Чтобы получить новую ячейку памяти, ученые сначала осадили на графене нановолокна оксида ванадия (V2O5), затем протравили образец, облучая его ионами аргона. Аргон удаляет графен, не защищенный волокнами. Такой простой способ позволяет создавать узкие графеновые наноленты - меньше 20 нанометров шириной - под нановолокнами, которые легко смываются водой. В отличие от литографии, новый метод дает образцы с гладкими краями, которые не нарушают характеристик получаемых приборов.
Меняя полярность импульсов напряжения, исследователи переключали прибор между состояниями, соответствующими «1» и «0». На работу устройства памяти влияет поведение зарядов, окружающих наноленту. Их удерживают молекулы воды, адсорбированные подложкой из оксида кремния (SiO2), на которой изготовлено устройство.
Новая графеновая нанопамять, уверяют разработчики, не только очень маленькая, но и очень быстрая. «Кроме того, наши ячейки памяти очень прочные и универсальные. Их можно использовать и как статическое ОЗУ (оперативное запоминающее устройство), так и в качестве энергонезависимой флеш-памяти с ультра высокой плотностью записи.
