|
А.Ф. Шевчун
Институт физики твердого тела РАН
Изучалась зависимость поверхностного импеданса Z( ) двух
тонких эпитаксиальных
 пленок от величины микроволнового
поля Hw. Пленка служила составной частью диэлектрического резонатора,
работающего на моде  и частоте 8.5 ГГц. При фиксированной
температуре Т из интервала 10<Т<80 К варьировалась амплитуда
микроволнового магнитного поля от 1 до 100 Э. Зависимость Z() для
обеих пленок начинается в поле  Э, и величина  слабо
зависит от температуры. Согласно оценкам, соответствует полю, при
котором проникновение джозефсоновских вихрей в слабые связи пленки
становится энергетически выгодным.
| 
