Д.А. Курносов, студент VI курса; К.Н. Никольский, студент VI курса; Р.Г. Чесов, студент VI курса
Московский физико-технический институт
В настоящие время существуют различные технологии создания плоских автокатодов из углеродных материалов для плоских автоэмиссионных дисплеев: методы газофазного осаждения [1], методы печати [2] и электрофорез [3]. Недостатком методов газофазного осаждения является сложность и высокая стоимость технологии производства. Для методов печати существует проблема выбора биндера, который должен быть электропроводящим, вакуумно- и химически- стойким. Для электрофоретического метода свойственна невысокая адгезия графитовых частиц с подложкой, в особенности при большом размере графитовых частиц [3].
В работе [4] предлагался метод одновременного электрохимического осаждения металла и графитовых частиц на молибденовые острия, в качестве осаждаемых частиц использовался алмазоподобный порошок, полученный методом газофазного осаждения, с характерным размером частиц меньше 1 мкм. В данной работе в качестве метода получения плоского автокатода было использовано электрохимическое осаждение меди с углеродным порошком с характерным размером частиц больше 10 мкм на кремневую подложку из раствора CuSO4. Причем в качестве высаживаемых частиц использовались углеродные порошки, изготовленные из углеродных волокон и естественного графита с хорошо изученными эмиссионными свойствами [5]. Изменяя параметры процесса: токи (1...100 мА) и времена (5…30 мин), можно варьировать толщину и равномерность распределения графитовых частиц на поверхности подложки.
Исследование при помощи оптического микроскопа позволило судить о
равномерности нанесения графитового порошка. Для автоэмиссионных
испытаний была выбрана диодная конструкция (в качестве анода
использовалось стекло покрытое ITO и люминофором), которая сделала
возможным оценить количество эмиссионных центров. Автоэмиссионные
испытания проводились при остаточном давлении в камере Торр. Во
время автоэмиссионных испытаний в камере снимались вольт-амперные
характеристики и долговременная наработка. Для некоторых образцов
эмиссионный ток составлял 10 мкА при напряженности поля 1,5 В/мкм.
Литература
- N.S. Xu, R.V. Latham, Electron. Lett. 29 (1993) 1596
- A.P. Burden et al. J.Vac.Sci.Technol. B 18 (2000) 900-904
- Baturin A.S., et al Tech. Digest IVESC’2000 P-51
- Danroc Joel, US Patetnt 5836796
- Sheshin E.P., Ultramicroscopy 79 (1999) 101?108
