Кафедра базируется в Физико-технологическом институте РАН. Институт создан в 1989 году специальным постановлением СМ СССР на базе научного отдела микроэлектроники ИОФАН. Институт возглавляет академик РАН К. А. Валиев, создавший с сотрудниками уникальную научную школу в области физических основ глубокосубмикронной технологии кремниевых ультрабольших интегральных схем.
Основные направления фундаментальных научно-исследовательских работ института относятся к приоритетным направлениям развития науки и техники и критическим технологиям федерального уровня, утвержденным правительством РФ, включая:
- фундаментальные исследования;
- информационные технологии и электроника;
- производственные технологии;
- новые материалы и химические продукты.
В этой области институт выполняет исследования и разработки в следующих направлениях:
- физика нанотранзисторов и наноструктур с низкой размерностью (квантовые провода, квантовые точки) и методы их создания; математическое моделирование и теория процессов переноса, туннелирования и квантоворазмерных эффектов в субмикронных и нанометровых полупроводниковых микроструктурах;
- физические основы функционирования квантовых компьютеров, квантовая информатика и квантовая криптография;
- исследования наномагнетиков методом гамма-резонансной спектроскопии во внешних переменных магнитных полях; математическое моделирование и теория процессов перемагничивания и токопереноса в ферромагнитных многослойных структурах и сверхрешетках;
- синтез и исследование фазовых превращений в тонких и сверхтонких пленках и в многослойных структурах для микро- и наноэлектроники; теория и математическое моделирование процессов электромиграции и роста микрополостей при протекании тока в тонких металлических пленках;
- физика низкотемпературной плазмы молекулярных реактивных газов и взаимодействия плазмы с материалами микроэлектроники; теория и математическое моделирование газодинамических и химических процессов в потоках реагирующих газов, радиационного и конвективного теплообмена, химической кинетики на поверхности;
- рентгено-дифрактометрия для анализа структурного совершенства многослойных систем с нанометровым разрешением на больших расстояниях от поверхности; исследования наношероховатостей поверхности и межслойных границ методом отражения рентгеновских пучков;
- физика генерации интенсивного некогерентного вакуумного ультрафиолетового излучения и исследование фотохимических процессов под воздействием ВУФ-излучения;
- методы формирования высокоинтенсивных, низкоэнергетических и широкоапертурных ионных пучков из металлоорганических соединений и исследование процессов осаждения тонких пленок из ионных пучков.
Институт располагает уникальным оборудованием. В составе института имеются следующие научные подразделения:
- Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов микроэлектроники (ММФТПМ) зав. лаб. проф., д. ф.-м. н. Махвиладзе Т.М.
- Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов (МССП) - зав. лаб. чл. корр. РАН, проф. Орликовский А.А.
- Лаборатория субмикронной литографии (СЛ) - зав. лаб. проф., д. ф.-м. н. Великов Л.В.
- Лаборатория физики поверхности и микроэлектронных структур (ФПМС) - зав. лаб. чл.-корр. РАН, проф. Афанасьев А.М.
- Лаборатория физических основ квантовых вычислений – зав. лаб. академик РАН, проф. Валиев К.А.
В штате института 1 член-корреспондент РАН, 10 докторов наук, 36 кандидатов наук, в их числе 6 профессоров и 2 доцента.
Студенты МФТИ могут избрать для научной работы любую из лабораторий. Они будут обеспечены высококвалифицированным руководством. Все студенты, активно работающие в институте, принимаются по совместительству на должности инженеров на 0,5 ставки. К ежемесячной заработной плате добавляются надбавки из средств, выделяемых по проектам, выполняющимся в рамках Государственных научно-технических программ, РФФИ, РФТР и международных соглашений. Институт сотрудничает с рядом крупных зарубежных компаний и институтов. Это, в частности, фирма Motorola (США), Фраунгоферовский институт технологии микроэлектроники (ФРГ) и др.
Институт имеет свою аспирантуру (очную и заочную). Иногородним предоставляется благоустроенное общежитие на юго-западе г. Москвы.
Презентация ФТИ РАН Power Point
Контакты:
Адрес: Физико-технологический институт РАН, 117218, Москва, Нахимовский просп., д. 36, корпус 1
Схема проезда: посмотреть на карте
Зав. кафедрой: Орликовский Александр Александрович
профессор, д.ф.-м.н., академик РАН
телефон: 125-3826, 332-4915
Зам. зав. кафедрой: Вьюрков Владимир Владимирович
к.ф.-м.н.
Секретарь: Лукьянова Ирина Юрьевна
телефон: 332-4916
E-mail: orlikovsky@ftian.oivta.ru
Официальный сайт: http://www.ftian.ru/