• О Физтехе
  

  МФТИ является одним из ведущих технических вузов России. Институт по праву занимает лидирующее место по качественному приему абитуриентов и квалифицированной подготовке выпускников. Студенты и выпускники МФТИ являются представителями узкого круга лиц, которые, благодаря окружающим их возможностям междисциплинарного научного образования, могут в полной мере реализовать свой потенциал.

  • Общая информация
  • Руководство
  • Физтех-школы
  • Подразделения
  • Публикации в СМИ
  • МФТИ в рейтингах
  • История Физтеха
  • Сведения об образовательной организации
  • Партнеры
  • Абитуриенту
  • Профилактика коронавируса
  • Цели устойчивого развития
  • Физтех.Оплата
• Образование
  

  Уникальная ­­«Система обучения Физтеха» является одним из лучших подходов к образованию, что доказывает ее существование почти в неизменном виде уже более 60 лет. Получение фундаментального образования в области математики и физики, предварительное знакомство с избранной специализацией наряду с приобретением навыков самостоятельной работы уже на 4м курсе обеспечивают каждого студента объемом знаний и опыта полноценного ученого. Таким образом, к окончанию обучения студенты уже имеют значительные достижения в избранном ими направлении деятельности.

  • Дистанционное обучение
  • Открытые онлайн-курсы МФТИ
  • Институтские кафедры и департаменты
  • Преподаватели
  • Базовые и факультетские кафедры
  • Абитуриентам и школьникам
  • Иностранным гражданам
  • Повышение квалификации
  • Повышение квалификации ФПМИ
  • Диссертационные советы
  • Совместные программы
  • Аспирантура
• Наука и инновации
  

  Исследования в МФТИ охватывают широкий круг областей теоретической и экспериментальной физики, энергетики и биомедицины, химии и прикладной математики. Поддержка ряда государственных и частных научных и инвестиционных фондов позволяет нашим ученым каждый день вести разработки на переднем крае науки, чтобы сделать мир более совершенным, удобным и безопасным.

  • Лаборатории и научные центры
  • Центр коллективного пользования
  • Сопровождение научной деятельности
  • Визит-профессора МФТИ
  • Проект 5—100
  • Гранты и конкурсы
  • Программы развития
  • ФИП
  • Тренинги предпринимательских компетенций
  • Отдел по интеллектуальной собственности
  • Научно-технический совет
  • Конференции
  • Научные журналы МФТИ
  • База научных статей
  • Результаты интеллектуальной деятельности
  • Всероссийский конкурс научно-популярной журналистики «Импульс»
  • Экспертно-консультационная поддержка по вопросам внедрения программ развития
  • Публикационная активность
• Новости науки

ЦКП МФТИ. Эллипсометр SENTECH SER 800

Спектроскопический эллипсометр SENTECH Instruments GmbH SER 800

Спектроскопический эллипсометр предназначен для измерения толщины и оптических характеристик массивных материалов, единичных и многослойных пленок, поверхностей раздела слоев, очень тонких и толстых пленок.

Характеристики эллипсометра:

- регулировка ручного гониометра от 40° до 90° с шагом 5° (точность 0,02°), фиксированный столик для образцов диаметром до 150 мм (регулировка по высоте / углу наклона с помощью микровинтов) и черно-белая видеокамера, служащая для выравнивания образца (вместо окуляра), захвата изображения, вывода изображения на монитор компьютера;

- наличие автоколлиматора (ACT) и оптического микроскопа;

- спектральный диапазон 240 – 1000 нм;

-  широковолновый компенсатор для работы в непрерывном спектральном диапазоне без “мертвых зон” при Δ=0° и Δ =180°;

- разрешение анализатора и поляризатора на базе призмы Глана-Томсона (с поддержкой следящего режима работы) ±0,01º;

- время измерения (среднее значение) 1024 точек спектра в UV‐ VIS спектральном диапазоне - 10 с;

- спектральное разрешение высокочувствительного CCD детектора UV‐VIS не более 0,45 нм на пиксел в диапазоне UV‐VIS;

- размер пятна - 1,5‐3 мм;

- толщина измеряемых прозрачных пленок - до 10 000 нм;

- точность (1Ϭ):

- для номинала 1000 нм SiO2 на Si - не хуже ±5A;

- для номинала 1000А SiO2 на Si - не хуже ±0,15A;

- R.I. для N - не более ±0.0002;
- R.I. для K - не более ±0.0015;

- повторяемость (погрешность):

- для номинала 1000А SiO2 на Si - не более ±0.5 A;

- R.I. для N - не более ±0.0015;

- R.I. для K - не более ±0.0015.