П.В. Дудкин
Московский физико-технический институт (государственный университет)
В последнее время особую актуальность приобретает исследование процессов протекания заряда через границу раздела между имплантированным в керамическую матрицу сетчатым электродом и электролитом в МГД ячейке. Поскольку МГД обратный эффект является наиболее вероятным кандидатом на использование его в устройстве силовой обратной связи в молекулярно-электронных преобразователях, увеличение предельного тока в ячейке важно с точки зрения как расширения динамического диапазона прибора, так и стабилизации его амплитудно-частотной характеристики в рабочем интервале частот от 0.01 до 50 Гц. Как было показано ранее [1], предельный ток в молекулярно-электронной ячейке является функцией частоты задающего сигнала и геометрических параметров электродной системы. В то же время, можно было бы ожидать, что пропускание больших токов через МГД ячейку может приводить к существенным нелинейным искажениям.
В настоящей работе проведено исследование амплитуд высших гармоник выходного сигнала в зависимости от амплитуды первой гармоники входного сигнала, а также величины предельного тока как функции частоты для электродной системы в форме элерона. Установлено, что коэффициент нелинейных искажений практически не зависит от частоты в исследуемом частотном диапазоне и при пропускаемом токе порядка 50 мА составляет 0.9%. Поскольку с повышением частоты характер проводимости в МГД ячейке всё более приближается к омическому, то на высоких частотах оказывается возможным пропускать значительно большие токи. Установлено, что при токе в 130 мА, пропускаемом на частоте 30 Гц, коэффициент нелинейных искажений составляет 0.3%.
Выполненные исследования позволяют сформулировать условия, при которых можно добиться существенного повышения как линейности системы, так и величины пропускаемого тока через МГД систему.
Литература
- П.В.Дудкин. Экспериментальное исследование частотной зависимости тока насыщения в молекулярно-электронной ячейке. Материалы XLIII конференции. Долгопрудный: МФТИ, 2000.
