Одним из главных принципов уникальной «системы Физтеха», заложенной в основу образования в МФТИ, является тщательный отбор одаренных и склонных к творческой работе представителей молодежи. Абитуриентами Физтеха становятся самые талантливые и высокообразованные выпускники школ всей России и десятков стран мира.

Студенческая жизнь в МФТИ насыщенна и разнообразна. Студенты активно совмещают учебную деятельность с занятиями спортом, участием в культурно-массовых мероприятиях, а также их организации. Администрация института всячески поддерживает инициативу и заботится о благополучии студентов. Так, ведется непрерывная работа по расширению студенческого городка и улучшению быта студентов.

Карта сайта

Регистрация

Телефонный справочник

Поддержать МФТИ

МФТИ является одним из ведущих технических вузов России. Институт по праву занимает лидирующее место по качественному приему абитуриентов и квалифицированной подготовке выпускников. Студенты и выпускники МФТИ являются представителями узкого круга лиц, которые, благодаря окружающим их возможностям междисциплинарного научного образования, могут в полной мере реализовать свой потенциал.

Уникальная «Система обучения Физтеха» является одним из лучших подходов к образованию, что доказывает ее существование почти в неизменном виде уже более 60 лет. Получение фундаментального образования в области математики и физики, предварительное знакомство с избранной специализацией наряду с приобретением навыков самостоятельной работы уже на 4м курсе обеспечивают каждого студента объемом знаний и опыта полноценного ученого. Таким образом, к окончанию обучения студенты уже имеют значительные достижения в избранном ими направлении деятельности.

Исследования в МФТИ охватывают широкий круг областей теоретической и экспериментальной физики, энергетики и биомедицины, химии и прикладной математики. Поддержка ряда государственных и частных научных и инвестиционных фондов позволяет нашим ученым каждый день вести разработки на переднем крае науки, чтобы сделать мир более совершенным, удобным и безопасным.

ЦКП МФТИ

Печать DOC PDF

Участие в федеральных целевых программах

В ходе выполнения проекта по Соглашению о предоставлении субсидии от 22 августа 2014 г. № 14.594.21.0009 с Минобрнауки России в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014- 2020 годы» на этапе № 2 в период с 1 января 2015 г. по 30 июня 2015 г. в соответствии с Планом-графиком проводились следующие работы:

‑ произведена закупка расходных материалов для обеспечения деятельности ЦКП на сумму 2,72 млн. руб. за счет средств субсидии;

‑ проведены конкурсы на закупку дорогостоящего научного оборудования, стоимостью свыше 1 млн. рублей (установка для вакуумного осаждения тонких пленок (код ОКДП 3321174, код ОКВЭД 33.30), принтер для печатной электроники (код ОКДП 2949122, код ОКВЭД 29.56), комплект оборудования для измерения спектров пропускания и отражения тонких пленок и суспензий, а также для измерения спектральных и фотометрических характеристик в диапазоне длин волн 200-1100 нм (код ОКДП 3321144, код ОКВЭД 33.20)), общей стоимостью 46,46 млн. руб.;

‑ произведена закупка расходных материалов за счет внебюджетных средств;

‑ проведены работы по содержанию и ремонту научного оборудования ЦКП;

‑ разработана новая методика измерений толщин тонких пленок в диапазоне от 3 до 30 нм методом рефлектометрии.;

‑ проведён семинар на тему метрологического обеспечения деятельности ЦКП с целью развития кадрового потенциала ЦКП МФТИ;

‑ проведены работы по поддержке и актуализации сайта ЦКП МФТИ;

‑ разработан технологический регламент для проведения операции атомно-слоевого осаждения сегнетоэлектрических пленок;

‑ организовано участие представителя ЦКП МФТИ в конференции по вопросам поддержки и развития центров коллективного пользования научным оборудованием и уникальных научных установок.

В ходе выполнения проекта по Соглашению о предоставлении субсидии от 22 августа 2014 г. № 14.594.21.0009 с Минобрнауки России в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014- 2020 годы» на этапе № 3 в период с 1 июля 2015 г. по 31 декабря 2015 г. в соответствии с Планом-графиком проводились следующие работы:

‑ произведена закупка современного дорогостоящего научного оборудования, стоимостью свыше 1 млн. рублей (комплект оборудования для вакуумного осаждения тонких пленок (код ОКДП 3321174, код ОКВЭД 33.30), принтер для печатной электроники (код ОКДП 2949122, код ОКВЭД 29.56), комплект оборудования для измерения спектров пропускания и отражения тонких пленок и суспензий, а также для измерения спектральных и фотометрических характеристик в диапазоне длин волн 200-1100 нм (код ОКДП 3321144, код ОКВЭД 33.20)),общей стоимостью 46,46 млн. руб.;

‑ проведены работы по содержанию и ремонту научного оборудования ЦКП и подготовке помещений для размещения технологического оборудования;

‑ разработана новая методика измерений толщин МИМ-структур (металл-изолятор-металл) методом рефлектометрии.;

‑ в рамках работ по развитию кадрового потенциала ЦКП инициирована программа повышения качества владения сотрудниками ЦКП английским языком совместно с ЦЯПТ МФТИ;

‑ проведены работы по метрологическому обеспечению деятельности ЦКП;

‑ получена аккредитация в ООО Технопарк "Сколково";

- разработан технологический регламент для проведения операции вакуумного напыления тонких металлических пленок;

‑ проведены работы по поддержке в организации Международного Семинара "Атомное слоевое осаждение: Россия, 2051" (ALD: Russia, 2015) с участием сотрудников ЦКП в программе семинара.

Комиссия Минобрнауки России признала обязательства по Соглашению на отчетном этапе исполненными надлежащим образом.

Основные результаты, полученные в отчётный период

Произведена закупка современного дорогостоящего оборудования для расширения перечня услуг ЦКП на общую стоимость 46,46 млн. руб.: комплекта оборудования для вакуумного осаждения тонких пленок, принтера для печатной электроники, комплекта оборудования для измерения спектров пропускания и отражения тонких пленок и суспензий.

Разработана новые методики измерений для обеспечения качества технологических процессов, требуемых при изготовления электронной компонентной базы:

методика измерения толщин тонких пленок в диапазоне от 3 до 30 нм методом рефлектометрии;

методика измерения толщин МИМ-структур (металл-изолятор-металл) методом рефлектометрии.

Разработан технологический регламент для проведения операции атомно-слоевого осаждения сегнетоэлектрических пленок на установке АСО Picosun R200 Advanced, закупленной на предыдущем этапе работ. Разработан технологический регламент нанесения тонких металлических пленок методом импульсного лазерного осаждения.