстояниях от поверхности; исследования наношероховатостей поверхности и межслойных границ методом отражения рентгеновских пучков;
физика генерации интенсивного некогерентного вакуумного ультрафиолетового излучения и исследование фотохимических процессов под воздействием ВУФ-излучения;
методы формирования высокоинтенсивных, низкоэнергетических и широкоапертурных ионных пучков из металлоорганических соединений и исследование процессов осаждения тонких пленок из ионных пучков.

Институт располагает уникальным оборудованием. В составе института имеются следующие научные подразделения:

Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов микроэлектроники (ММФТПМ) зав. лаб. проф., д. ф.-м. н. Махвиладзе Т.М.
Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов (МССП) - зав. лаб. чл. корр. РАН, проф. Орликовский А.А.
Лаборатория субмикронной литографии (СЛ) - зав. лаб. проф., д. ф.-м. н. Великов Л.В.
Лаборатория физики поверхности и микроэлектронных структур (ФПМС) - зав. лаб. чл.-корр. РАН, проф. Афанасьев А.М.
Лаборатория физических основ квантовых вычислений – зав. лаб. академик РАН, проф. Валиев К.А.

В штате института 1 член-корреспондент РАН, 10 докторов наук, 36 кандидатов наук, в их числе 6 профессоров и 2 доцента.

Студенты МФТИ могут избрать для научной работы любую из лабораторий. Они будут обеспечены высококвалифицированным руководством. Все студенты, активно работающие в институте, принимаются по совместительству на должности инженеров на 0,5 ставки. К ежемесячной заработной плате добавляются надбавки из средств, выделяемых по проектам, выполняющимся в рамках Государственных научно-технических программ, РФФИ, РФТР и международных соглашений. Институт сотрудничает с рядом крупных зарубежных компаний и институтов. Это, в частности, фирма Motorola (США), Фраунгоферовский институт технологии микроэлектроники (ФРГ) и др.

Институт имеет свою аспирантуру (очную и заочную). Иногородним предоставляется благоустроенное общежитие на юго-западе г. Москвы.

Презентация ФТИ РАН Power Point