Абитуриентам
Одним из главных принципов уникальной «системы Физтеха», заложенной в основу образования в МФТИ, является тщательный отбор одаренных и склонных к творческой работе представителей молодежи. Абитуриентами Физтеха становятся самые талантливые и высокообразованные выпускники школ всей России и десятков стран мира.
Студентам
Выпускникам

Карта сайта

Личный кабинет

Сервисы IT

Тел. справочник

Поддержать МФТИ

О Физтехе
МФТИ является одним из ведущих технических вузов России. Институт по праву занимает лидирующее место по качественному приему абитуриентов и квалифицированной подготовке выпускников. Студенты и выпускники МФТИ являются представителями узкого круга лиц, которые, благодаря окружающим их возможностям междисциплинарного научного образования, могут в полной мере реализовать свой потенциал.
Образование
Уникальная «Система обучения Физтеха» является одним из лучших подходов к образованию, что доказывает ее существование почти в неизменном виде уже более 60 лет. Получение фундаментального образования в области математики и физики, предварительное знакомство с избранной специализацией наряду с приобретением навыков самостоятельной работы уже на 4м курсе обеспечивают каждого студента объемом знаний и опыта полноценного ученого. Таким образом, к окончанию обучения студенты уже имеют значительные достижения в избранном ими направлении деятельности.
Наука и инновации
Исследования в МФТИ охватывают широкий круг областей теоретической и экспериментальной физики, энергетики и биомедицины, химии и прикладной математики. Поддержка ряда государственных и частных научных и инвестиционных фондов позволяет нашим ученым каждый день вести разработки на переднем крае науки, чтобы сделать мир более совершенным, удобным и безопасным.
Новости науки

ЦКП МФТИ. Атомно-слоевое осаждение

Печать DOC PDF

Установка атомно-слоевого осаждения Picosun R200 Advanced (2014 г.)

Установка атомно-слоевого осаждения

Основные характеристики установки атомно-слоевого осаждения с модулем плазменной обработки (PE-ALD):

- возможность проводить операцию осаждения тонких плёнок (в т. ч. сегнетоэлектрических) методом атомно-слоевого осаждения с повторяемостью по толщине не хуже 1 нм конформно на поверхностях с любым рельефом;

- возможность работы с подложками диаметром до 200 мм;

- наличие источников для работы в жидкостными прекурсорами с высоким давлением паров (TMA, DEZ, TiCl4 и т.д);

- наличие источников для жидкостных и твердотельных прекурсоров с низким давлением паров (TEMAHf, CHORuS) с нагревом до 200°С.